가공데이터 · 특허 지식베이스

스트레인-완화된 TSV에 대한 구조 및 방법 document_id 1020147026961

출원번호
1020147026961
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 리세스된부분있는공간인,반도체 다이. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 리세스된 부분은 컴플라이언트(compliant) 후면-충진 재료포함하는,반도체 다이. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 분리층은, 비불소화(unfluorinated) 실리카 글래스(usg), 테트라에틸 오르토실리케이트(teos), 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 유기 절연체로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 재료구성되는,반도체 다이. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판 내에 형성되는 sti(shallow trench isolation) 영역; 및상기 반도체 기판 및 상기 (sti) 영역의 표면에 형성되는 층간 절연막더 포함하는,반도체 다이. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인 휴대 정보 단말(pda), 고정 위치 데이터 유닛, 및 컴퓨터 중 적어도 하나 내포함되는,반도체 다이. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 스트레스를 완화시키기 위한 수단은, 분리층 ― 상기 분리층은, 상기 쓰루 기판 비아를 둘러싸고, 2개의 부분들, 즉, 상기 전도성 충진 재료로부터의 스트레스를 완화시킬 수 있는 상기 기판의 상기 활성면에 가까운 리세스된 부분, 및 유전체 부분을 포함하며, 상기 리세스된 부분의 조성은 상기 유전체 부분과 상이함 ― 을포함하는,반도체 다이. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 분리층은, 비불소화 실리카 글래스(usg), 테트라에틸 오르토실리케이트(teos), 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 유기 절연체로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 재료구성되는,반도체 다이. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 반도체 기판 내에 형성되는 sti(shallow trench isolation) 영역; 및상기 반도체 기판 및 상기 (sti) 영역의 표면에 형성되는 층간 절연막더 포함하는,반도체 다이. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인 휴대 정보 단말(pda), 고정 위치 데이터 유닛, 및 컴퓨터 중 적어도 하나 내포함되는,반도체 다이.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
스트레스를 완화시키기 위한 수단으로서의 분리층은 어떠한 구조적 특징을 가지며, 리세스된 부분과 유전체 부분의 조성은 서로 어떠한 관계를 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    스트레스를 완화하기 위한 분리층의 구조적 특징과 리세스된 부분 및 유전체 부분의 조성 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 14를 통해 분리층이 쓰루 기판 비아를 둘러싸고 있으며, 리세스된 부분과 유전체 부분으로 구성됨을 확인한다.

    • 상기 분리층은, 상기 쓰루 기판 비아를 둘러싸고, 2개의 부분들, 즉, 상기 전도성 충진 재료로부터의 스트레스를 완화시킬 수 있는 상기 기판의 상기 활성면에 가까운 리세스된 부분, 및 유전체 부분을 포함하며, 상기 리세스된 부분의 조성은 상기 유전체 부분과 상이함
  3. 3근거 선택evidence_selection

    분리층의 구조(비아를 둘러쌈, 두 부분으로 구성)와 조성 관계(서로 상이함)에 대한 직접적인 구절을 선택한다.

    • 상기 분리층은, 상기 쓰루 기판 비아를 둘러싸고, 2개의 부분들, 즉, 상기 전도성 충진 재료로부터의 스트레스를 완화시킬 수 있는 상기 기판의 상기 활성면에 가까운 리세스된 부분, 및 유전체 부분을 포함하며, 상기 리세스된 부분의 조성은 상기 유전체 부분과 상이함
  4. 4논리 통합logical_integration

    분리층은 비아를 둘러싸는 구조이며, 활성면에 가까운 리세스된 부분과 유전체 부분이라는 두 부분으로 나뉘고, 이 두 부분의 조성은 서로 다르다는 논리를 결합한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    분리층은 쓰루 기판 비아를 둘러싸는 구조로, 활성면에 가까운 리세스된 부분과 유전체 부분으로 구성되며, 리세스된 부분의 조성은 유전체 부분과 상이하다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 구조적 특징과 조성 관계를 명확히 기술하여 최종 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
스트레스를 완화시키기 위한 분리층은 쓰루 기판 비아를 둘러싸는 구조를 가지며, 기판의 활성면에 가까운 리세스된 부분과 유전체 부분의 두 부분으로 구성된다. 이때 리세스된 부분의 조성은 유전체 부분의 조성과 서로 상이한 관계를 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 쓰루 기판 비아(TSV)를 둘러싸는 분리층을 구성할 때, 조성의 차이를 갖는 리세스된 부분과 유전체 부분으로 이원화하여 스트레스를 완화하는 구조적 특징을 제공한다.