강화된 마이크로웨이브 가열 시스템들 및 그 사용 방법들 document_id 1020147028603

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 제 1 론치 경사 각도는 15°미만인마이크로웨이브 시스템. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,마이크로웨이브 에너지를 제 2 중심 론치 축을 따라 상기 마이크로웨이브 챔버로 전파하도록 구성된 제 2 마이크로웨이브 론처를 더 포함하며, 적어도 2°의 제 2 론치 경사 각도는 상기 제 2 중심 론치 축과 상기 운반 축에 수직인 평면 사이정의되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 4] 청구항 3에 있어서,상기제 1 및 상기 제 2 중심 론치 축들은 서로 실질적평행한마이크로웨이브 시스템. [청구항 5] 청구항 3에 있어서,상기제 1 및 상기 제 2 마이크로웨이브 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 대향 측면들 상위치되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 6] 청구항 5에 있어서,상기제 1및상기제2마이크로웨이브론처들대향하여마주 보는마이크로웨이브 시스템. [청구항 7] 청구항 3에 있어서,상기제 1 및 상기 제 2 마이크로웨이브 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 동일한 측면 상위치되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 8] 청구항 1에 있어서,파장(λ)을 갖는 마이크로웨이브 에너지를 생성하는 적어도 하나의 마이크로웨이브 생성기를 더 포함하며, 상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 적어도 하나의 론치 개구부(launch opening)를 정의하고, 상기 론치 개구부는 폭(w1) 및 깊이미만인마이크로웨이브 시스템. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,개구부는 상기 운반 축의 확장 방향연장되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 10] 청구항 8에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 입구 및 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 2개 이상의 론치 개구부들을 포함하며, 상기 2개 이상의 론치 개구부들 각각은 0.625 λ 미만의 깊이갖는마이크로웨이브 시스템. [청구항 11] 청구항 8에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버와 상기 론치 개구부 사이에 배치된 적어도 하나의 실질적인 마이크로웨이브를 통과시키는 윈도우더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 12] 청구항 1에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 적어도 15 psig의 압력에서 동작하도록구성된가압 챔버인마이크로웨이브 시스템. [청구항 13] 청구항 1에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버의 상류에 설치된 열중성자화 구역(thermalization zone)을 더 포함하며, 상기 열중성자화 구역은 상기 물품들을 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입하기 전에 상기 물품들의 온도를 실질적인균일 온도조정하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 14] 청구항 1에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 식품들, 의료 유체들, 및/또는 의료 기구들의 살균 또는 저온 살균을 위해 구성되고 상기 마이크로웨이브 챔버는 액체충전되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 15] 청구항 1에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 분 당량(minute equivalent)당 적어도 150 패키지들의 총생산레이트달성하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 16] 청구항 1에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 물 충전되고 적어도 15 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 분 당량당 적어도 150 패키지들의 레이트로상기패키지식품들살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 18] 청구항 17에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 적어도 10 psig의 압력에서 동작하도록 구성된 액체 충전챔버인마이크로웨이브 시스템. [청구항 19] 청구항 17에 있어서,상기 챔버 측 표면에 대한 전체 표면적의 적어도 95 퍼센트는 상기 마이크로웨이브 챔버의 연장의 중심 축으로부터 적어도 2°의 각도배향되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 20] 청구항 17에 있어서,상기 윈도우의 상기 챔버 측 표면은 적어도 하나의 볼록면 및/또는 적어도 하나의 오목면포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 21] 청구항 17에 있어서,상기 윈도우는 적어도 10 mm의 평균 두께를 갖고 유리 충전 테플론, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리(메틸 메타아크릴레이트), 폴리에테르이미드(pei), 산화 알루미늄, 유리, 또는 그것의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 22] 청구항 17에 있어서,상기 윈도우는 상기 운반 축의 확장 방향연장되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 23] 청구항 17에 있어서,상기 윈도우는 유리 충전 테플론형성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 24] 청구항 17에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버의 상류에 설치되어 상기 물품들을 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입하기 전에 상기 물품들의 온도를 실질적인 균일 온도로 조정하는 열중성자화 구역더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 25] 청구항 17에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 식품들, 의료 유체들, 및/또는의료기구들의살균또는저온살균위해구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 26] 청구항 17에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 분 당량당 적어도 150 패키지들의 총생산레이트달성하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 27] 청구항 26에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 물 충전되고 적어도 15 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 분 당량당 적어도 150 패키지들의 레이트로상기패키지식품들살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 28] 마이크로웨이브 가열 시스템에서 복수의 물품들을 가열하는 프로세스로서, (a) 복수의 물품들을 마이크로웨이브 가열 챔버를 통해 운반 시스템에 의해 전달하는 단계로서, 상기 마이크로웨이브 가열 챔버는 액체 매체로 적어도 부분적으로 충전되는 상기 단계 (b) 하나 이상의 마이크로웨이브 생성기들을 사용하여 마이크로웨이브 에너지를 생성하는 단계 (c) 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 적어도 하나의 마이크로웨이브 론처를 통해 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입하는 단계로서, 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입되는 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부는 적어도 2°의 론치 경사 각도로 방출되는 상기 단계; 및 (d) 그 안에 방출된 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 사용하여 상기 마이크로웨이브 가열 챔버에서 상기 물품들을 가열하는 단계를 포함하는 프로세스 [청구항 29] 청구항 28에 있어서,상기 도입 단계(c)는 상기 마이크로웨이브 챔버의 대향 측면들 상에 배치된 2개 이상의 마이크로웨이브 론처들을 사용하여 수행되며, 각각의 론처는 적어도 2° 및 15°이하의 론치 경사 각도로 마이크로웨이브 에너지방출하는프로세스. [청구항 30] 청구항 28에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들 또는 패키지 의료 유체들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 적어도 10 psig의 압력으로 가압되는 물 충전 챔버이고, 상기 프로세스는 분 당량당 적어도 150 패키지들의 레이트로 상기 패키지 식품들 또는 상기 패키지 의료 유체들살균하는프로세스. [청구항 31] 복수의 물품들을 가열하는 마이크로웨이브 시스템으로서, 지배적 파장(λ)을 갖는 마이크로웨이브 에너지를 생성하는 마이크로웨이브 생성기 상기 물품들을 운반 축을 따라 운반하는 운반 시스템; 및 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 상기 운반 시스템에 의해 운반되는 상기 물품들을 향해 론칭하는 제 1 마이크로웨이브 론처로서, 상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 폭(w 1 ) 및 깊이(d 1 )를 갖는 적어도 하나의 론치 개구부를 정의하며, w 1 은 d 1 보다 더 크고, d 1 은 0.625 λ 이하인 상기 제 1 마이크로웨이브 론처를 포함하는 마이크로웨이브 시스템 [청구항 33] 청구항 31에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 한 세트의 광폭(broader) 대향 측벽들 및 한 세트의 협폭(narrower) 대향 단부 벽들을 포함하며, 상기 측벽들 및 상기 단부 벽들 각각은 말단 에지를 제공하고, 상기 측벽들 및 상기 단부 벽들의 말단 에지들은 상기 론치 개구부를 공동으로(cooperatively) 정의하고, 상기 론치 개구부의 상기 폭(w1)은 상기 단부 벽들의 말단 에지들 사이의 거리에 의해 정의되고 상기 론치 개구부의 상기 깊이(d1)는상기측벽들의말단에지들간거리에의해정의되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 34] 청구항 33에 있어서,상기 측벽들의 말단 에지들은 상기 운반 축에실질적평행하게확장되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 35] 청구항 33에 있어서,개구부는 직사각형인마이크로웨이브 시스템. [청구항 36] 청구항 33에 있어서,상기측벽들은 적어도 5°의 폭 플레어 각도갖는마이크로웨이브 시스템. [청구항 37] 청구항 33에 있어서,상기 단부 벽들은 0°이하의 깊이 플레어 각도갖는마이크로웨이브 시스템. [청구항 39] 청구항 31에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 마이크로웨이브 입구 및 적어도 제 1 및 제 2 론치 개구부를 정의하며, 상기 제 1 론치 개구부는 상기 폭(w1) 및 상기 깊이(d1)를 갖고, 상기 제 2 론치 개구부는 폭(w2) 및 깊이이하인마이크로웨이브 시스템. [청구항 40] 청구항 39에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 입구 및 상기 론치 개구부들 사이에서 상기 마이크로웨이브 론처의 내부 영역 내에 배치되는 적어도 하나의 분할 격벽을 포함하며, 상기 격벽은 상기 제 1 및 상기 제 2 론치 개구부들을 적어도 부분적정의하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 41] 청구항 39에 있어서,상기제 1 및 상기 제 2 론치 개구부들은 서로 인접하고 상기 운반 축에 대해가로질러정렬되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 42] 청구항 39에 있어서,상기 마이크로웨이브 입구는 깊이0 이하인마이크로웨이브 시스템. [청구항 43] 청구항 39에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 폭(w3) 및 깊이(d3)를 갖는 제 3 론치 개구부를 더 포함하며, w3는 d3보다 더 크고, d1, d2, 또는 d3 중 어느 것않은마이크로웨이브 시스템. [청구항 44] 청구항 43에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 입구와 상기 론치 개구부들 사이에 배치된 적어도 2개의 분할 격벽들을 더 포함하며, 상기 격벽들은 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 입구로부터 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 론치 개구부들 각각으로 전파하는 적어도 3개의 개별 마이크로웨이브 경로들을 집합적정의하고,상기 개별 마이크로웨이브 경로들 중 적어도 하나는 상기 개별 마이크로웨이브 경로들의 적어도 하나의 다른 것보다 더 긴 마이크로웨이브 시스템. [청구항 45] 청구항 31에 있어서,상기 물품들이 상기 운반 시스템에 의해 운반되는 마이크로웨이브 챔버를 더 포함하며, 상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하고, 상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 충전되고 적어도 10 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로 상기 패키지 식품들을 저온 살균하고/살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 48] 청구항 46에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 입구로부터 상기 론치 개구부로 각각 확장되는 한 세트의 대향 측벽들 및 한 세트의 대향 단부 벽들을 포함하며, 상기 측벽들은 상기 단부 벽들보다 더 넓고, 상기 측벽들 각각은 적어도 2°의 폭 플레어 각도를 정의하고 상기 단부 벽들 각각은 0°미만의 깊이 플레어 각도정의하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 49] 청구항 46에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 깊이(d2)를 갖는 제 2 론치 개구부를 정의하며, 상기 d0는 d2보다 더 크고, 상기 d1 및 d2 둘 다미만인마이크로웨이브 시스템. [청구항 50] 청구항 49에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 깊이(d3)를 갖는제3론치개구부더포함하며,미만인마이크로웨이브 시스템. [청구항 51] 청구항 46에 있어서,상기 물품들이 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입되기 전에 상기 물품들을 실질적인 균일 온도로 가열하는 상기 마이크로웨이브 챔버의 상류에 열중성자화 구역더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 52] 청구항 46에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 충전되고가압되도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 54] 청구항 53에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 에너지가 상기 입구로부터 상기 론치 개구부들 각각으로 전파되는 적어도 부분적으로 2개의 경로들을 부분적으로 정의하는 상기 론처 내에 배치된 적어도 하나의 격벽포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 55] 청구항 53에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 3개 이상의 론치 개구부들 및 마이크로웨이브 에너지가 상기 마이크로웨이브 입구로부터 상기 론치 개구부들로 전파될 수 있는 적어도 제 1, 제 2, 및 제 3 경로를 정의하는 적어도 2개의 격벽들포함하며,상기 제 1, 제 2, 및 제 3 경로들 중 적어도 하나는 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 경로들의 적어도 하나의 다른 것보다 더 긴 마이크로웨이브 시스템. [청구항 56] 청구항 53에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 입구로부터 상기 론치 개구부들로 각각 확장되는 한 세트의 대향 측벽들 및 한 세트의 대향 단부 벽들을 정의하며, 상기 측벽들은 상기 단부 벽들보다 더 넓고, 상기 측벽들 각각은 적어도 2°의 폭 플레어 각도를 정의하고 상기 단부 벽들 각각은 0°이하의 깊이 플레어 각도정의하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 57] 청구항 56에 있어서,상기 단부 벽들의 상기 깊이 플레어 각도는 0°미만인마이크로웨이브 시스템. [청구항 58] 청구항 53에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 론처로부터 상기 마이크로웨이브 챔버의 전체적인 대향 측면 상에 배치된 제 2 마이크로웨이브 론처를 더 포함하며, 상기 제 2 마이크로웨이브 론처는 제 2 마이크로웨이브 입구 및 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하도록 구성된 적어도 2개 더 많은 론치 개구부들정의하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 59] 청구항 53에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 가압 마이크로웨이브챔버인마이크로웨이브 시스템. [청구항 60] 청구항 53에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 물 충전되고 적어도 15 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로상기패키지식품들살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 62] 청구항 61에 있어서,상기 유도성 아이리스는 상기 마이크로웨이브 입구와 상기 론치 개구부 사이에 배치되며, 상기 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 입구와 상기 론치 개구부 사이의 최소 거리에 의해 정의되는 길이(l)를 갖고, 상기 유도성 아이리스는 적어도 0.1l만큼 상기 마이크로웨이브 입구이격되는마이크로웨이브 론처. [청구항 63] 청구항 61에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처는 상기 마이크로웨이브 경로의 기하학적 중심을 통해 확장되는 중심 론치 축을 정의하며, 상기 유도성 아이리스 패널들은 상기 중심 론치 축에 실질적으로 수직확장되는마이크로웨이브 론처. [청구항 64] 청구항 61에 있어서,상기 측벽들은 상기 단부 벽들보다 더 넓으며, 상기 측벽들은 적어도 2°의 폭 플레어 각도갖는마이크로웨이브 론처. [청구항 65] 청구항 64에 있어서,상기 단부 벽들은 0°이하의 깊이 플레어 각도갖는마이크로웨이브 론처. [청구항 66] 청구항 61에 있어서,개구부는 폭(w1) 및 깊이미만인마이크로웨이브 론처. [청구항 67] 청구항 61에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처는 적어도 2개의 론치 개구부들 및 상기 마이크로웨이브 입구로부터 상기 론치 개구부들 중 하나로 확장되는 적어도 2개의 마이크로웨이브 경로들을 정의하며, 상기 아이리스 패널들 각각은 상기 마이크로웨이브 경로들 중 적어도 2개확장되는마이크로웨이브 론처. [청구항 68] 청구항 67에 있어서,상기 마이크로웨이브 경로들 각각을 분리하고 적어도 부분적으로 정의하는 적어도 하나의 격벽을 더 포함하며, 상기 격벽은 상기 론처의 상기 단부 벽들에 결합되고 이 단부 사이에 확장되며, 상기 격벽의 두께미만인마이크로웨이브 론처. [청구항 69] 복수의 물품들을 가열하는 마이크로웨이브 시스템으로서, 파장(λ)을 갖는 마이크로웨이브 에너지를 생성하는 마이크로웨이브 생성기 상기 물품들을 수용하도록 구성된 마이크로웨이브 챔버 상기 물품들을 상기 마이크로웨이브 챔버를 통과하는 운반 축을 따라 운반하는 운반 시스템; 및 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 상기 마이크로웨이브 생성기로부터 상기 마이크로웨이브 챔버로 지향시키는 마이크로웨이브 분배 시스템을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 분배 시스템은 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 2개 이상의 분리 부분들로 분할하는 제 1 마이크로웨이브 스플리터 및 마이크로웨이브 입구 및 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 적어도 하나의 론치 개구부를 각각 정의하는 적어도 한 쌍의 마이크로웨이브 론처들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 분배 시스템은 상기 제 1 마이크로웨이브 스플리터와 상기 마이크로웨이브 론처들 중 하나의 상기 론치 개구부 사이에 배치된 제 1 유도성 아이리스를 더 포함하는 마이크로웨이브 시스템 [청구항 70] 청구항 69에 있어서,상기 제 1 마이크로웨이브 스플리터와 상기 쌍의 마이크로웨이브 론처들의 다른 론처의 상기 론치 개구부 사이에 배치된 제 2 유도성 아이리스더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 71] 청구항 69에 있어서,상기 제 1 유도성 아이리스는 상기 마이크로웨이브 입구과 상기 마이크로웨이브 론처의 상기 론치 개구부 사이배치되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 72] 청구항 71에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처들각각은 각각의 깊이들(d1 및 d2)을 갖는 적어도 2개의 론치 개구부들을 포함하며, d1 및 d2 둘 다미만인마이크로웨이브 시스템. [청구항 73] 청구항 69에 있어서,상기 제 1 유도성 아이리스는 상기 제 1 마이크로웨이브 스플리터와 상기 마이크로웨이브 론처들 중 하나의 상기 마이크로웨이브 입구 사이배치되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 74] 청구항 73에 있어서,상기 마이크로웨이브 분배 시스템은 상기 제 1 마이크로웨이브 스플리터와 상기 쌍의 마이크로웨이브 론처들의 다른 론처의 마이크로웨이브 입구 사이에 배치된 제 2 유도성 아이리스더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 75] 청구항 69에 있어서,상기 마이크로웨이브 분배 시스템은 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 2개 이상의 부가 부분들로 분할하는 제 2 스플리터, 제 2 마이크로웨이브 입구 및 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 적어도 하나의 론치 개구부를 정의하는 부가 쌍의 마이크로웨이브 론처들, 및 상기 제 2 마이크로웨이브 스플리터와 상기 부가 쌍의 마이크로웨이브 론처들의 상기 론처들 중 하나의 상기 론치 개구부 사이에 배치된 제 2 유도성 아이리스더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 76] 청구항 75에 있어서,상기 쌍의 마이크로웨이브 론처들의 상기 론처들각각은 상기 마이크로웨이브 챔버의 동일한 측면 상배치되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 77] 청구항 69에 있어서,상기 쌍의 마이크로웨이브 론처들 중 하나의 론처는 상기 쌍의 마이크로웨이브 론처들의 다른 것으로부터 상기 마이크로웨이브 챔버의 대향 측면 상배치되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 78] 청구항 69에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 가압 마이크로웨이브챔버인마이크로웨이브 시스템. [청구항 79] 청구항 69에 있어서,상기 열중성자화된 물품들을 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입하기 전에 상기 물품들의 온도를 실질적인 균일 온도로 조정하는 열중성자화 구역더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 80] 청구항 69에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 충전되고 적어도 10 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로 상기 패키지 식품들을 저온 살균하고/살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 81] 마이크로웨이브 가열 시스템에서 복수의 물품들을 가열하는 프로세스로서, (a) 복수의 물품들을 마이크로웨이브 가열 챔버를 통해 운반 시스템의 하나 이상의 운반 라인들을 따라 전달하는 단계 (b) 하나 이상의 마이크로웨이브 생성기들을 사용하여 마이크로웨이브 에너지를 생성하는 단계 (c) 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 2개 이상의 분리 부분들로 분리하는 단계 (d) 상기 마이크로웨이브 에너지의 상기 일부들을 2개 이상의 마이크로웨이브 론처들을 통해 상기 마이크로웨이브 가열 챔버로 방출하는 단계 (e) 상기 분할 단계 (b) 후에 그리고 및 상기 방출 단계 (c) 전에, 상기 마이크로웨이브 에너지의 일부들 중 적어도 하나를 제 1 유도성 아이리스를 통해 전달하는 단계; 및 (f) 그 안에 방출된 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 사용하여 상기 마이크로웨이브 가열 챔버에서 상기 물품들을 가열하는 단계를 포함하는 프로세스 [청구항 82] 청구항 81에 있어서,상기 분할 단계(c) 후에 그리고 상기 방출 단계 (d) 전에, 상기 마이크로웨이브 에너지의 일부들의 다른 것을 제 2 유도성 아이리스를 통해 전달하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 83] 청구항 81에 있어서,상기 제 1 유도성 아이리스는 상기 마이크로웨이브 론처들 중 하나의 내부에 배치되고 상기 마이크로웨이브 입구와 상기 마이크로웨이브 론처의 상기 론치 개구부 사이위치되는프로세스. [청구항 84] 청구항 81에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처들 중 적어도 2개는 상기 마이크로웨이브 챔버의 대향 측면들 상설치되는프로세스. [청구항 85] 청구항 84에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처들 중 적어도 2개는 대향하여마주보는론처들인프로세스. [청구항 86] 청구항 81에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처들 중 적어도 2개는 상기 마이크로웨이브 챔버의 동일한 측면 상설치되는프로세스. [청구항 87] 청구항 81에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 매체로적어도부분적충전되고가압되는프로세스. [청구항 88] 청구항 87에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들, 패키지 의료 유체들, 및 의료 기구들로 구성되는 그룹으로부터 선택되고 상기 프로세스는 저온 살균 및/또는 살균프로세스인프로세스. [청구항 119] 청구항 118에 있어서,상기 하우징은 길이(l1), 폭(w1) 및 깊이(d1)를 가지며, 상기 가변 위상 단락 회로는 파장(λ)을 갖는 마이크로웨이브 에너지를 상기 제 1 개구부로부터상기하우징전달하도록구성되고,w1 및 d1 중 적어도 하나는 0.5 λ보다 더 큰 가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 120] 청구항 119에 있어서,1 둘 다는 1 λ미만인가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 121] 청구항 119에 있어서,의 비율은1 미만인가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 122] 청구항 118에 있어서,상기 가변 위상 단락 회로는 파장(λ)을 갖는 마이크로웨이브 에너지를 상기 제 1 개구부로부터 상기 하우징으로 전달하도록 구성되며, 상기 하우징 내의 인접 플레이트들이격되는가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 123] 청구항 118에 있어서,상기 플레이트들각각은 상기 제 1 및 제 2 개구부들을 향해 마주 보는 제 1 표면적을 갖는 원위 단부를 제공하며, 상기 하우징의 상기 제 2 단부는 상기 플레이트들 사이에 위치되고 상기 제 1 및 제 2 개구부들을 향해 마주 보는 노출된 내부 표면적을 정의하고, 상기 플레이트들의 원위 단부들의 제 1 표면적들 대 상기 하우징의 상기 제 2 단부의 노출된 표면적의 합의 비율1 이하인가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 124] 청구항 118에 있어서,상기 가변 위상 단락 회로는 파장(λ)을 갖는 마이크로웨이브 에너지를 상기 제 1 개구부로부터 상기 하우징으로 전달하도록 구성되며, 상기 플레이트들은 적어도 0.25 λ의 거리에 대한상기제1측면향해확장되는가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 126] 청구항 125에 있어서,상기 하우징은 길이(l1), 폭(w1), 및 깊이(d1)를 가지며, w1 및 w2는 실질적동일한가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 127] 청구항 126에 있어서,의 비율은1 미만인가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 128] 청구항 118에 있어서,상기제 1 및 제 2 개구부들에 근접하여 배치되고 상기 고정 및 회전가능 단면들 사이로부터 마이크로웨이브 에너지의 누출을 억제하도록 구성된 마이크로웨이브 초크더 포함하는가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 129] 청구항 118에 있어서,의 속도로 상기 회전가능 단면을 회전시키는 액추에이터더 포함하는가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 130] 청구항 118에 있어서,상기 회전가능 단면은 원하는 위치로 회전을 통해수동조정되도록구성되는가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 131] 청구항 118에 있어서,상기 가변 위상 단락 회로는 결합기에 연결되고 복수의 물품들을 가열하는마이크로웨이브시스템내의위상시프팅디바이스이용되도록구성되는가변 위상 단락 회로 디바이스. [청구항 147] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 할당 디바이스들 중 2개 이상에 대한 상기미리 결정된전력 비율은 1:1이 아닌 마이크로웨이브 시스템. [청구항 148] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 할당 디바이스들은 상기 마이크로웨이브 론처들 각각으로부터 방출된전력의양거의동일하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 149] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 할당 디바이스들은 상기 마이크로웨이브 론처들 중 하나 이상으로부터 방출된 전력의 양이 상기 마이크로웨이브 론처들의 적어도 하나의 다른 것으로부터 방출된 마이크로웨이브 전력의 양구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 150] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 n 마이크로웨이브 론처들 및 상기 마이크로웨이브 생성기와 상기 n 마이크로웨이브 론처들 사이에 배치된 (n-1) 마이크로웨이브 할당 디바이스들포함하며,n은 적어도 4인 마이크로웨이브 시스템. [청구항 151] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 할당 디바이스들은 스플리터들, 유도성 아이리스들, 또는 그것의 조합들로 구성되는 그룹선택되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 152] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 제 1 측면 상에 배치되고 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 중심 축을 따라 서로 축방향이격되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 153] 청구항 7에 있어서,상기 마이크로웨이브 분배 시스템은 상기 마이크로웨이브 챔버의 제 2 측면 상에 배치된 적어도 3개의 부가 마이크로웨이브 론처들 및 상기 론처들 및 상기 부가 론처들로 지향되도록 상기 마이크로웨이브 에너지를 분리 부분들로 분할하는 마이크로웨이브 스플리터를 더 포함하며, 상기 부가 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 중심 축을 따라 서로 축방향이격되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 154] 청구항 8에 있어서,상기 스플리터와 상기 부가 론처들 사이에 배치되어 마이크로웨이브 에너지를 적어도 3개의 부가 부분들로 분할하는 적어도 3개 더 많은 마이크로웨이브 할당 디바이스들을 더 포함하며, 상기 부가 론처들은상기부가부분들을상기마이크로웨이브챔버방출하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 155] 청구항 9에 있어서,적어도 3개더 많은 마이크로웨이브 할당 디바이스들 중 적어도 하나는 1:1이 아닌 다른 미리 결정된 전력 비율에 따라 그것을 통해 통과하는상기마이크로웨이브에너지분할하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 156] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 가압 마이크로웨이브챔버인마이크로웨이브 시스템. [청구항 157] 청구항 146에 있어서,열중성자화된 물품들이 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입되기 전에 상기 물품들을 실질적인 균일 온도로 가열하는 열중성자화 구역더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 158] 청구항 146에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 식품들, 의료 유체들, 및/또는의료기구들의살균또는저온살균위해구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 159] 청구항 146에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 충전되고 적어도 15 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로상기패키지식품들살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 160] 마이크로웨이브 에너지를 사용하여 복수의 물품들을 가열하는 프로세스로서, (a) 마이크로웨이브 전력의 초기 양을 마이크로웨이브 분배 매니폴드로 도입하는 단계 (b) 상기 마이크로웨이브 전력의 초기 양을 제 1 론치 마이크로웨이브 부분 및 제 1 분배 마이크로웨이브 부분으로 분할하기 위해 상기 마이크로웨이브 분배 매니폴드를 사용하는 단계, 상기 제 1 론치 마이크로웨이브 부분 대 상기 제 1 분배 마이크로웨이브 부분의 전력 비율은 1 1이 아닌 상기 단계 (c) 상기 제 1 분배 마이크로웨이브 부분을 제 2 론치 마이크로웨이브 부분 및 제 2 분배 마이크로웨이브 부분으로 분할하기 위해 상기 마이크로웨이브 분배 매니폴드를 사용하는 단계 (d) 상기 제 1 론치 마이크로웨이브 부분을 제 1 마이크로웨이브 론처를 통해 마이크로웨이브 가열 챔버로 도입하는 단계; 및 (e) 상기 제 2 론치 마이크로웨이브 부분을 제 2 마이크로웨이브 론처를 통해 상기 마이크로웨이브 가열 챔버로 도입하는 단계를 포함하는 프로세스 [청구항 161] 청구항 160에 있어서,상기 제 1 론치 마이크로웨이브 부분 대 상기 제 1 분배 마이크로웨이브 부분의 전력 비율은1 미만인프로세스. [청구항 162] 청구항 160에 있어서,상기제 1 및 제 2 마이크로웨이브 론처들은 상기 마이크로웨이브 가열 챔버의 동일한 측면 상설치되는프로세스. [청구항 163] 청구항 160에 있어서,상기 마이크로웨이브 전력의 초기 양은 상기 제 1 마이크로웨이브 론처, 상기 제 2 마이크로웨이브 론처, 및 제 3 마이크로웨이브 론처만을 사용하여 상기 마이크로웨이브 챔버도입되는프로세스. [청구항 164] 청구항 163에 있어서,상기 전체 제 2 분배 마이크로웨이브 부분을 제 3 론치 마이크로웨이브 부분으로 사용하는 단계 및 상기 제 3 론치 마이크로웨이브 부분을 상기 제 3 마이크로웨이브 론처를 통해 상기 마이크로웨이브 가열 챔버로 도입하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 165] 청구항 163에 있어서,상기 제 2 론치 마이크로웨이브 부분 대 상기 제 2 분배 마이크로웨이브 부분의 전력 비율은 0.8:1 내지 1.2:1의범위에 있는프로세스. [청구항 166] 청구항 160에 있어서,상기 제 2 분배 마이크로웨이브 부분을 제 3 론치 마이크로웨이브 부분 및 제 3 분배 마이크로웨이브 부분으로 분할하기 위해 상기 마이크로웨이브 분배 매니폴드를 사용하는 단계, 및 상기 제 3 론치 마이크로웨이브 부분을 제 3 마이크로웨이브 론처를 통해 상기 마이크로웨이브 가열 챔버로 도입하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 168] 청구항 166에 있어서,상기 제 2 론치 마이크로웨이브 부분 대 상기 제 2 분배 마이크로웨이브 부분의 전력 비율은1 미만인프로세스. [청구항 169] 청구항 166에 있어서,상기 마이크로웨이브 전력의 초기 양은 상기 제 1 마이크로웨이브 론처, 상기 제 2 마이크로웨이브 론처, 상기 제 3 마이크로웨이브 론처, 및 제 4 마이크로웨이브 론처만을 사용하여 상기 마이크로웨이브 챔버도입되는프로세스. [청구항 170] 청구항 169에 있어서,상기 전체 제 3 분배 마이크로웨이브 부분을 제 4 론치 마이크로웨이브 부분으로 사용하는 단계 및 상기 제 4 론치 마이크로웨이브 부분을 상기 제 4 마이크로웨이브 론처를 통해 상기 마이크로웨이브 가열 챔버로 도입하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 마이크로웨이브 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 동일한 측면 상설치되는프로세스. [청구항 171] 청구항 170에 있어서,상기 제 3 론치 마이크로웨이브 부분 대 상기 제 3 분배 마이크로웨이브 부분의 전력 비율은 0.8:1 내지 1.2:1의범위에 있는프로세스. [청구항 172] 청구항 160에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버에서 물품들을 가열하는 단계를 더 포함하며, 상기 가열의 적어도 일부는 상기 제 1 및 제 2 마이크로웨이브 론처들을 통해 도입되는 마이크로웨이브 에너지에 의해 제공되고 상기 가열은 상기 물품들이 상기 마이크로웨이브 챔버를 통해 운반되고 있는 동안수행되는프로세스. [청구항 173] 청구항 172에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는상기가열동안액체충전되고가압되는프로세스. [청구항 174] 청구항 173에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들이며, 상기 가열은 상기 식품들의 살균 또는 저온 살균야기하는프로세스. [청구항 175] 청구항 174에 있어서,상기 가열은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 생산 레이트수행되는프로세스. [청구항 176] 마이크로웨이브 가열 시스템에서 복수의 물품들을 가열하는 연속 프로세스로서, (a) 열중성자화 구역(thermalization zone)에서 상기 물품들을 열중성자화시키는 단계로서, 그에 의해 실질적인 균일 온도를 갖는 복수의 열중성자화된 물품들을 제공하는, 상기 열중성자화시키는 단계 (b) 마이크로웨이브 가열 구역에서 상기 열중성자화된 물품들을 가열하는 단계로서, 그에 의해 각각의 물품의 평균 온도를 적어도 50℃만큼 증가시키는 단계로서, 상기 가열의 적어도 일부는 분당 적어도 25℃의 가열 레이트(heating rate)로 수행되는, 상기 가열하는 단계; 및 (c) 급랭 구역(quench zone)에서 상기 가열된 물품들을 냉각하는 단계를 포함하며, 상기 물품들은 하나 이상의 운반 시스템들을 통하여 상기 열중성자화 구역, 상기 마이크로웨이브 가열 구역, 상기 급랭 구역 각각을 통과하여 지나가고, 상기 마이크로웨이브 가열 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지(package)들의 총 생산 레이트를 갖는 연속 프로세스 [청구항 177] 청구항 176에 있어서,상기 열중성자화 구역은 액체 매체(liquid medium)로 적어도 부분적충전되는연속 프로세스. [청구항 178] 청구항 176에 있어서,상기 단계(b)의 가열 단계는 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버의 전체적으로 대향하는 측면들 상에 설치된 적어도 한 쌍의 대향 론처들을 통해 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 단계포함하는연속 프로세스. [청구항 179] 청구항 178에 있어서,상기 대향 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 중심 축을 따라서로에대해스태커되는연속 프로세스. [청구항 180] 청구항 178에 있어서,상기 대향 론처들은 대향하여마주보는론처들인연속 프로세스. [청구항 181] 청구항 176에 있어서,상기 단계(b)의 가열 단계는 적어도 일부는 적어도 10 psig의 압력 하수행되는연속 프로세스. [청구항 182] 청구항 176에 있어서,상기 마이크로웨이브 가열 구역은 액체 매체로 적어도 부분적으로 충전된 마이크로웨이브 챔버를 포함하며, 상기 단계 (b)의 가열 단계는 적어도 일부는 상기 액체 매체의 정상 끓는점(normal boiling point) 위의 온도수행되는연속 프로세스. [청구항 183] 청구항 176에 있어서,상기 단계(a)의 열중성자화시키는 단계 및/또는 상기 단계 (c)의 냉각시키는 단계의 적어도 일부는 상기 단계 (a)의 열중성자화시키는 단계 및/또는 상기 단계 (c)의 냉각시키는 단계의 적어도 일부 후에, 상기 물품들을 적어도 하나의 압력 조정 구역을 통과시키는 단계를 더 포함하여, 그에 의해 상기 열중성자화 구역 및 상기 마이크로웨이브 챔버 및/또는 상기 마이크로웨이브 챔버 및 상기 급랭 구역 사이의 압력을 적어도 부분적으로 동등화시켜 상기 가열 단계 (b)와 상이한 압력수행되는연속 프로세스. [청구항 184] 청구항 176에 있어서,상기 열중성자화 구역을 나가는 상기 물품들의 상기 실질적인 균일 온도이하인연속 프로세스. [청구항 185] 청구항 176에 있어서,상기 물품들은 상기 열중성자화 구역에서 적어도 2 분 및 20 분 이하의 평균 체류 시간갖는연속 프로세스. [청구항 186] 청구항 176에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버 내의 상기 물품들의 체류 시간은 적어도 30 초이고 10 분이하인연속 프로세스. [청구항 187] 청구항 176에 있어서,상기 단계(c)의 냉각 단계 전에, 상기 가열된 물품들을 유지 구역을 통해 전달하는 단계를 더 포함하며, 상기 물품들의 온도는 상기 유지 구역에서 적어도 2 분 및 15 분 이하의 시간 기간 동안 지정된 최소 온도 이상유지되는연속 프로세스. [청구항 188] 청구항 187에 있어서,상기 지정된 최소 온도는 적어도 120℃이고 상기 유지 구역은 적어도 10 psig의 압력에서 동작되는 액체 충전 챔버포함하는연속 프로세스. [청구항 189] 청구항 176에 있어서,상기 마이크로웨이브 가열 시스템은 가압 마이크로웨이브 시스템이고상기물품들을저온살균하고/멸균하는연속 프로세스. [청구항 190] 청구항 189에 있어서,상기 물품들은 식품들, 의료 유체들, 또는 의료 기구들을 수용하는 패키지들포함하는연속 프로세스. [청구항 191] 복수의 물품들을 가열하는 마이크로웨이브 시스템으로서, 상기 물품들을 실질적인 균일 온도로 연운동화시키는 열중성자화 챔버 상기 열중성자화 챔버의 하류에 배치되어 상기 열중성자화된 물품들을 가열하는 마이크로웨이브 가열 챔버로서, 분당 적어도 25℃의 가열 레이트로 적어도 50℃만큼 상기 물품들의 평균 온도를 증가시키도록 구성된 상기 마이크로웨이브 가열 챔버 상기 마이크로웨이브 가열 챔버의 하류에 배치되어 상기 가열된 물품들을 더 낮은 온도로 냉각시키는 급랭 챔버; 및 상기 물품들을 상기 열중성자화 챔버, 상기 마이크로웨이브 가열 챔버, 및 상기 급랭 챔버를 통해 수송하도록 구성된 적어도 하나의 운반 시스템으로서, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 총 생산 레이트를 달성하도록 구성되는 상기 적어도 하나의 운반 시스템을 포함하는 마이크로웨이브 시스템 [청구항 192] 청구항 191에 있어서,상기 마이크로웨이브 가열 챔버는 가압 마이크로웨이브 챔버 내에 적어도 부분적정의되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 193] 청구항 192에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 충전 마이크로웨이브챔버인마이크로웨이브 시스템. [청구항 194] 청구항 191에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버의 전체적으로 대향하는 측면들 상에 배치되어 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 적어도 한 쌍의 대향 마이크로웨이브 론처들더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 195] 청구항 194에 있어서,상기 대향 론처들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 중심 축을 따라 서로에 대해 스태거되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 196] 청구항 194에 있어서,상기 대향 론처들은 대향하여마주보는론처들인마이크로웨이브 시스템. [청구항 197] 청구항 191에 있어서,상기 마이크로웨이브 가열 챔버와 상기 급랭 챔버 사이에 배치되어 적어도 2 분 동안 최소 온도 위에서 상기 가열된 물품들의 온도를 유지하는 유지 챔버더 포함하는마이크로웨이브 시스템. [청구항 198] 청구항 197에 있어서,상기 유지 챔버는 액체 매체로 적어도 부분적충전되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 199] 청구항 191에 있어서,상기 열중성자화 챔버와 상기 마이크로웨이브 가열 챔버 사이에 각각 배치된 제 1 압력 조정 챔버 및 상기 급랭 챔버의 하류에 배치된 제 2 압력 조정 챔버를 더 포함하며, 상기 제 1 압력 조정 챔버는 물품들을 상기 열중성자화 챔버로부터 상기 마이크로웨이브 가열 챔버로 전이시키도록 구성되고 상기 제 2 압력 조정 챔버는 상기 급랭 챔버로부ㅠ터 상기 물품들을 전이시키도록 구성되고, 상기 열중성자화 챔버는 상기 마이크로웨이브 가열 챔버 및/또는 상기 급랭 챔버와 상이한압력동작하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 200] 청구항 191에 있어서,상기 마이크로웨이브 시스템은 식품들, 의료 유체들, 및/또는의료기구들의살균또는저온살균위해구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 201] 청구항 191에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하며, 상기 마이크로웨이브 챔버는 물 충전되고 적어도 15 psig로 가압되도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 25 패키지들의 레이트로상기패키지식품들살균하도록구성되는마이크로웨이브 시스템. [청구항 202] 마이크로웨이브 가열 시스템에서 복수의 물품들을 가열하는 프로세스로서, (a) 상기 물품들을 가압 마이크로웨이브 챔버를 통해 운반 시스템에 의해 전달하는 단계로서, 상기 마이크로웨이브 챔버는 액체 매체로 적어도 부분적으로 충전되는 상기 단계 (b) 마이크로웨이브 에너지를 하나 이상의 마이크로웨이브 생성기들을 통해 생성하는 단계 (c) 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 하나 이상의 마이크로웨이브 론처들을 통해 상기 마이크로웨이브 챔버로 도입하는 단계 (d) 그 안에 도입된 상기 마이크로웨이브 에너지의 적어도 일부를 사용하여 상기 마이크로웨이브 챔버에서 상기 물품들을 가열하는 단계; 및 (e) 상기 가열 단계 (d)의 적어도 일부 동안, 상기 마이크로웨이브 챔버 내에서 상기 액체 매체의 적어도 일부를 교반시키는 단계로서, 복수의 유체 제트들을 상기 마이크로웨이브 챔버 내의 다수의 위치들에서 상기 물품들을 향해 방출하는 단계를 포함하는 상기 단계를 포함하는 프로세스 [청구항 203] 청구항 202에 있어서,상기 다수의 위치들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 중심 축을 따라 축방향으로 이격되며, 상기 제트들의 적어도 일부는 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 상기 중심 축에 전체적으로 수직인 방향지향되는프로세스. [청구항 204] 청구항 202에 있어서,상기 다수의 위치들은 상기 마이크로웨이브 챔버의 내부 단면을 따라 주위에 이격되며, 상기 제트들의 적어도 일부는 상기 마이크로웨이브 챔버의 확장의 중심 축을 향해 내부로 방사상지향되는프로세스. [청구항 205] 청구항 202에 있어서,상기 가열 단계(d)는 적어도 50℃만큼상기물품들의온도증가시킬수있는프로세스. [청구항 206] 청구항 202에 있어서,상기 가열 단계(d)는 분당 최소 25℃의 가열 레이트수행되는프로세스. [청구항 207] 청구항 202에 있어서,상기 도입 단계(c)는 마이크로웨이브 에너지를 상기 마이크로웨이브 챔버의 동일한 측면 상에 배치된 적어도 한 쌍의 축방향 이격된 마이크로웨이브 론처들을 통해 상기 마이크로웨이브 챔버로 방출하는 단계를 포함하며, 상기 교반 단계는 축방향 인접 마이크로웨이브 론처들 사이에 배치된 하나 이상의 제트 매니폴드들로부터 상기 유체 제트들을 방출하는 단계포함하는프로세스. [청구항 208] 청구항 202에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버로도입되는상기 유체 제트들 각각의 레이놀즈 수는 적어도 4500인 프로세스. [청구항 209] 청구항 202에 있어서,상기 가열 단계(d) 후에, 상기 가열된 물품들을 유지 구역을 통해 전달하는 단계를 더 포함하며, 상기 유지 구역 내의 상기 물품들의 온도는 적어도 2 분 및 15 분 이하의 시간 기간 동안 지정된 최소 온도 이상유지되는프로세스. [청구항 210] 청구항 209에 있어서,상기 지정된 최소 온도는 적어도 120℃이고 상기 유지 구역은 적어도 10 psig의 압력갖는프로세스. [청구항 211] 청구항 202에 있어서,상기 전달 단계(a) 전에, 열중성자화 구역에서 상기 물품들을 열중성자화시키는 것에 의해 상기 물품들의 온도를 실질적인 균일 온도로 조정하는 단계를 더 포함하며, 상기 열중성자화된 물품들은 단계 (a)에서상기마이크로웨이브챔버통해전달되는프로세스. [청구항 212] 청구항 202에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 물을 포함하는 액체 매체로 적어도 부분적으로 충전되고 적어도 10 psig로 가압되며, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로 상기 물품들살균하는프로세스. [청구항 213] 청구항 212에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들, 의료 기구들, 및/또는 의료 유체들포함하는프로세스. [청구항 214] 마이크로웨이브 가열 시스템에서 복수의 물품들을 가열하는 프로세스로서, (a) 열중성자화 챔버 액체 매체로 적어도 부분적으로 충전된 열중성자화 매체에서 상기 물품들을 열중성자화시키는 것에 의해 실질적인 균일 온도를 갖는 열중성자화된 물품들을 생성하는 단계; 및 (b) 마이크로웨이브 챔버에서 상기 열중성자화된 물품들을 가열하는 단계를 포함하며, 상기 단계 (a)의 열중성자화시키는 단계는 상기 액체 매체의 복수의 제트들을 상기 열중성자화 챔버 내의 다수의 위치들에서 상기 물품들을 향해 방출하는 단계를 포함하는 프로세스 [청구항 215] 청구항 214에 있어서,상기 다수의 위치들은 상기 열중성자화 챔버의 확장의 중심 축을 따라 축방향으로 이격되며, 상기 제트들의 적어도 일부는 상기 열중성자화 챔버의 확장의 상기 중심 축에 전체적으로 수직인 방향지향되는프로세스. [청구항 216] 청구항 214에 있어서,상기 다수의 위치들은 상기 열중성자화 챔버의 내부 단면을 따라 주위에 이격되며, 상기 제트들의 적어도 일부는 상기 열중성자화 챔버의 확장의 중심 축을 향해 내부로 방사상지향되는프로세스. [청구항 217] 청구항 214에 있어서,상기 열중성자화 구역을 나가는 상기 물품들의 상기 실질적인 균일 온도이하인프로세스. [청구항 218] 청구항 214에 있어서,상기 물품들은 상기 열중성자화 구역에서 적어도 2 분 및 20 분 이하의 평균 체류 시간갖는프로세스. [청구항 219] 청구항 214에 있어서,상기 열중성자화 챔버로도입되는상기 제트들 각각의 레이놀즈 수는 적어도 4500인 프로세스. [청구항 220] 청구항 214에 있어서,상기 가열 단계(b) 후에, 상기 가열된 물품들을 유지 구역을 통해 전달하는 단계를 더 포함하며, 상기 물품들의 온도는 상기 유지 구역 내에서 적어도 2 분 및 15 분 이하의 시간 기간 동안 지정된 최소 온도 이상유지되는프로세스. [청구항 221] 청구항 214에 있어서,상기 열중성자화 챔버 내의 상기 액체 매체는 물포함하는프로세스. [청구항 222] 청구항 214에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 상기 액체 매체로 적어도 부분적충전되는프로세스. [청구항 223] 청구항 222에 있어서,상기 가열 단계(b)는 상기 마이크로웨이브 챔버 내에서 상기 액체 매체의 적어도 일부를 교반시키는 단계를 포함하며, 상기 교반 단계는 복수의 유체 제트들을 상기 마이크로웨이브 챔버 내의 다수의 위치들에서 상기 물품들을 향해 방출하는 단계포함하는프로세스. [청구항 224] 청구항 214에 있어서,상기 가열 단계(b)는 적어도 50℃만큼 각각의 물품의 평균 온도를 증가시키기 위해 수행되며, 상기 가열의 적어도 일부는 분당 적어도 25℃의 가열 레이트수행되는프로세스. [청구항 225] 청구항 214에 있어서,상기 물품들은 식품들, 의료 유체들, 및/또는 의료 기구들포함하는프로세스. [청구항 226] 청구항 214에 있어서,상기 마이크로웨이브 챔버는 상기 단계 (b)의 가열 단계는 적어도 일부 동안 적어도 10 psig로 가압된 액체 충전 챔버이며, 상기 마이크로웨이브 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로상기물품들을저온살균하고/멸균하는프로세스. [청구항 243] 청구항 242에 있어서,상기 밀봉 플레이트들각각은 상기 밀봉 플레이트가 상기 밀봉 위치에 있을 때 상기 밀봉 표면들과 맞물리는 탄성 시일 부재포함하는로킹 게이트 디바이스. [청구항 244] 청구항 242에 있어서,상기 밀봉 플레이트들은 상기 밀봉되지 않은 위치를 향해 바이어싱되는로킹 게이트 디바이스. [청구항 245] 청구항 244에 있어서,상기 게이트 어셈블리는 상기 밀봉 플레이트들을 상기 밀봉되지 않은 위치를 향해 바이어싱하는 적어도 하나의 스프링더 포함하는로킹 게이트 디바이스. [청구항 246] 청구항 242에 있어서,상기 게이트 어셈블리는 상기 밀봉 플레이트들 사이에 배치된 적어도 3 쌍의 베어링들포함하는로킹 게이트 디바이스. [청구항 247] 청구항 242에 있어서,상기 쌍의 베어링들 중 하나는 상기 구동 부재와 상기 밀봉 플레이트들 중 하나 사이에 배치되며, 상기 밀봉 플레이트는 상기 구동 부재가 상기 게이트 수용 공간 내에서 이동함에 따라 상기 하나의 베어링과 상기 밀봉 플레이트의 표면 사이에서 접촉을 허용하도록 구성된 상기 밀봉 플레이트의 표면의 적어도 일부를 따라 확장되는 베어링 슬롯더 포함하는로킹 게이트 디바이스. [청구항 248] 청구항 247에 있어서,상기 베어링 슬롯nan은경사각도배향되는램프인로킹 게이트 디바이스. [청구항 249] 청구항 242에 있어서,상기 베어링들 중 하나 이상은 상기 구동 부재 및/또는 상기 밀봉 플레이트들 중 상기 적어도 하나에 물리적결합되는로킹 게이트 디바이스. [청구항 250] 청구항 249에 있어서,상기 구동 부재는 상기 쌍의 베어링들 중 하나를 수용하도록 구성되는 적어도 하나의 하우징더 포함하는로킹 게이트 디바이스. [청구항 251] 청구항 242에 있어서,상기 로킹 게이트 디바이스는 적어도 10 psig의 압력에서 동작되도록 구성되는 가압 챔버에서의사용위해구성되는로킹 게이트 디바이스. [청구항 252] 청구항 242에 있어서,상기 로킹 게이트 디바이스는 적어도 15 psig의 압력에서 동작되도록 구성되는 액체 충전 챔버에서의사용위해구성되는로킹 게이트 디바이스. [청구항 263] 청구항 262에 있어서,및 제 2 평형 밸브들을 더 포함하며, 상기 제 1 평형 밸브는 상기 열중성자화 및 압력 조정 챔버들을 선택적으로 연결하고, 상기 제 2 평형 밸브는 상기 마이크로웨이브 및 압력 조정 챔버들을 선택적연결하는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 264] 청구항 262에 있어서,상기제 1 및 제 2 로킹 게이트 밸브들에 각각 결합된 제 1 및 제 2 체크 밸브들더 포함하는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 265] 청구항 262에 있어서,상기 압력 조정 챔버에 배치되고 상기 물품들을 지지하도록 구성된 플랫폼더 포함하는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 266] 청구항 262에 있어서,열중성자화 운반 시스템 및 마이크로웨이브 운반 시스템을 더 포함하며, 상기 열중성자화 운반 시스템은 상기 물품들을 상기 열중성자화 챔버를 통해 상기 압력 조정 챔버를 향해 운반하도록 구성되고, 상기 마이크로웨이브 운반 시스템은 상기 물품들을 상기 마이크로웨이브 챔버를 통해 상기 압력 조정 챔버로부터 떨어져서운반하도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 267] 청구항 266에 있어서,및 제 2 물품 이송 디바이스들을 포함하는 자동 물품 이송 시스템을 더 포함하며, 상기 제 1 물품 이송 디바이스는 상기 물품들을 상기 열중성자화 운반 시스템으로부터, 상기 제 1 로킹 게이트 밸브를 통해, 그리고 상기 압력 조정 챔버로 이송하도록 구성되고, 상기 제 2 물품 이송 디바이스는 상기 물품들을 상기 압력 조정 챔버로부터, 상기 제 2 로킹 게이트 밸브를 통해,그리고상기마이크로웨이브챔버이송하도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 268] 청구항 267에 있어서,상기제 1 및/또는상기제2물품이송디바이스들의적어도일부고정되도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 269] 청구항 267에 있어서,상기제 1 및/또는 상기 제 2 물품 이송 디바이스들의 적어도 일부는 확장되고/수축되도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 270] 청구항 269에 있어서,상기제 1 및/또는 상기 제 2 물품 이송 디바이스들은 상기 압력 조정 챔버 내에 배치되고 물품들을 상기 압력 조정 챔버로 및/또는 이 챔버로부터 수송하기 위해 상기 열중성자화 챔버 및/또는상기마이크로웨이브챔버확장되도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 271] 청구항 270에 있어서,상기제 1 및/또는 상기 제 2 물품 이송 디바이스들은 상기 열중성자화 챔버 및/또는 상기 마이크로웨이브 챔버 내에 배치되고 물품들을 상기 압력 조정 챔버로 및/또는 이 챔버로부터 수송하기 위해상기압력조정챔버확장되도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 272] 청구항 267에 있어서,및 제 2 로킹 게이트 밸브들및 상기 제 1 및 제 2 물품 이송 시스템들에 결합된 자동 제어 시스템을 더 포함하며, 상기 상기 제어 시스템은 상기 물품들의 자동 이송을 상기 열중성자화 챔버로부터 상기 압력 로크 시스템을 통해 상기 마이크로웨이브 챔버로 용이하게 하기 위해상기로킹게이트들및이송시스템들제어하도록프로그램되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 273] 청구항 272에 있어서,및 제 2 평형 밸브들을 더 포함하며, 상기 제 1 평형 밸브는 상기 열중성자화 및 압력 조정 챔버들을 선택적으로 연결하고, 상기 제 2 평형 밸브는 상기 마이크로웨이브 및 압력 조정 챔버들을 선택적으로 연결하고, 상기 제어 시스템은 상기 제 1 및 제 2 평형 밸브들에 동작가능하게 결합되고, 상기 제어 시스템은 상기 물품 이송 시스템들 및 상기 게이트 밸브들의 제어와 협력하여 상기 평형 밸브들을 자동으로 개방하고 폐쇄하는 것에 의해 상기 압력 조정 챔버에서 압력 조정프로그램되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 274] 청구항 262에 있어서,상기 액체 충전 마이크로웨이브 챔버를 나가는 가열된 물품들을 수용하도록 구성된 액체 충전 유지 챔버 및 상기 유지 챔버로부터 인출되는 물품들을 수용하도록 구성된 액체 충전 급행 구역더 포함하는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 275] 청구항 274에 있어서,제 2 압력 조정 챔버, 제 3 로킹 게이트 밸브, 및 제 4 로킹 게이트 밸브를 포함하는 제 2 압력 로크 시스템을 더 포함하며, 상기 제 2 압력 로크 시스템은 상기 압력 로크 시스템과 유사한 구성을 갖고, 상기 제 2 압력 로크 시스템은 상기 유지 구역의 하류배치되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 276] 청구항 275에 있어서,상기 급랭 구역은 고압 부분 및 저압 부분을 포함하며, 상기 제 3 로킹 게이트 밸브는 상기 급랭 구역의 상기 고압 부분과 상기 제 2 압력 조정 챔버 사이에 결합되고 상기 제 4 로킹 게이트 밸브는 상기 압력 조정 챔버와 상기 급랭 구역의 상기 저압 부분 사이결합되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 277] 청구항 276에 있어서,상기 급랭 구역의 상기 고압 부분 및 상기 저압 부분 각각은 액체충전되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 278] 청구항 262에 있어서,상기 열중성자화 챔버및/또는 상기 마이크로웨이브 챔버는 적어도 15 psig의압력동작되도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 279] 청구항 262에 있어서,상기 마이크로웨이브 가열 시스템은 상기 물품들을 저온 살균하고/살균하도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 280] 청구항 279에 있어서,상기 물품들은 패키지 식품들을 포함하고 상기 마이크로웨이브 가열 시스템은 운반 라인당 분당 적어도 20 패키지들의 레이트로상기패키지식품들살균하도록구성되는마이크로웨이브 가열 시스템. [청구항 281] 마이크로웨이브 가열 시스템에서 복수의 물품들을 가열하는 프로세스로서, (a) 복수의 물품들을 액체 충전 열중성자화 구역을 통해 전달하는 것에 의해 복수의 열중성자화된 물품들을 제공하는 단계 (b) 상기 열중성자화된 물품들의 적어도 일부를 압력 조정 구역으로 도입하는 단계로서, 상기 압력 조정 구역은 제 1 및 제 2 로킹 게이트 밸브 사이에 적어도 부분적으로 정의되고, 상기 제 1 로킹 게이트 밸브들은 상기 도입의 적어도 일부 동안 제 1 개방 위치에 있는 상기 단계 (c) 상기 열중성자화된 물품들이 상기 압력 조정 구역으로 도입된 후에, 상기 제 1 로킹 게이트 밸브를 상기 제 1 개방 위치로부터 제 1 폐쇄 위치로 시프트시키는 것에 의해 상기 열중성자화 구역으로부터 상기 압력 조정 구역을 실질적으로 분리하는 단계 (d) 상기 물품들이 상기 압력 조정 구역으로부터 액체 충전 마이크로웨이브 가열 구역으로 이송되는 것을 허용하기 위해 상기 제 2 로킹 게이트 밸브를 제 2 폐쇄 위치로부터 제 2 개방 위치로 시프트시키는 단계; 및 (e) 상기 물품들이 상기 압력 조정 구역으로부터 제거된 후에, 상기 제 2 로킹 게이트 밸브를 다시 상기 제 2 개방 위치로부터 상기 제 2 폐쇄 위치로 시프트시키는 것에 의해 상기 마이크로웨이브 가열 구역으로부터 상기 압력 조정 구역을 재분리하는 단계를 포함하는 프로세스 [청구항 283] 청구항 281에 있어서,상기 도입 단계(b)는 상기 제 1 폐쇄 위치로부터 상기 제 1 로킹 게이트 밸브를 시프트시키는 단계로서, 상기 열중성자화 구역 및 상기 압력 조정 구역은 서로로부터 상기 제 1 개방 위치로 실질적으로 분리되는 상기 단계 및 상기 물품들을 상기 제 1 로킹 게이트 밸브 내에 또는 이 밸드에 의해 정의되는 플로 스루 개구부를 통해 그리고 상기 압력 조정 구역으로 수송하는 단계포함하는프로세스. [청구항 284] 청구항 281에 있어서,상기 스프트 단계(c) 전에, 상기 열중성자화 구역을 상기 압력 조정 구역과 유체 연결하고 상기 열중성자화 구역 및 상기 압력 조정 구역의 압력들이 상기 제 1 로킹 게이트 밸브를 상기 제 1 개방 위치로 시프트시키기 전에 실질적으로 동등화되는 것을 허용하는 제 1 동등화 밸브를 개방하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 285] 청구항 284에 있어서,단계(d) 전에, 상기 압력 조정 구역 및 상기 마이크로웨이브 가열 구역을 유체 연결하고 상기 압력 조정 구역 및 상기 마이크로웨이브 가열 구역의 압력이 상기 제 2 로킹 게이트 밸브를 상기 제 2 개방 위치로 시프트시키기 전에 실질적으로 동등화되는 것을 허용하는 제 2 동등화 밸브를 개방하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 286] 청구항 285에 있어서,단계(c)에서 상기 제 1 로킹 게이트 밸브의 상기 시프트 후이지만, 상기 제 2 동등화 밸브의 개방 전에 상기 제 1 동등화 밸브를 폐쇄하는 단계; 및 상기 시프트 단계 (e) 후에 상기 제 2 동등화 밸브를 폐쇄하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 287] 청구항 281에 있어서,상기 도입 단계(b)의 적어도 일부는자동물품이송디바이스사용하여수행되는프로세스. [청구항 288] 청구항 287에 있어서,상기 자동 물품 이송 디바이스의 적어도 일부는 상기 압력 조정 구역 내에 배치되며, 상기 도입 단계 (b)는 상기 자동 물품 이송 디바이스의 적어도 일부를 상기 압력 조정 구역으로부터 상기 열중성자화 구역으로 확장하는 단계 및 그 안에 상기 물품들을 도입하기 위해 상기 물품 이송 디바이스의 확장된 부분을 다시 상기 압력 조정 구역으로 인출하는 단계포함하는프로세스. [청구항 289] 청구항 281에 있어서,복수의 물품들로 단계들 (a) 내지 (e)를 반복하는 단계더 포함하는프로세스. [청구항 290] 청구항 281에 있어서,상기 물품들은 복수의 패키지 식품들, 의료 유체들, 또는 의료 기구들을 포함하고 상기 마이크로웨이브 가열 시스템은 운반 라인당 적어도 20 패키지들의 생산 레이트갖는프로세스.