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전자, 광전자, 광학 또는 광자 컴포넌트를 위한 서브마운트 document_id 1020147032309

출원번호
1020147032309
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 일정량의 강성의 서브마운트 재료로 형성되는 서브마운트를 포함하는 장치로서, (a) 상기 서브마운트의 상부면은 컴포넌트를 상기 서브마운트의 상부면에 부착하기 위해 배열되는 대응하는 접촉 영역들 상에 형성되는 하나 이상의 금속 접촉부를 포함하고 (b) 상기 하나 이상의 접촉 영역들은 (i) 서브마운트 상부면의 하나 이상의 돌출된 영역에 비해 오목하고 (ii) 오목한 영역 내에 적어도 부분적으로 위치하는 부착되는 컴포넌트를 수용하는 크기 및 형상인 서브마운트 상부면의 영역 상에 위치하고 (c) 하나 이상의 돌출된 영역은 다이 본더의 픽업툴을 체결하고 상기 다이 본더가 상기 픽업툴과 상기 오목한 영역 사이의 실질적인 접촉 없이 서브마운트를 기판에 부착하는 것을 가능하게 하는 표면을 형성하는, 서브마운트를 포함하는 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 서브마운트 재료가 작동 파장 범위(operational wavelength range)에 걸쳐 실질적으로 투명하고;(e) 상기 서브마운트가 광신호의 일부분을 일정량의 반도체 재료 내에 전파되도록 지정하거나(direct) 전송하기 위해 배열되어, 상기 광신호의 적어도 일부분이 상기 서브마운트의 상부면의 전송 영역을 통해 전송되고; (f) 상기 하나 이상의 금속 접촉부는, 상기 컴포넌트가 (i) 상기 전송 영역을 통해 상기 서브마운트를 나가는 상기 광신호의 전송된 일부분을 수신하거나, (ii) 상기 광신호를 발사하여 상기 광신호의 전송된 일부분이 상기 일정량의 반도체 내에 전파되기 위해 상기 전송 영역을 통해 상기 서브마운트에 들어가는 것을 가능하게 하는 위치에서 상기 서브마운트의 상부면에 부착되도록 배열되는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 서브마운트 재료가 반도체 재료인 것인, 서브마운트포함하는장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 반도체 재료가 도핑 또는 비도핑 실리콘인 것인, 서브마운트포함하는장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 서브마운트 재료가 유전체 재료인 것인, 서브마운트포함하는장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 유전체 재료가 (i) 유리질 물질, (ii) 결정성 물질, (iii) 세라믹 물질, (iv) 금속 산화물, 질화물, 또는 산화질화물, 또는 (v) 반도체 산화물, 질화물, 또는 산화질화물을 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 서브마운트의 상부면은 각 접촉 영역 상에 대응하는 하나 이상의 금속 범프를 포함하고 각 금속 범프는 상기 하나 이상의 돌출된 영역의 표면 위로 상향하여 연장하지 않으며, 이로써 상기 다이 본더가 상기 픽업툴과 상기 하나 이상의 금속 범프 사이에 실질적인 접촉 없이 상기 서브마운트를 도파관 기판에 부착하는 것을 가능하게 하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,금속 범프는 금, 알루미늄 또는 솔더를 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 오목한 영역 내에 적어도 부분적으로 수용되고 상기 금속 접촉부를 통해 서브마운트 상부면에 부착되는 전자, 광학, 광전자 또는 광자 컴포넌트를 더 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 금속 접촉부가 와이어-본딩 영역을 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 돌출된 영역이 상부면으로부터 돌출되는 일정량의 서브마운트 재료의 하나 이상의 부분을 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 돌출된 영역이 상기 서브마운트 재료와 상이한 재료를 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 하나 이상의 돌출된 영역이 (i) 유리질 물질, (ii) 결정성 물질, (iii) 세라믹 물질, (iv) 금속 또는 금속 합금, (v) 반도체 재료, (vi) 금속 산화물, 질화물. 또는 산화질화물, 또는 (vii) 반도체 산화물, 질화물, 또는 산화질화물을 포함하는, 서브마운트포함하는장치. [청구항 14] 작동 파장 범위에 걸쳐 실질적으로 투명한 일정량의 반도체 재료로 형성되는 광학 서브마운트를 포함하는 장치로서, (a) 상기 서브마운트가 광신호의 일부분을 상기 일정량의 반도체 재료 내에 전파되도록 지정하거나 전송하기 위해 배열되어, 상기 광신호의 적어도 일부분이 상기 서브마운트의 상부면의 전송 영역을 통해 전송되고 (b) 상기 서브마운트의 상부면은, 전송 영역과 별개이고, 상기 컴포넌트가 (i) 상기 전송 영역을 통해 서브마운트를 나가는 상기 광신호의 전송된 일부분을 수신하거나, (ii) 상기 광신호를 발사하여 상기 광신호의 전송된 일부분이 상기 일정량의 반도체 내에 전파되기 위해 상기 전송 영역을 통해 상기 서브마운트에 들어가는 것을 가능하게 하는 위치에서 광전자 컴포넌트를 상기 서브마운트의 상부면에 부착하도록 배열되는, 대응하는 접촉 영역들 상에 형성되는 둘 이상의 개별의 금속 접촉부를 포함하고 (c) 상기 상부면은 각 금속 접촉부와 반도체 재료 사이의 제1 유전체층의 대응하는 영역을 포함하고 (d) 상기 제1 유전체층의 영역들은 비-인접하여 이로써 상기 금속 접촉부가 둘 이상의 금속 접촉부와 반도체 재료 사이에 연장하는 제1 유전체층의 단일의 인접 영역으로 나타나는 커패시턴스에 비하여 감소된 커패시턴스를 나타내도록 하는, 광학 서브마운트를 포함하는 장치 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 접촉 영역은, 광검출기가 상기 전송 영역을 통해 서브마운트를 나가는 상기 광신호의 전송된 일부분을 수신하는 것을 가능하게 하는 위치에서 광검출기를 상기 서브마운트의 상부면에 부착하도록 배열되는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,광검출기가 상기 전송 영역을 통해 서브마운트를 나가는 상기 광신호의 전송된 일부분을 수신하는 것을 가능하게 하는 위치에서 상기 서브마운트의 상부면에 부착되는 광검출기를 더 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 접촉 영역은, 광소스가 광신호를 발사하여 상기 광신호의 일부분이 상기 전송 영역을 통해 서브마운트로 들어가는 것을 가능하게 하는 위치에서 광소스를 상기 서브마운트의 상부면에 부착하도록 배열되는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,광소스가 광신호를 발사하여 상기 광신호의 일부분이 상기 전송 영역을 통해 서브마운트에 들어가는 것을 가능하게 하는 위치에서 상기 서브마운트의 상부면에 부착되는 광소스를 더 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 19] 제14항에 있어서,상기 반도체 재료가 도핑 또는 비도핑 실리콘인 것인, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 20] 제14항에 있어서,상기 하나 이상의 금속 접촉부가 와이어-본딩 영역을 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 21] 제14항에 있어서,상기 서브마운트의 상부면이 상기 전송 영역 상에 형성된 유전체 반사-방지층(anti-reflection layer)을 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 22] 제14항에 있어서,상기 제1 유전체층이 금속 산화물 또는 반도체 산화물을 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 23] 제14항에 있어서,상기 제1 유전체층의 두께가 약 1 ㎛ 보다 큰, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 24] 제14항에 있어서,상기 제1 유전체층의 두께가 약 2 ㎛ 보다 큰, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 25] 제14항에 있어서,상기 서브마운트의 상부면이 상기 전송 영역 상에 형성된 유전체 반사-방지층을 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 26] 제14항에 있어서,상기 서브마운트의 상부면이 상기 전송 영역 상에 형성되는 유전체 반사-방지층을 포함하고, (ii) 상기 제1 유전체층과 상기 유전체 반사-방지층이 동일한 두께 및 재료 조성물을 갖는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 27] 제14항에 있어서,상기 서브마운트의 상부면이 상기 전송 영역 상에 형성되는 유전체 반사-방지층을 포함하고, (ii) 상기 제1 유전체층과 상기 유전체 반사-방지층이 두께 또는 재료 조성물에 대하여 상이한, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 상부면이 각 금속 접촉부 영역과 상기 제1 유전체층의 대응하는 영역 사이에 상기 유전체 반사-방지층의 대응하는 추가 영역을 포함하고, (ii) 상기 유전체 반사-방지층의 추가 영역들은 비-인접하여 이로써 상기 금속 접촉부가 상기 금속 접촉부와 상기 제1 유전체층의 영역 사이의 상기 유전체 반사-방지층의 단일의 인접 영역으로 나타나는 커패시턴스에 비하여 감소된 커패시턴스를 나타내도록 하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 29] 제14항에 있어서,상기 전송 영역과 둘 이상의 접촉 영역이, (i) 서브마운트 상부면의 하나 이상의 돌출된 영역들에 비하여 오목하고 (ii) 부착된 광검출기를 수용하는 크기 및 형상인 서브마운트 상부면의 영역 상에 위치하고; (f) 상기 하나 이상의 돌출된 영역들은, 다이 본더의 픽업툴을 체결하고 상기 다이 본더가 상기 픽업툴과 오목한 영역 사이에 실질적인 접촉 없이 서브마운트를 도파관 기판에 부착하는 것을 가능하게 하는 표면을 형성하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 서브마운트의 상부면은 각 접촉 영역 상에 대응하는 하나 이상의 금속 범프를 포함하고 각 금속 범프는 상기 하나 이상의 돌출된 영역의 표면 위로 상향하여 연장하지 않으며, 이로써 상기 다이 본더가 상기 픽업툴과 상기 하나 이상의 금속 범프 사이에 실질적인 접촉 없이 상기 서브마운트를 도파관 기판에 부착하는 것을 가능하게 하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 31] 제30항에 있어서,금속 범프는 금, 알루미늄, 또는 솔더를 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 32] 제29항에 있어서,상기 하나 이상의 돌출된 영역이 서브마운트의 상부면으로부터 돌출되는 일정량의 반도체 재료의 하나 이상의 부분을 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 33] 제29항에 있어서,상기 하나 이상의 돌출된 영역이 상기 반도체 재료와 상이한 재료를 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 하나 이상의 돌출된 영역이 유리질 물질, 결정성 물질, 세라믹 물질, 금속 산화물, 또는 반도체 산화물을 포함하는, 광학 서브마운트포함하는장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
광학 서브마운트에서 제1 유전체층의 영역들이 비-인접하게 배치됨으로써 얻을 수 있는 효과는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    광학 서브마운트 내 제1 유전체층의 영역들이 비-인접하게 배치되었을 때 발생하는 기술적 효과를 찾는다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 14항에서 제1 유전체층의 영역들이 비-인접하게 배치된다는 구성과 그에 따른 효과를 기술하고 있다.

    • 상기 제1 유전체층의 영역들은 비-인접하여 이로써 상기 금속 접촉부가 둘 이상의 금속 접촉부와 반도체 재료 사이에 연장하는 제1 유전체층의 단일의 인접 영역으로 나타나는 커패시턴스에 비하여 감소된 커패시턴스를 나타내도록 하는, 광학 서브마운트를 포함하는 장치
  3. 3근거 선택evidence_selection

    비-인접 배치의 결과로 나타나는 '감소된 커패시턴스'에 관한 구절을 선택한다.

    • 상기 금속 접촉부가 둘 이상의 금속 접촉부와 반도체 재료 사이에 연장하는 제1 유전체층의 단일의 인접 영역으로 나타나는 커패시턴스에 비하여 감소된 커패시턴스를 나타내도록 하는
  4. 4논리 통합logical_integration

    제1 유전체층의 영역들이 비-인접하게 배치되면, 인접 영역으로 인해 발생할 수 있는 커패시턴스보다 낮은 커패시턴스를 나타내게 된다.

    • 상기 제1 유전체층의 영역들은 비-인접하여 이로써 상기 금속 접촉부가 둘 이상의 금속 접촉부와 반도체 재료 사이에 연장하는 제1 유전체층의 단일의 인접 영역으로 나타나는 커패시턴스에 비하여 감소된 커패시턴스를 나타내도록 하는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 직접적인 답변으로, 커패시턴스를 감소시키는 효과를 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
상기 금속 접촉부가 둘 이상의 금속 접촉부와 반도체 재료 사이에 연장하는 제1 유전체층의 단일의 인접 영역으로 나타나는 커패시턴스에 비하여 감소된 커패시턴스를 나타내도록 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
광학 서브마운트의 제1 유전체층 영역을 비-인접하게 배치함으로써, 금속 접촉부와 반도체 재료 사이에서 발생할 수 있는 커패시턴스를 감소시키는 기술적 구성을 나타낸다.