유기 반도체 document_id 1020147036696

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,2 가 비치환 또는 하나 이상의 f 원자에 의해 치환된 탄소수 1 내지 30 의 직쇄,분지형또는시클릭알킬나타내는것을특징으로 하는화합물. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,2 가o 를나타내는것을특징으로 하는화합물. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,2 중 하나가 h 이고, 다른 하나가 h 가 아닌 것특징으로 하는화합물. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,하나 이상의 화학식i 의 단위를 포함하는중합체인것을특징으로 하는화합물. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,하나 이상의 화학식iia 또는 iib 의 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 중합체로서,-[(ar1)a-(u)b-(ar2)c-(ar3)d]-iia-[(u)b-(ar1)a-(u)b-(ar2)c-(ar3)d]-iib[식 중,u는 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같은 화학식 i 의 단위이고,ar1, ar2, ar3은, 각각의 경우 동일하거나 상이하게 및 서로 독립적으로, u 와 상이하고, 바람직하게는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고, 바람직하게는 하나 이상의 rs 기에 의해 임의로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴이고,rs 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게, f, br, cl, -cn, -nc, -nco, -ncs, -ocn, -scn, -c(o)nr0r00, -c(o)x0, -c(o)r0, -nh2, -nr0r00, -sh, -sr0, -so3h, -so2r0, -oh, -no2, -cf3, -sf5, 임의로 치환된 실릴, 임의로 치환되고 임의로 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 40 의 카르빌 또는 히드로카르빌이고,r0 및 r00 는 서로 독립적으로 h 또는 임의로 치환된 c1-40 카르빌 또는 히드로카르빌이고,x0는 할로겐, 바람직하게는 f, cl 또는 br 이고,a, b, c는 각각의 경우 동일하거나 상이하게 0, 1 또는 2 이고,d는 각각의 경우 동일하거나 상이하게 0 또는 1 내지 10 의 정수임],식 중 b 가 1 이상인 하나 이상의 화학식 iia 또는 iib 의 반복 단위포함하는중합체. [청구항 7] 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,화학식iiia 또는 iiib 에서 선택되는 하나 이상의 반복 단위를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 중합체로서, -[(ar1)a-(d)b-(ar2)c-(ar3)d]-iiia-[(d)b-(ar1)a-(d)b-(ar2)c-(ar3)d]-iiib[식 중, ar1, ar2, ar3, a, b, c 및 d 는 제 5 항에 정의된 바와 같고, d 는 u 및 ar1-3 과 상이하고, 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고, 제 5 항에 정의된 바와 같은 하나 이상의 rs 기에 의해 임의로 치환되고, 전자 공여체 특성을 갖는 아릴 또는 헤테로아릴기로부터 선택되는 아릴 또는 헤테로아릴기임],식 중 b 가 1 이상인 하나 이상의 화학식 iiia 또는 iiib 의 반복 단위포함하는중합체. [청구항 8] 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,화학식iv 에서 선택되는 것을 특징으로 하는 중합체:[식 중,a, b, c는 서로 독립적으로 화학식 i, iia, iib, iiia, iiib 또는 이들바람직한하위화학식의 개별 단위를 나타내고,x는 003e# 0 내지 ≤ 1 이고,y 는 ≥ 0 내지 003c# 1 이고,z 는 ≥ 0 내지 003c# 1 이고,x+y+z는 1 이고, 및n은 003e# 1 인 정수임]. [청구항 9] 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,화학식으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 중합체로서,*-[(ar1-u-ar2)x-(ar3)y]n-*iva*-[(ar1-u-ar2)x-(ar3-ar3)y]n-*ivb*-[(ar1-u-ar2)x-(ar3-ar3-ar3)y]n-*ivc*-[(ar1)a-(u)b-(ar2)c-(ar3)d]n-*ivd*-([(ar1)a-(u)b-(ar2)c-(ar3)d]x-[(ar1)a-(d)b-(ar2)c-(ar3)d]y)n-*ive*-[(u-ar1-u)x-(ar2-ar3)y]n-*ivf*-[(u-ar1-u)x-(ar2-ar3-ar2)y]n-*ivg*-[(u)b-(ar1)a-(u)b-(ar2)c]n-*ivh*-([(u)b-(ar1)a-(u)b-(ar2)c]x-[(d)b-(ar1)a-(d)b-(ar2)d]y)n-*ivi*-[(u-ar1)x-(u-ar2)y-(u-ar3)z]n-*ivk[식 중, u, ar1, ar2, ar3, a, b, c 및 d 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게 제 5 항에 제시된 의미 중 하나를 갖고, d 는 각각의 경우 동일하거나 상이하게 제 6 항에 제시된 의미 중 하나를 갖고, x, y, z 및 n 은 제 7 항에 정의된 바와 같음],여기서 상기 중합체들은 교대 또는 랜덤 공중합체일 수 있고, 화학식 ivd 및 ive 에서, 반복 단위 [(ar1)a-(u)b-(ar2)c-(ar3)d] 중 적어도 하나에서 및 반복 단위 [(ar1)a-(d)b-(ar2)c-(ar3)d] 중 적어도 하나에서, b 는 1 이상이고, 화학식 ivh 및 ivi 에서, 반복 단위 [(u)b-(ar1)a-(u)b-(ar2)d] 중 적어도 하나에서 및 반복 단위 [(u)b-(ar1)a-(u)b-(ar2)d] 중 적어도 하나1 이상인중합체. [청구항 10] 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,화학식v 에서 선택되는 것을 특징으로 하는 중합체:r5-사슬-r6v[식 중, "사슬" 은 제 7 항 또는 제 8 항에 정의된 바와 같은 화학식 iv 또는 iva-ivk 에서 선택되는 중합체 사슬이고, r5 및 r6 은 서로 독립적으로 제 1 항에 정의된 바와 같은 r1 의 의미 중 하나를 갖거나, 또는 서로 독립적으로 h, f, br, cl, i, -ch2cl, -cho, -cr'=cr"2, -sir'r"r"', -sir'x'x", -sir'r"x', -snr'r"r"', -br'r", -b(or')(or"), -b(oh)2, -o-so2-r', -c≡ch, -c≡c-sir'3, -znx' 또는 말단캡 (endcap) 기를 나타내고, 여기서 x' 및 x" 는 할로겐을 나타내고, r', r" 및 r'" 은 서로 독립적으로 제 1 항에 제시된 r0 의 의미 중 하나를 갖고, r', r" 및 r'" 중 2 개는 또한 이들에 부착된 헤테로 원자와 함께 고리형성할 수있음]. [청구항 11] 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,3 중 하나 이상이 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내는 중합체:[식 중, x11 및 x12 중 하나는 s 이고, 다른 하나는 se 이고, r11, r12, r13, r14, r15, r16, r17 및 r18 은 서로 독립적으로 h 를 나타내거나 또는 제 1 항정의된 바와 같은 r1 의 의미 중 하나를 가짐]. [청구항 12] 제 5 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,3 이하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내는 중합체:[식 중, x11 및 x12 중 하나는 s 이고, 다른 하나는 se 이고, r11, r12, r13, r14 및 r15 는 서로 독립적으로 h 를 나타내거나 또는 제 1 항정의된 바와 같은 r1 의 의미 중 하나를 가짐]. [청구항 13] 제 5 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,000 이상 내지300,000 이하갖는중합체. [청구항 14] 제 5 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,3 이 서로 독립적으로 (d1), (d20) 및 (a3) 으로 이루어진 군선택되는중합체. [청구항 15] 제 5 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,3 이 서로 독립적으로 하기로 이루어진 군선택되는중합체:. [청구항 16] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,화학식vii 의 소분자인 것을 특징으로 하는 화합물:rt1-(ar4)e-(ar5)f-[(ar6)g-(ar7)h-u-(ar8)i-(ar9)k]p-(ar10)l-(ar11)o-rt2vii[식 중,u는 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같은 화학식 i 의 단위이고,ar4-12는 서로 독립적으로 -cy1=cy2-, -c≡c-, 또는 5 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 비치환 또는 제 1 항 또는 제 2 항에 정의된 바와 같은 하나 이상의 r1 기에 의해 치환된 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내고, ar4-12 중 하나 이상은 또한 u 를 나타낼 수 있고,y1, y2는 서로 독립적으로 h, f, cl 또는 cn 을 나타내고,rt1, t2는 서로 독립적으로 h, f, cl, br, -cn, -cf3, r, -cf2-r, -o-r, -s-r, -so2-r, -so3-r -c(o)-r, -c(s)-r, -c(o)-cf2-r, -c(o)-or, -c(s)-or, -o-c(o)-r, -o-c(s)-r, -c(o)-sr, -s-c(o)-r, -c(o)nrr', -nr'-c(o)-r, -nhr, -nrr', -cr'=cr"r"', -c≡c-r', -c≡c-sir'r"r"', -sir'r"r"', -ch=c(cn)-c(o)-or, -ch=c(coor)2, ch=c(conrr')2, ch=c(cn)(ar12),를 나타내고,ra, rb는 서로 독립적으로 각각 4 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 비치환 또는 하나 이상의 r 또는 r1 기로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴이고,ar12는 각각 4 내지 30 개의 고리 원자를 갖고 비치환 또는 하나 이상의 r1 기로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴이고,r은 직쇄, 분지형 또는 시클릭이고, 비치환, 하나 이상의 f 또는 cl 원자 또는 cn 기로 치환, 또는 퍼플루오르화된 탄소수 1 내지 30 의 알킬이고, 여기서 하나 이상의 c 원자는 o- 및/또는 s-원자가 서로 직접 연결되지 않는 방식으로 -o-, -s-, -c(o)-, -c(s)-, -sir0r00-, -nr0r00-, -chr0=cr00- 또는 -c≡c- 에 의해 임의대체되고,r0, r00 는 서로 독립적으로 h 또는 c1-10 알킬을 나타내고,r', r", r"'은 서로 독립적으로 r 의 의미 중 하나를 갖거나 또는 h 를 나타내고,e, f, g, h, i, k, l, o는 서로 독립적으로 0 또는 1 이고, 단, e, f, g, h, i, k, l, o 중 적어도 하나는 1 이고,p는 1, 2 또는 3 임]. [청구항 17] 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,12 가하기 화학식으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:[식 중, r, r', r", r'", r"", r""', r""" 및 r"""' 는 제 1 항 또는 제 2 항제시된 바와 같은 r1 의 의미 중 하나를 가짐]. [청구항 18] 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 단위를 포함하는 화합물:[식 중, x1 및 x2 는 제 1 항 또는 제 3 항에 정의된 바와 같고; r1 및 r2 는 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같고; r11, r12, r13 및 r14 는 제 11 항 또는 제 12 항에 정의된 바와 같고; x, y 및 z 는 제 1 항정의된 바와 같음]. [청구항 19] 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 단위포함하는화합물:,. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,제 5 항 내지 제 15 항 중어느 한 항에 따른 하나 이상의 중합체 및 하나 이상의 n-형유기 반도체화합물포함하는것을특징으로 하는혼합물 또는 중합체 블렌드. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,형 유기 반도체 화합물이풀러렌또는치환풀러렌인것을특징으로 하는혼합물 또는 중합체 블렌드. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,소자가 유기 전계효과 트랜지스터 (ofet), 박막 트랜지스터 (tft), 유기 발광 다이오드 (oled), 유기 발광 트랜지스터 (olet), 유기 광전지 소자 (opv), 유기 광검출기 (opd), 유기 태양전지, 레이저 다이오드, 쇼트키 (schottky) 다이오드, 광전도체 및 광검출기로부터 선택되고, 부품이 전하 주입층, 전하 수송층, 중간층, 평탄화층, 대전방지 필름, 중합체 전해질막 (pem), 전도성 기판, 전도성 패턴으로부터 선택되고, 조립체가 집적회로 (ic), 무선 주파수 인식 (rfid) 태그 또는 이를 함유하는 보안 마킹 또는 보안 소자, 평판 디스플레이 또는 이의 백라이트, 전자사진 소자, 전자사진 기록 소자, 유기 메모리 소자, 센서 소자, 바이오센서 및 바이오칩으로부터 선택되는, 소자, 이의 부품, 또는 이포함하는조립체. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,벌크 헤테로접합(bhj) opv 소자, 역 bhj opv 소자소자인소자. [청구항 29] 화학식 via 또는 vib 의 단량체: r 7 -(ar 1 ) a -u-(ar 2 ) c -r 8 via r 7 -u-(ar 1 ) a -u-r 8 vib [식 중, a 및 c 는 제 6 항에 정의된 바와 같고, u, ar 1 및 ar 2 는 제 6 항 또는 제 11 항에 정의된 바와 같고, r 7 및 r 8 은 cl, br, i, o-토실레이트, o-트리플레이트, o-메실레이트, o-노나플레이트, -sime 2 f, -simef 2 , -o-so 2 z 1 , -b(oz 2 ) 2 , -cz 3 =c(z 3 ) 2 , -c≡ch, -c≡csi(z 1 ) 3 , -znx 0 및 -sn(z 4 ) 3 으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 x 0 는 할로겐, 바람직하게는 cl, br 또는 i 이고, z 1-4 는 각각 임의로 치환된 알킬 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 2 개의 z 2 기는 또한 함께 시클릭기를 형성할 수 있음] [청구항 30] 제 29 항에 있어서,화학식으로부터 선택되는 단량체:r7-ar1-u-ar2-r8vi1r7-u-r8vi2r7-ar1-u-r8vi3r7-u-ar2-r8vi4r7-u-ar1-u-r8vi5[식 중, u, ar1, ar2, r7 및 r8 은 제 23 항정의된 바와 같음].