문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 절연막은 도전성 물질이 매립된 적어도 하나의 콘택홀갖는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 3]
제2항에 있어서,더미홀의 폭은 상기 콘택홀의 폭과 실질적동일한,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 상기 기판 상의 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극 및 상기 박막 트랜지스터 기판은 상기 콘택홀에 매립된 상기 도전성 물질을 통해 상기 액티브 패턴에 전기적으로 연결되는 도전층을 더 구비하고,상기 절연막은상기게이트 전극과상기도전층사이개재되는층간 절연막인,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 절연막 및 상기 도전층을 덮는 평탄화막을 더 구비하고,상기 평탄화막의 일부는 상기 적어도 하나의 더미홀매립되는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 액티브 패턴과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 게이트 절연막을 더 구비하고,상기 적어도 하나의 더미홀은 상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 기판의 상부 표면까지 연장되는 제1 더미홀포함하는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 7]
제4항에 있어서,적어도 하나의 더미홀은 상기 게이트 전극의 상부 표면까지 연장되는 제2 더미홀포함하는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 8]
제4항에 있어서,상기 액티브 패턴과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며 실리콘 산화물을 포함하는, 제1 게이트 절연막; 및상기 제1 게이트 절연막과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며 실리콘 질화물을 포함하는, 제2 게이트 절연막더 구비하는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 9]
제4항에 있어서,상기 게이트 전극은 알루미늄포함하는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 10]
제2항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 상기 기판 상의 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴과 적어도 일부가 중첩하는 게이트 전극을 포함하고,상기 박막 트랜지스터 기판은,상기 게이트 전극 상부에 배치되고, 상기 게이트 전극과 적어도 일부가 중첩하여 상기 게이트 전극과 커패시터를 구성하는 상부 전극을 포함하는, 제1 도전층; 및상기 콘택홀에 매립된 상기 도전성 물질을 통해 상기 상부 전극에 전기적으로 연결되어 상기 상부 전극에 전원 전압을 인가하는 전원선을 포함하는, 제2 도전층을 더 구비하고,상기 절연막은 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 사이의층간 절연막인,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 절연막 및 상기 제2 도전층을 덮는 평탄화막을 더 구비하고,상기 평탄화막의 일부는 상기 적어도 하나의 더미홀매립되는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 액티브 패턴과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 게이트 절연막; 및상기 게이트 전극과 상기 제1 도전층 사이에 게재되는 유전막을 더 구비하고,상기 적어도 하나의 더미홀을 상기 게이트 절연막 및 상기 유전막을 관통하여 상기 기판의 상부 표면까지 연장되는 제1 더미홀포함하는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 13]
제10항에 있어서,적어도 하나의 더미홀은 상기 상부 전극의 상부 표면까지 연장되는 제2 더미홀포함하는,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 절연막은 무기 절연 물질을 포함하고,상기 적어도 하나의 더미홀에 매립되는 물질은 유기 절연물질인,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 15]
제1항에 있어서,더미홀은 원형, 타원형다각형인,박막 트랜지스터 기판.
[청구항 16]
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터 기판; 및
상기 박막 트랜지스터 기판 상에 배치된 디스플레이 소자
를 구비하는, 디스플레이 장치
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
박막 트랜지스터 기판에서 절연막이 층간 절연막으로 기능할 때, 상기 절연막과 게이트 전극 사이에 위치하며 실리콘 질화물을 포함하는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation박막 트랜지스터 기판에서 절연막이 층간 절연막 역할을 할 때, 게이트 전극과 특정 층 사이에 위치하며 실리콘 질화물을 포함하는 구성 요소를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 절연막이 게이트 전극과 도전층 사이의 층간 절연막임을 확인하고, 청구항 8에서 게이트 전극과 관련된 절연막 구성을 추출한다.
- 상기 절연막은 상기 게이트 전극과 상기 도전층 사이에 개재되는 층간 절연막인, 상기 제1 게이트 절연막과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며 실리콘 질화물을 포함하는, 제2 게이트 절연막
-
3근거 선택
evidence_selection게이트 전극과 실리콘 질화물을 포함하며, 특정 층 사이에 위치한다는 조건에 부합하는 '제2 게이트 절연막' 구절을 선택한다.
- 상기 제1 게이트 절연막과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며 실리콘 질화물을 포함하는, 제2 게이트 절연막
-
4논리 통합
logical_integration청구항 4에 의해 절연막이 층간 절연막으로 기능하는 상황에서, 청구항 8은 게이트 전극과 제1 게이트 절연막 사이에 실리콘 질화물을 포함하는 제2 게이트 절연막이 존재함을 명시한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구성 요소는 실리콘 질화물을 포함하며 게이트 전극 사이에 위치하는 '제2 게이트 절연막'이다.
- 상기 제1 게이트 절연막과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며 실리콘 질화물을 포함하는, 제2 게이트 절연막
-
6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 명칭인 '제2 게이트 절연막'을 최종 답변으로 생성한다.
- 제2 게이트 절연막
최종 답변 (final_answer)
제2 게이트 절연막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에서 게이트 전극과 제1 게이트 절연막 사이에 실리콘 질화물을 포함하는 제2 게이트 절연막을 배치하는 구조를 포함한다.