문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,구동 회로를 더 포함하며,상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 화소에 배치되고,상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 상기 구동 회로배치되는표시장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 다결정 반도체 층을 덮는 게이트 절연막더 포함하는표시장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극은 상기 게이트 절연막 위배치된표시장치.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 제2 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 소자이고,상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 제2 박막 트랜지스터에 의해 선택된 상기 화소의 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 구동소자인표시장치.
[청구항 6]
제 3 항에 있어서,상기 구동 회로는,데이터 전압을 출력하는 데이터 구동부; 상기 데이터 구동부로부터의 데이터 전압을 데이터 배선으로 분배하는 멀티플렉서; 스캔 펄스를 게이트 배선으로 출력하는 게이트 구동부를 포함하고,상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 상기 멀티플렉서 및 상기 게이트 구동부 중 어느 하나배치되는표시장치.
[청구항 7]
제 3 항에 있어서,상기 제1 소스 전극은, 상기 산화막 위에 배치되며, 상기 산화막, 상기 질화막 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 소스 콘택홀을 통해 상기 다결정 반도체 층의 일측부와 연결되고,상기 제1 드레인 전극은, 상기 산화막 위에 배치되며, 상기 산화막, 상기 질화막 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 드레인 콘택홀을 통해 상기 다결정 반도체 층의 타측부와 연결되고,상기 제2 소스 전극은, 상기 산화막 위에서 상기 산화물 반도체 층의 일측부와 접촉되고,상기 제2 드레인 전극은, 상기 산화막 위에서 상기 산화물 반도체 층의 타측부와접촉되는표시장치.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 질화막 및 상기 산화막은, 각각 두께인표시장치.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 질화막은, 상기 산화막의 하부배치된표시장치.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 제1 영역에서, 상기 질화막과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치되는 하부 산화막더 포함하는표시장치.
[청구항 11]
제 1 항에 있어서,상기 질화막은, 상기 산화막의 상부배치된표시장치.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 제1 반도체 층, 상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극은 제1 박막 트랜지스터에 포함되며,상기 제2 반도체 층, 상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극은 제2 박막 트랜지스터포함되는표시장치.
[청구항 14]
제 13 항에 있어서,구동 회로를 더 포함하며,상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 화소에 배치되고,상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 상기 구동 회로배치되는표시장치.
[청구항 15]
제 13 항에 있어서,상기 제2 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 소자이고,상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 제2 박막 트랜지스터에 의해 선택된 상기 화소의 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 구동소자인표시장치.
[청구항 16]
제 14 항에 있어서,상기 구동 회로는,데이터 전압을 출력하는 데이터 구동부; 상기 데이터 구동부로부터의 데이터 전압을 데이터 배선으로 분배하는 멀티플렉서; 스캔 펄스를 게이트 배선으로 출력하는 게이트 구동부를 포함하고,상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는 상기 멀티플렉서 및 상기 게이트 구동부 중 어느 하나배치되는표시장치.
[청구항 17]
제 12 항에 있어서,상기 제1 소스 전극은, 상기 산화막, 상기 질화막 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 소스 콘택홀을 통해 상기 제1 반도체 층의 일측부와 연결되고,상기 제1 드레인 전극은, 상기 산화막, 상기 질화막 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 드레인 콘택홀을 통해 상기 제1 반도체 층의 타측부와 연결되고,상기 제2 소스 전극은, 상기 제2 반도체 층의 일측부와 접촉되고,상기 제2 드레인 전극은, 상기 제2 반도체 층의 타측부와접촉되는표시장치.
[청구항 18]
제 12 항에 있어서,상기 질화막 및 상기 산화막은, 각각 두께인표시장치.
[청구항 19]
제 12 항에 있어서,상기 질화막은, 상기 산화막의 하부배치된표시장치.
[청구항 20]
제 19 항에 있어서,상기 제1 영역에서, 상기 질화막과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치되는 하부 산화막더 포함하는표시장치.
[청구항 21]
제 12 항에 있어서,상기 질화막은, 상기 산화막의 상부배치된표시장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
표시장치에서 제2 박막 트랜지스터와 제1 박막 트랜지스터는 각각 어떠한 역할을 수행하며, 이들의 관계를 통해 유기발광 다이오드가 어떻게 구동되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation제2 박막 트랜지스터와 제1 박막 트랜지스터의 개별 역할 및 두 소자의 관계를 통한 유기발광 다이오드 구동 방식을 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 5 및 15를 통해 각 트랜지스터의 정의를 추출한다.
- 상기 제2 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 소자이고, 상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 제2 박막 트랜지스터에 의해 선택된 상기 화소의 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 구동소자
-
3근거 선택
evidence_selection제2 박막 트랜지스터는 스위칭 소자, 제1 박막 트랜지스터는 구동 소자라는 점과 제2 박막 트랜지스터가 화소를 선택한다는 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 제2 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 소자이고, 상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 제2 박막 트랜지스터에 의해 선택된 상기 화소의 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 구동소자
-
4논리 통합
logical_integration제2 박막 트랜지스터가 특정 화소를 선택하면, 그 선택된 화소에 연결된 제1 박막 트랜지스터가 유기발광 다이오드를 구동하는 유기적 관계를 도출한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation제2 박막 트랜지스터는 스위칭 역할을, 제1 박막 트랜지스터는 구동 역할을 수행하며, 제2 박막 트랜지스터의 선택에 따라 제1 박막 트랜지스터가 해당 화소의 유기발광 다이오드를 구동한다.
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제2 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 소자의 역할을 수행하며, 제1 박막 트랜지스터는 제2 박막 트랜지스터에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 구동 소자의 역할을 수행한다. 따라서 제2 박막 트랜지스터가 특정 화소를 선택하면, 제1 박막 트랜지스터가 해당 화소의 유기발광 다이오드를 구동하는 방식으로 동작한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제2 박막 트랜지스터(스위칭 소자)와 제1 박막 트랜지스터(구동 소자)의 협력을 통해 화소를 선택하고 유기발광 다이오드를 구동하는 표시장치의 구동 메커니즘을 나타낸다.