비접촉식 물리 에칭시스템 document_id 1020150038685

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 속이 빈 챔버에는 유입 개구와 유출 개구가 설치되고, 작업 기체가 유입 개구를 통해 상기 속이 빈 챔버 내로 유입되고 상기 제1 차폐마스크는 상기 유출 개구를 덮어 막는형태설치되는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 3] 제1항에 있어서,플라즈마 발생장치를 더 포함하고 있으며, 상기 플라즈마 발생장치는 작업기체 공급장치와 작업 챔버에 연결 설치되며, 그 중 상기 작업기체 공급장치는 작업 기체를 플라즈마 발생장치에 공급하고, 그 결과 상기 플라즈마 발생장치가 상기 작업 챔버를 통해 플라즈마를 상기 속이 빈 챔버로 공급할 수되는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 4] 제1항에 있어서,최소한 하나의 제2 차폐마스크를 더 포함하고 있으며, 상기 제2차폐마스크는 제2챔버 내에 설치되고, 그 위치는 상기 제1 차폐마스크와 타겟을 탑재한 캐리어 사이가 되며, 최소 하나의 제1도형을 관통한 복수 개의 플라즈마 이온은 더 나아가 제2 차폐마스크 상의 최소한 하나의 제2 도형을 관통하게 되고, 이를 통해 상기 플라즈마 이온의 가로 방향 난반사 상황을 늦춤으로써 상기 플라즈마 이온들이 더욱 더 정확하게 타겟에 충격을 가할 수 있게 해주는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 작업 챔버에 연결된 냉각장치를 더 포함하고 있으며, 이를 이용해 상기 속이 빈 챔버, 캐리어, 타겟에 냉각 작업을 진행할 수있는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 제1 차폐마스크의 최소한 하나의 제1도형은 최소한 하나의 제1홀 혹은 복수 개의 제1홀로 구성되어 있고, 또한 상기 제2 차폐마스크의 최소한 하나의 제2도형은최소한하나의제2홀혹은복수개홀로구성되어있는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제1 차폐마스크의 최소한 하나의 제1도형은 최소한 하나의 제1선형 홀 혹은 복수 개의 제1선형 홀로 구성되어 있고, 또한 상기 제2 차폐마스크의 최소한 하나의 제2도형은최소한하나의제2선형홀혹은복수개의제2선형홀로구성되어있는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제2챔버에 연결된 자력장치를 더 포함하고 있으며, 이를 이용해 상기 제2챔버 내에 자기장을 형성하며 상기 자기장의 작용을 통해 상기 플리즈마이온의가로방향난반사감소시키는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제1챔버와 제2챔버에 연결된 기압유지장치를 더 포함하고 있으며 이를 이용해 상기 제1챔버와 제2챔버 내의 기체를 빼게 되고, 그 결과 상기 제1챔버와 제2챔버의 기압이각각제1기압과제2기압유지되도록하는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 작업 챔버에 연결된 보조장치를 더 포함하고, 이를 이용해상기작업챔버의내부온도와플라즈마파라미터측정하는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 11] 제2항에 있어서,상기 유입 개구 상에 양극판을 설치하여 양극 전압을 수신하고 상기 속이 빈 챔버는음극전압과전기적연결하는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 12] 제3항에 있어서,플라즈마 발생장치는 반응 챔버, 마이크로파 생성기, 자력기를 포함하고 있으며, 상기 반응 챔버는 제1챔버와 연결해 통해 있고,상기 마이크로파 생성기는 도파관을 통해 반응 챔버에 연결되고 이를 통해 마이크로파를 생성하여 반응 챔버 내로 보내게 되고, 상기 자력기는 상기 반응 챔버에 연결되며 이를 이용해 반응 챔버 내에 자기장을 형성하게 되며, 상기 자기장의 방향은 상기 마이크로파의 입사 방향과 평행을 이루는 방향이 되고,그 중 상기 작업기체 공급장치가 반응 챔버 내로 주입한 작업 기체가 마이크로파와 자기장의 작용을 동시에 받게 되어 플라즈마화가 되면서 플라즈마로 형성되며, 이와 동시에 상기 마이크로파와 자기장의 주파수 정합을 기초로 한 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance, ecr)이 상기 반응 챔버 내에서 발생하게 되고, 더 나아가상기플라즈마의농도대폭증가시키게되는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 13] 제5항에 있어서,상기 캐리어에 연결된 이동장치를 더 포함하고, 이를 이용해 상기 캐리어와 대응하여 고정 설치된제1차폐마스크혹은제2차폐마스크이동시키게되는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 14] 제5항에 있어서,상기 제1 차폐마스크, 최소한 하나의 제2 차폐마스크, 캐리어에 연결된 편압장치를 더 포함하고, 이를 이용해 제1 차폐마스크와 캐리어 사이, 제2 차폐마스크와 캐리어 사이, 혹은 임의의 2개 제2 차폐마스크 사이에 전기장을 형성하게 되고, 상기 전기장의 작용으로 플리즈마내부의이온을가속화시키는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 15] 제7항에 있어서,서로 교차하는 임의의 2개 제1 선형 홀은 도트형 제1도형으로 구성될 수 있고, 또한 상기 플라즈마의 이온은 상기 도트형 제1도형을 통해 타겟 상에 천공 혹은 드로잉 직업을 진행할 수있는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 16] 제7항에 있어서,서로 교차하는 임의의 2개 제2 선형 홀은 도트형 제2도형으로 구성될 수 있고, 또한 상기 플라즈마의 이온은 상기 도트형 제2도형을 통해 타겟 상에 천공 혹은 드로잉 직업을 진행할 수있는것을특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템. [청구항 17] 제8항에 있어서,상기 제2기압은 제1기압보다 작거나 같은 것특징으로 하는비접촉식 물리 에칭시스템.