문맥 (context)
[청구항 1]
양극, 음극 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 개재된 분리막을 포함하는 전기화학소자에 있어서,
상기 분리막은 다공성 고분자 필름
및 무기물 입자 및 바인더 고분자를 포함하면서 상기 다공성 고분자 필름의 양면에 형성되어 있는 제1 및 제2 다공성 코팅층을 구비하고,
상기 제1 다공성 코팅층이 음극과 대면하고, 상기 제2 다공성 코팅층이 양극과 대면하며,
상기 제1 다공성 코팅층의 기공률이 상기 제2 다공성 코팅층의 기공률 보다 더 큰 것을 특징으로 하는, 전기화학소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 다공성 코팅층의 기공률이 상기 제2 다공성 코팅층의 기공률 보다 1.2 내지 2 배 더 큰 것특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1 다공성 코팅층의 기공률이 45 내지 80%이고, 상기 제2다공성 코팅층의 기공률이30내지인것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1 다공성 코팅층nan은제1유기물입자더포함하는것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제1 유기물 입자가 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리이미드, 멜라민계 수지, 페놀계 수지, 셀룰로오스, 셀룰로오스 변성체, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아라미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드,부틸아크릴레이트와에틸메타아크릴레이트의공중합체또는이들혼합물인것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 제1 유기물 입자는 상기 무기물 입자 100 중량부를 기준으로5내지50중량부포함하는것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 7]
제4항에 있어서,상기 제1 유기물 입자는 50 내지 1000 nm의입자크기갖는것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 제2 다공성 코팅층nan은제2유기물입자더포함하는것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 다공성 고분자 필름은 폴리에틸렌; 폴리프로필렌; 폴리부틸렌; 폴리펜텐: 폴리헥센: 폴리옥텐: 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 펜텐, 4-메틸펜텐, 헥센, 옥텐 중 1종 이상의 공중합체,또는이들의혼합물포함하는것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 바인더 고분자는 폴리비닐리덴 플루오라이드-헥사플루오로프로필렌polyvinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene), 폴리비닐리덴 플루오라이드-트리클로로에틸렌(polyvinylidene fluoride-co-trichloroethylene), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmethacrylate), 폴리부틸아크릴레이트(polybutylacrylate), 폴리아크릴로니트릴 (polyacrylonitrile), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 폴리비닐아세테이트 (polyvinylacetate), 에틸렌 비닐 아세테이트 공중합체 (polyethylene-co-vinyl acetate), 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide), 셀룰로오스 아세테이트 (cellulose acetate), 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트 (cellulose acetate butyrate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 (cellulose acetate propionate), 시아노에틸풀루란(cyanoethylpullulan), 시아노에틸폴리비닐알콜 (cyanoethylpolyvinylalcohol), 시아노에틸셀룰로오스 (cyanoethylcellulose), 시아노에틸수크로오스(cyanoethylsucrose), 풀루란 (pullulan), 카르복실 메틸 셀룰로오스 (carboxyl methyl cellulose), 아크릴로니트릴스티렌부타디엔 공중합체 (acrylonitrilestyrene-butadiene copolymer), 및 폴리이미드(polyimide)로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상또는이들혼합물인것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 무기물 입자는 유전율 상수가 5 이상, 리튬 이온 전달 능력을 갖는무기물입자또는이들혼합물인것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 유전율 상수가 5 이상인 무기물 입자가 batio3, pb(zr,ti)o3(pzt), pb1-xlaxzr1-ytiyo3(plzt), pb(mg3nb2/3)o3-pbtio3(pmn-pt), 하프니아(hfo2), srtio3, sno2, ceo2, mgo, nio, cao, zno, zro2, y2o3, al2o3, tio2, sic또는이들혼합물인것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 13]
제11항에 있어서,상기 리튬 이온 전달 능력을 갖는 무기물 입자가 리튬포스페이트(li3po4), 리튬티타늄포스페이트(lixtiy(po4)3, 0003c#x003c#2, 0003c#y003c#3), 리튬알루미늄티타늄포스페이트(lixalytiz(po4)3, 0 003c#x003c#2, 0003c#y003c#1, 0003c#z003c#3), (lialtip)xoy 계열 글래스(glass)(0003c#x003c#4, 0003c#y003c#13), 리튬란탄티타네이트(lixlaytio3, 0003c#x003c#2, 0003c#y003c#3), 리튬게르마니움 티오포스페이트(lixgeypzsw, 0003c#x003c#4, 0003c#y003c#1, 0003c#z003c#1, 0003c#w003c#5), 리튬나이트라이드(lixny, 0003c#x003c#4, 0003c#y003c#2), sis2 계열 glass(lixsiysz, 0003c#x003c#3, 0003c#y003c#2, 0003c#z003c#4), p2s5 계열 glass(lixpysz, 0003c#x003c#3, 0003c#y003c#3, 0003c#z003c#7)또는이들혼합물인것을특징으로 하는,전기화학소자.
[청구항 14]
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기화학소자는리튬 이차전지인것을특징으로 하는,전기화학소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전기화학소자의 분리막에 형성된 제1 다공성 코팅층과 제2 다공성 코팅층은 각각 어떤 전극과 대면하며, 두 코팅층의 기공률 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 및 제2 다공성 코팅층이 각각 대면하는 전극의 종류와 두 코팅층 간의 기공률 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제1 다공성 코팅층은 음극과 대면하고, 제2 다공성 코팅층은 양극과 대면한다는 정보를 추출한다.
- 상기 제1 다공성 코팅층이 음극과 대면하고, 상기 제2 다공성 코팅층이 양극과 대면하며, 상기 제1 다공성 코팅층의 기공률이 상기 제2 다공성 코팅층의 기공률 보다 더 큰 것을 특징으로 하는, 전기화학소자
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3근거 선택
evidence_selection기공률 관계에 대한 근거로 제1 코팅층의 기공률이 제2 코팅층보다 더 크다는 구절을 선택한다.
- 상기 제1 다공성 코팅층의 기공률이 상기 제2 다공성 코팅층의 기공률 보다 더 큰 것을 특징으로 하는
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 결합하여 제1 코팅층은 음극, 제2 코팅층은 양극과 대면하며, 제1 코팅층의 기공률이 제2 코팅층보다 크다는 관계를 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변을 구성한다. 제1 코팅층은 음극과, 제2 코팅층은 양극과 대면하며, 제1 코팅층의 기공률이 제2 코팅층의 기공률보다 더 크다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 다공성 코팅층은 음극과 대면하고, 제2 다공성 코팅층은 양극과 대면하며, 제1 다공성 코팅층의 기공률이 제2 다공성 코팅층의 기공률보다 더 크다.
핵심 해석 (core_interpretation)
분리막의 양면에 형성된 두 다공성 코팅층이 각각 음극과 양극에 대응하여 배치되며, 음극 측 코팅층의 기공률을 양극 측보다 높게 설정한 기술적 특징을 나타낸다.