티타늄 니트라이드 하드 마스크 및 에칭 잔류물 제거 document_id 1020150102645

[청구항 2] 제 1항에 있어서,배위되는 음이온이 1중량% 내지 10중량%의 범위로 존재하고, p-톨루엔설포네이트(c7h8so3-), 설페이트(so42-), 니트레이트(no3-), 트리플레이트(cf3so3-), 플루오로설페이트, 퍼플루오로설포네이트(rfso3-; rf는 c1 내지 c4의 퍼플루오로알킬기임), 퍼플루오로설폰이미드((rf)2nso2-; rf는 c1 내지 c4의 퍼플루오로알킬기임), 헥사플루오로실리케이트(sif62-), 헥사플루오로티타네이트(tif62-), 테트라플루오로보레이트(bf4-), 헥사플루오로포스페이트(pf6-), 헥사플루오로안티모네이트(sbf6-), 퍼플루오로알킬알루미네이트((rfo)4al-; rf는 퍼플루오로알킬기임), 및 이들의 조합물로 이루어진 군선택되는조성물. [청구항 3] 제 1항에 있어서,염 완충제가 0.5중량% 내지 10중량%의 범위로 존재하고, 암모늄 클로라이드; 암모늄 바이설페이트; 암모늄 포스페이트; 암모늄 옥살레이트; 암모늄 퍼플루오로설포네이트; 암모늄 테트라플루오로보레이트; 암모늄 헥사플루오로티타네이트; 암모늄 헥사플루오로실리케이트; 암모늄 시트레이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 락테이트로부터 선택된 유기산의 암모늄 염; 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되고,암모늄이 n(r1r2r3r4)+의 형태를 지니고,r1, r2, r3, r4가 h, ch3, c2h5, 및 c3h7로 이루어진 군으로부터 독립적선택되는조성물. [청구항 4] 제 1항에 있어서,비-산화성(non-oxidizing) 금속 이온이 fe(ii) 이온, cu(i) 이온, cu(ii) 이온, co(ii) 이온, cr(ii) 이온, mn(ii) 이온 및 ni(ii) 이온으로 이루어진 군선택되는조성물. [청구항 5] 제 1항에 있어서,비-대기 산화제가 5-200ppm의 범위로 존재하고; fe(iii) 화합물, ce(iv), 바나듐(v), mn(v, vi 또는 vii) 화합물, cr(v 또는 vi) 화합물, cl(i, iii 또는 v) 화합물, br(i 또는 iii) 화합물, 및 이들의 조합물로 이루어진 군선택되는조성물. [청구항 6] 제 1항에 있어서,암모늄 바이플루오라이드, 알킬암모늄 바이플루오라이드, 수성 하이드로젠 플루오라이드, 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 003c# 4000ppm의 가용매화 바이플루오라이드를 추가포함하는조성물. [청구항 7] 제 1항에 있어서,벤조트라이졸 및 치환된 벤조트리아졸, 폴리에틸렌이민, 카테콜, 시스테인 및 시스틴 유도체, 글리신, 티오우레아 및 티오바이우레트, 실록산, 암모늄 클로라이드, 암모늄 플루오라이드, 이미다졸, 트리아졸, 붕산, 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 003c# 10000ppm의 부식 억제제를 추가포함하는조성물. [청구항 8] 제 1항에 있어서,비-대기 산화제가 비-화학량론적이고, 제 2 물질의 제거 선택률이 1이라고 할 때, tin 또는 tinxoy의 제거 선택률10 초과인,조성물. [청구항 9] 제 1항에 있어서,배위되는 음이온이 헥사플루오로실리케이트이고, 아민 염 완충제가 암모늄 클로라이드이고; 비-산화성 금속 이온이 cu(ii)cl2이고; 비-대기 산화제가 비-화학량론적 fe(iii)cl3이고, 제 2 물질의 제거 선택률이 1이라고 할 때, tin 또는 tinxoy의 제거 선택률10 초과인,조성물. [청구항 10] 제 9항에 있어서,암모늄 바이플루오라이드 및 폴리에틸렌이민을 추가로포함하는조성물. [청구항 12] 제 11항에 있어서,배위되는 음이온이 1중량% 내지 10중량%의 범위로 존재하고, p-톨루엔설포네이트(c7h8so3-), 설페이트(so42-), 니트레이트(no3-), 트리플레이트(cf3so3-), 플루오로설페이트, 퍼플루오로설포네이트(rfso3-; rf는 c1 내지 c4의 퍼플루오로알킬기임), 퍼플루오로설폰이미드((rf)2nso2-; rf는 c1 내지 c4의 퍼플루오로알킬기임), 헥사플루오로실리케이트(sif62-), 헥사플루오로티타네이트(tif62-), 테트라플루오로보레이트(bf4-), 헥사플루오로포스페이트(pf6-), 헥사플루오로안티모네이트(sbf6-), 퍼플루오로알킬알루미네이트((rfo)4al-; rf는 퍼플루오로알킬기임), 및 이들의 조합물로 이루어진 군선택되는시스템. [청구항 13] 제 11항에 있어서,염 완충제가 0.5중량% 내지 10중량%의 범위로 존재하고, 암모늄 클로라이드; 암모늄 바이설페이트; 암모늄 포스페이트; 암모늄 옥살레이트; 암모늄 퍼플루오로설포네이트; 암모늄 테트라플루오로보레이트; 암모늄 헥사플루오로티타네이트; 암모늄 헥사플루오로실리케이트; 암모늄 시트레이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 락테이트로부터 선택된 유기산의 암모늄 염; 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되고,암모늄이 n(r1r2r3r4)+의 형태를 지니고,r1, r2, r3, r4가 h, ch3, c2h5, 및 c3h7로 이루어진 군으로부터 독립적선택되는시스템. [청구항 14] 제 11항에 있어서,비-산화성 금속 이온이 fe(ii) 이온, cu(i) 이온, cu(ii) 이온, co(ii) 이온, cr(ii) 이온, mn(ii) 이온 및 ni(ii) 이온으로 이루어진 군선택되는시스템. [청구항 15] 제 11항에 있어서,비-대기 산화제가 5-200ppm의 범위로 존재하고; fe(iii) 화합물, ce(iv), 바나듐(v), mn(v, vi 또는 vii) 화합물, cr(v 또는 vi) 화합물, cl(i, iii 또는 v) 화합물, br(i 또는 iii) 화합물, 및 이들의 조합물로 이루어진 군선택되는시스템. [청구항 16] 제 11항에 있어서,조성물이 암모늄 바이플루오라이드, 알킬암모늄 바이플루오라이드, 수성 하이드로젠 플루오라이드, 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 003c# 4000ppm의 가용매화 바이플루오라이드를 추가포함하는시스템. [청구항 17] 제 11항에 있어서,벤조트라이졸 및 치환된 벤조트리아졸, 폴리에틸렌이민, 카테콜, 시스테인 및 시스틴 유도체, 글리신, 티오우레아 및 티오바이우레트, 실록산, 암모늄 클로라이드, 암모늄 플루오라이드, 이미다졸, 트리아졸, 붕산, 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 003c# 10000ppm의 부식 억제제를 추가포함하는시스템. [청구항 18] 제 11항에 있어서,비-대기 산화제가 비-화학량론적이고, 제 2 물질의 제거 선택률이 1이라고 할 때, tin 또는 tinxoy의 제거 선택률10 초과인시스템. [청구항 19] 제 11항에 있어서,배위되는 음이온이 헥사플루오로실리케이트이고, 아민 염 완충제가 암모늄 클로라이드이고; 비-산화성 금속 이온이 cu(ii)cl2이고; 비-대기 산화제가 비-화학량론적 fe(iii)cl3이고, 제 2 물질의 제거 선택률이 1이라고 할 때, tin 또는 tinxoy의 제거 선택률10 초과인시스템. [청구항 20] 제 19항에 있어서,조성물이 암모늄 바이플루오라이드 및 폴리에틸렌이민을 추가포함하는시스템.