문맥 (context)
[청구항 12]
청구항 11에 있어서,상기 광조사부는, 광조사에 의해 상기 반도체 기판의 표면을 1000℃이상도달시키는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 13]
청구항 11에 있어서,상기 광조사부는, 상기 반도체 기판에 광을 조사하여 컨택트 형성과 함께 상기 불순물 영역에 주입된불순물의활성화행하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 14]
청구항 13에 있어서,상기 광조사부는, 상기 반도체 기판에 광을 조사하고또한상기불순물영역의재결정화촉진하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 15]
청구항 11에 있어서,상기 광조사부는, 이온이 주입된 후이며 금속층이 형성되기 전의 반도체 기판에 광을 조사하여 상기 불순물 영역에 주입된불순물의활성화행하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 16]
청구항 11에 있어서,상기 광조사부는, 분광 분포에서 파장 500nm에 대한 파장 300nm의 상대 강도가 20% 이상인광을상기반도체기판조사하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 17]
청구항 11에 있어서,상기 광조사부는, 상기 금속층 상에 광흡수막을 형성한 상기 반도체 기판에광조사하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 18]
청구항 11에 있어서,상기 반도체 기판의 한쪽면에 n형 불순물 영역과 p형 불순물 영역이 형성됨과 함께, 상기 n형 불순물 영역 상 및 상기 p형 불순물 영역 상에 각각 니켈층 및 알루미늄층이 형성되고, 상기 광조사부는, 상기 반도체 기판의 상기 한쪽면에 대한 광조사에 의해 n형 컨택트와 p형컨택트를동시형성하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 19]
청구항 11에 있어서,상기 광조사부는, 플래시광을 조사하는플래시램프포함하는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
[청구항 20]
청구항 11 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 기판nan은실리콘 카바이드형성되어있는것을특징으로 하는반도체 제조 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 11의 반도체 제조 장치에서 광조사부가 수행하는 기능 중, 불순물의 활성화와 함께 이루어지는 공정은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 11의 광조사부가 수행하는 기능 중 '불순물의 활성화'와 병행되는 공정이 무엇인지 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13에서 광조사부가 불순물의 활성화를 수행함과 동시에 수행하는 공정에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 반도체 기판에 광을 조사하여 컨택트 형성과 함께 상기 불순물 영역에 주입된불순물의활성화행하는것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '불순물의 활성화'와 함께 이루어지는 '컨택트 형성' 구절을 선택한다.
- 컨택트 형성과 함께 상기 불순물 영역에 주입된불순물의활성화행하는것
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4논리 통합
logical_integration청구항 13에 따르면 광조사를 통해 불순물 활성화와 컨택트 형성이 동시에 이루어짐을 확인할 수 있다.
- 컨택트 형성과 함께 상기 불순물 영역에 주입된불순물의활성화행하는것
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5결론 도출
conclusion_formulation불순물의 활성화와 함께 이루어지는 공정은 '컨택트 형성'이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 답변인 '컨택트 형성'을 최종 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
컨택트 형성
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명의 광조사부는 반도체 기판에 광을 조사함으로써 불순물의 활성화와 컨택트 형성을 동시에 수행하는 기능을 가진다.