반도체 장치 document_id 1020150120033

[청구항 1] 반도체 기판 상에 일 방향으로 연장되면서 기설정된 간격으로 이격되어 형성되는 복수의 도전성 패턴들 상기 반도체 기판 내에 상기 도전성 패턴들을 사이에 두고 불순물이 도핑되어 형성되는 복수의 정션 영역들을 포함하며, 상기 복수의 정션 영역들은 그 상부에 형성된 콘택과 연결되어 소스 및 드레인 전극 중 적어도 하나와 연결되는 트랜지스터 정션 영역, 및 그 상부에 형성된 바이어스 콘택과 연결되어 웰 바이어스 전압을 인가받는 더미 정션을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 더미 정션 영역과 상기 트랜지스터 정션 영역들은 상이한도전형의불순물도핑된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 청구항 2에 있어서,상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 웰 바이어스 전압을 제공하기 위한바이어스전압 패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 청구항 3에 있어서,상기 트랜지스터 정션 영역의 사이에 형성된 상기 도전성 패턴은 게이트 전극과 연결되어 상기 트랜지스터 정션 영역과함께트랜지스터구성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 청구항 4에 있어서,상기 트랜지스터를 복수 개 연결하여 논리 회로구성하는반도체 장치. [청구항 6] 청구항 3에 있어서,상기 트랜지스터를 제외한 반도체 기판 내에 형성된더미활성영역포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 청구항 6에 있어서,상기 도전성 패턴들 중 상기 더미 활성 영역 상에 위치한 게이트 더미 패턴은플로팅상태인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 청구항 7에 있어서,상기 게이트 더미 패턴을 연결하도록 상기 일 방향과 교차하는 방향으로 연장된더미연결패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 청구항 2에 있어서,상기 바이어스 전압 패턴은 상기 도전성 패턴들보다 수직으로 높은위치형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 활성 영역, 상기 활성 영역 상부에 형성된 게이트 패턴, 상기 게이트 패턴에 인접하는 소스 및 드레인으로 구성되는 트랜지스터를 포함하는 로직 어레이 영역; 및 상기 로직 어레이 영역들 사이에 형성된 더미 활성 영역, 상기 더미 활성 영역 상부에 상기 게이트 패턴이 배열된 방향과 동일한 방향으로 형성된 게이트 더미 패턴을 포함하여 상기 더미 활성 영역에 웰 바이어스 전압이 인가되는 더미 영역을 포함하는 반도체 장치 [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 더미 영역은 상기 더미 활성 영역 내에, 상기 소스 및 드레인과 상이한 도전형을 갖는 물질로 도핑된더미정션영역포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 청구항 11에 있어서,상기 더미 정션 영역 상에 형성된 바이어스 콘택을 통하여 상기 웰 바이어스 전압을 제공하는바이어스전압 패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 청구항 10에 있어서,상기 게이트 패턴과 상기 게이트 더미 패턴은 동일한 간격을 가지고반복적배치되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 14] 청구항 10에 있어서,상기 게이트 더미 패턴을 연결하는더미연결패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 청구항 10에 있어서,상기 게이트 패턴들이 서로 연결되어로직회로구성하는것을특징으로 하는반도체 장치.