가공 특허 1020150132506

출원번호: 1020150132506
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 제1 물질을 포함하는 저항 제어층 상기 저항 제어층 상에 제공되는 산란층 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하고, 상기 저항 제어층과 전기적으로 연결되고, 상기 산란층 상에 제공되는 애노드 상기 애노드 상에 제공되는 정공 수송 영역 상기 정공 수송 영역 상에 제공되는 발광층 상기 발광층 상에 제공되는 전자 수송 영역; 및 상기 전자 수송 영역 상에 제공되는 캐소드 를 포함하는 유기 전계 발광 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 저항 제어층은 제1 서브 컨택홀을 포함하고,상기 산란층은 상기 제1 서브 컨택홀과 중첩하는 제2 서브 컨택홀을 포함하고,상기 애노드는상기 제1 컨택홀에서 상기 저항 제어층과 접촉하고,상기 제2 컨택홀에서 상기 산란층접촉하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 산란층은수지층; 및상기 수지층에 포함되는 산란체포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 산란체는tio2, sio2 및 zno 중 적어도 하나포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제1 물질은금속인 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 제1 물질은ag, li, ca, al, mg, wo 및 ba 중 적어도 하나포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제2 물질은투명 전도성산화물인 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 캐소드는금속포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 캐소드는ag, li, ca, al, mg, wo 및 ba 중 적어도 하나포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 저항 제어층의 하부에 제공되는 보조층을 더 포함하고,상기 보조층은 투명 전도성 산화물포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 저항 제어층은 제1 서브 컨택홀을 포함하고,상기 산란층은 상기 제1 서브 컨택홀과 중첩하는 제2 서브 컨택홀을 포함하고,상기 보조층은 상기 제1 서브 컨택홀 및 상기 제2 서브 컨택홀 각각과 중첩하는 제3 서브 컨택홀을 포함하고,상기 애노드는상기 제1 컨택홀에서 상기 저항 제어층과 접촉하고,상기 제2 컨택홀에서 상기 산란층과 접촉하고,상기 제3 컨택홀에서 상기 보조층접촉하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 캐소드 상에 제공되는 유기 캡핑층더 포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 애노드에서 상기 캐소드 방향으로 광출사하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 정공 수송 영역은정공 주입층; 및상기 정공 주입층 상에 제공되는 정공 수송층포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 전자 수송 영역은전자 수송층; 및상기 전자 수송층 상에 제공되는 전자 주입층포함하는 것인유기 전계 발광 소자. [청구항 16] 복수의 화소들을 포함하고, 상기 화소들 중 적어도 하나는 유기 전계 발광 소자를 포함하고, 상기 유기 전계 발광 소자는 제1 물질을 포함하는 저항 제어층 상기 저항 제어층 상에 제공되는 산란층 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하고, 상기 저항 제어층과 전기적으로 연결되고, 상기 산란층 상에 제공되는 애노드 상기 애노드 상에 제공되는 정공 수송 영역 상기 정공 수송 영역 상에 제공되는 발광층 상기 발광층 상에 제공되는 전자 수송 영역; 및 상기 전자 수송 영역 상에 제공되는 캐소드 를 포함하는 것인 표시 장치 [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 애노드와 연결되는 드레인 전극; 및상기 드레인 전극 및 상기 애노드 사이에 제공되는 패시베이션층;을 더 포함하고,상기 패시베이션층은 제1 컨택홀을 포함하고,상기 저항 제어층은 상기 제1 컨택홀과 중첩하는 제1 서브 컨택홀을 포함하고,상기 산란층은 상기 제1 컨택홀 및 상기 제1 서브 컨택홀 각각과 중첩하는 제2 서브 컨택홀을 포함하고,상기 드레인 전극 및 상기 애노드는상기 제1 컨택홀,상기제1서브컨택홀및상기제2서브컨택홀에의해연결되는 것인표시 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 패시베이션층 및 상기 애노드 사이에 제공되는 보조층을 더 포함하고,상기 보조층은 상기 제1 컨택홀, 상기 제1 서브 컨택홀 및 상기 제2 서브 컨택홀 각각과 중첩하는 제3 서브 컨택홀을 포함하고,상기 드레인 전극 및 상기 애노드는상기 제1 컨택홀, 상기 제1 서브 컨택홀,상기제2서브컨택홀및상기제3서브컨택홀에의해연결되는 것인표시 장치. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기 산란층은수지층; 및상기 수지층에 포함되는 산란체포함하는 것인표시 장치. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 제1 물질은 금속이고,상기 제2 물질은 투명 전도성 산화물이고,상기 캐소드는 금속포함하는 것인표시 장치.

지시문 (instruction)

주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 요구되는 정보를 명확한 구조로 정리하라.

질문 (question)

보조층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에서, 애노드가 저항 제어층, 산란층 및 보조층과 각각 접촉하기 위해 필요한 서브 컨택홀들의 구성과 접촉 관계는 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

보조층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에서 애노드가 저항 제어층, 산란층, 보조층과 접촉하기 위해 필요한 서브 컨택홀의 구성과 접촉 관계를 파악해야 한다.
2정보 추출information_extraction

청구항 10항과 11항을 통해 보조층의 존재와 서브 컨택홀들의 구성을 추출한다.
- 상기 저항 제어층의 하부에 제공되는 보조층을 더 포함; 상기 저항 제어층은 제1 서브 컨택홀을 포함하고, 상기 산란층은 상기 제1 서브 컨택홀과 중첩하는 제2 서브 컨택홀을 포함하고, 상기 보조층은 상기 제1 서브 컨택홀 및 상기 제2 서브 컨택홀 각각과 중첩하는 제3 서브 컨택홀을 포함
3근거 선택evidence_selection

애노드의 접촉 관계를 명시한 청구항 11항의 구절을 선택한다.
- 상기 애노드는상기 제1 컨택홀에서 상기 저항 제어층과 접촉하고,상기 제2 컨택홀에서 상기 산란층과 접촉하고,상기 제3 컨택홀에서 상기 보조층접촉하는 것
4논리 통합logical_integration

제1 서브 컨택홀(저항 제어층), 제2 서브 컨택홀(산란층), 제3 서브 컨택홀(보조층)이 각각 존재하며, 애노드는 각 서브 컨택홀을 통해 해당 층들과 접촉함을 통합한다.
5결론 도출conclusion_formulation

애노드는 제1, 제2, 제3 서브 컨택홀을 통해 저항 제어층, 산란층, 보조층과 각각 접촉한다는 결론을 도출한다.
6답변 생성answer_generation

질문에 따라 서브 컨택홀의 구성과 접촉 관계를 구조화하여 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)

보조층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에서 애노드와 각 층의 접촉을 위한 서브 컨택홀의 구성 및 접촉 관계는 다음과 같다. 1. 서브 컨택홀의 구성: - 저항 제어층: 제1 서브 컨택홀 포함 - 산란층: 제1 서브 컨택홀과 중첩하는 제2 서브 컨택홀 포함 - 보조층: 제1 서브 컨택홀 및 제2 서브 컨택홀 각각과 중첩하는 제3 서브 컨택홀 포함 2. 접촉 관계: - 애노드는 제1 컨택홀을 통해 저항 제어층과 접촉 - 애노드는 제2 컨택홀을 통해 산란층과 접촉 - 애노드는 제3 컨택홀을 통해 보조층과 접촉

핵심 해석 (core_interpretation)

애노드가 저항 제어층, 산란층, 보조층과 각각 전기적으로 연결될 수 있도록 계층적으로 중첩된 구조의 서브 컨택홀(제1, 제2, 제3 서브 컨택홀)을 통해 접촉 관계를 형성하는 기술이다.