전자 장치 document_id 1020150168318

[청구항 1] 반도체 메모리를 포함하는 전자장치로서, 상기 반도체 메모리는, 복수의 물질층을 포함하고, 상기 복수의 물질층 각각은 서로 다른 결정구조를 갖는 하부층 상기 하부층 상에 형성되어 변경 가능한 자화 방향을 갖는 제1자성층 상기 제1자성층 상에 위치하는 터널베리어층; 및 상기 터널베리어층 상에 형성되어 고정된 자화 방향을 갖는 제2자성층을 포함하는 전자장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 하부층은 서로 다른 결정구조를 갖는 제1물질층, 제2물질층 및 제3물질층을 포함하고, 상기 제3물질층은 더스팅층포함하는전자장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 하부층은 제1물질층, 제2물질층 및 제3물질층이 순차적으로 적층된 멀티스택 구조갖는전자장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제3물질층은 설정된 범위내에서 최대한형성된전자장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 하부층은 제1물질층, 제3물질층 및 제2물질층이 순차적으로 적층된 멀티스택 구조갖는전자장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제3물질층은 설정된 범위내에서 최대한형성된전자장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 하부층은, fcc 결정구조를 갖는 제1물질층;nacl 결정구조를 갖는 제2물질층; 및wurtzite 결정구조를 갖는 제3물질층포함하는전자장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제1물질층은 fcc 결정구조를 갖는 금속질화물포함하는전자장치. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 제1물질층은 지르코늄질화물(zrn), 하프늄질화물(hfn) 및 티타늄질화물(tin) 및 몰리브덴질화물(mon)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나포함하는전자장치. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 제2물질층은 nacl 결정구조를 갖는 금속산화물포함하는전자장치. [청구항 11] 제7항에 있어서,상기 제2물질층은 마그네슘산화물(mgo) 또는 지르코늄산화물포함하는전자장치. [청구항 12] 제7항에 있어서,상기 제3물질층은 알루미늄질화물(aln), 요오드화은(agi), 아연산화물(zno), 황화카드뮴(cds), 셀렌화카드뮴(cdse), 실리콘카바이드(sic), 갈륨질화물(gan) 및 보론나이트라이드(bn)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나포함하는전자장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 마이크로프로세서를 더 포함하고,상기 마이크로프로세서는,상기 마이크로프로세서 외부로부터의 명령을 포함하는 신호를 수신하고, 상기 명령의 추출이나 해독 또는 상기 마이크로프로세서의 신호의 입출력 제어를 수행하는 제어부;상기 제어부가 명령을 해독한 결과에 따라서 연산을 수행하는 연산부; 및상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 또는 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소를 저장하는 기억부를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 마이크로프로세서 내에서 상기 기억부의일부인전자장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 프로세서를 더 포함하고,상기 프로세서는,상기 프로세서의 외부로부터 입력된 명령에 따라 데이터를 이용하여 상기 명령에 대응하는 연산을 수행하는 코어부;상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 또는 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소를 저장하는 캐시 메모리부; 및상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 연결되고, 상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 데이터를 전송하는 버스 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 프로세서 내에서 상기 캐시 메모리부의일부인전자장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 프로세싱 시스템을 더 포함하고,상기 프로세싱 시스템은,수신된 명령을 해석하고 상기 명령을 해석한 결과에 따라 정보의 연산을 제어하는 프로세서;상기 명령을 해석하기 위한 프로그램 및 상기 정보를 저장하기 위한 보조기억장치;상기 프로그램을 실행할 때 상기 프로세서가 상기 프로그램 및 상기 정보를 이용해 상기 연산을 수행할 수 있도록 상기 보조기억장치로부터 상기 프로그램 및 상기 정보를 이동시켜 저장하는 주기억장치; 및상기 프로세서, 상기 보조기억장치 및 상기 주기억장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스 장치를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 프로세싱 시스템 내에서 상기 보조기억장치 또는 상기 주기억장치의일부인전자장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 데이터 저장 시스템을 더 포함하고,상기 데이터 저장 시스템은,데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 저장 장치;외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 저장 장치의 데이터 입출력을 제어하는 컨트롤러; 상기 저장 장치와 외부 사이에 교환되는 데이터를 임시로 저장하는 임시 저장 장치; 및상기 저장 장치, 상기 컨트롤러 및 상기 임시 저장 장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 데이터 저장 시스템 내에서 상기 저장 장치 또는 상기 임시 저장 장치일부인전자장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 메모리 시스템을 더 포함하고,상기 메모리 시스템은, 데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 메모리;외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 메모리의 데이터 입출력을 제어하는 메모리 컨트롤러;상기 메모리와 외부 사이에 교환되는 데이터를 버퍼링하기 위한 버퍼 메모리; 및상기 메모리, 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 버퍼 메모리 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 메모리 시스템 내에서 상기 메모리 또는 상기 버퍼 메모리의일부인전자장치. [청구항 18] 복수의 물질층을 포함하고, 상기 복수의 물질층 각각은 서로 다른 결정구조를 갖는 하부층 상기 하부층 상에 형성되어 변경가능한 자화방향을 갖고 상기 하부층과 상이한 결정구조를 갖는 제1자성층 상기 제1자성층 상에 형성된 터널베리어층 상기 터널베리어층 상에 형성되어 고정된 자화 방향을 갖는 제2자성층을 포함하고, 상기 하부층은, fcc 결정구조를 갖는 제1물질층; 및 상기 제1물질층 상에 형성되어 nacl 결정구조를 갖는 제2물질층 을 포함하는 전자장치 [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 하부층은 제1물질층과 제2물질층 사이에 게재되고, wurtzite 결정구조를 갖는 더스팅층더 포함하는전자장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,더스팅층은 설정된 범위내에서 최대한형성된전자장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 하부층은 상기 제2물질층과 상기 제1자성층 사이에 게재되고, wurtzite 결정구조를 갖는 더스팅층더 포함하는전자장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,더스팅층은 설정된 범위내에서 최대한형성된전자장치. [청구항 23] 제19항에 있어서,더스팅층은 알루미늄질화물(aln), 요오드화은(agi), 아연산화물(zno), 황화카드뮴(cds), 셀렌화카드뮴(cdse), 실리콘카바이드(sic), 갈륨질화물(gan) 및 보론나이트라이드(bn)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나포함하는전자장치. [청구항 24] 제18항에 있어서,상기 제1물질층은 fcc 결정구조를 갖는 금속질화물포함하는전자장치. [청구항 25] 제18항에 있어서,상기 제1물질층은 지르코늄질화물(zrn), 하프늄질화물(hfn) 및 티타늄질화물(tin) 및 몰리브덴질화물(mon)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나포함하는전자장치. [청구항 26] 제18항에 있어서,상기 제2물질층은 nacl 결정구조를 갖는 금속산화물포함하는전자장치. [청구항 27] 제18항에 있어서,상기 제2물질층은 마그네슘산화물(mgo) 또는 지르코늄산화물포함하는전자장치. [청구항 28] 제18항에 있어서,상기 제1자성체는 bcc 결정구조갖는전자장치.