이미지 센서 및 그 제조 방법 document_id 1020150179205

[청구항 1] 복수의 화소 영역을 가지는 반도체 기판 상기 복수의 화소 영역에 형성된 복수의 광전 변환 소자 상기 복수의 광전 변환 소자와 이격되도록 상기 반도체 기판에 형성된 복수의 스토리지 노드 영역 상기 반도체 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 광전 변화 소자에 대응되는 복수의 컬러필터층 상기 복수의 컬러필터층 사이에 배치되며, 상기 복수의 스토리지 노드 영역과 전기적으로 연결되는 복수의 스터드층 상기 컬러필터층을 덮으며, 상기 스터드층의 상면을 노출시키는 코팅층 상기 코팅층 상에 형성되고, 상기 복수의 광전 변환 소자에 대응하는 복수의 분리 공간을 한정하고 상기 스터드층의 적어도 일부분을 노출시키는 분리 절연층 상기 복수의 분리 공간을 각각을 채우며, 상기 복수의 분리 공간 각각 내에서 일체로 형성되는 복수의 하부 투명 전극층; 및 상기 복수의 하부 투명 전극층 상에 순차적으로 배치되는 유기 광전층 및 상부 투명 전극층 을 포함하는 이미지 센서 [청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 분리 절연층은,상기 스터드층의 적어도 일부분을 노출시키는 개구부를 가지는 베이스층; 및 상기 복수의 분리 공간 각각의 사이에 배치되도록 상기 베이스층 상에 형성되는 분리층;을 포함하며,상기 복수의 분리 공간 각각은, 상기 개구부 내의 공간, 및 상기 베이스층 상에서 상기 분리층에 의하여 둘러싸인 공간으로 이루어지고, 상기 복수의 하부 투명 전극층의 상면과 상기 분리층의 상면은 동일한레벨가지는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 3] 제2 항에 있어서,상기 개구부의 폭은, 상기 스터드층의 폭보다 작은 것특징으로 하는이미지 센서. [청구항 4] 제2 항에 있어서,상기 코팅층과 상기 하부 투명 전극층nan은이격되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 5] 제2 항에 있어서,상기 코팅층의 일부분은 상기 하부투명 전극층과접하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 6] 제1 항에 있어서,상기 유기 광전층은, 상기 복수의 하부 투명 전극층 상에일체형성되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 7] 제1 항에 있어서,상기 상부 투명 전극층은, 상기 복수의 하부 투명 전극층 상에일체형성되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 8] 제1 항에 있어서,상기 코팅층의 상면과 상기 스터드층의 상면nan은동일레벨의평면이루는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 9] 제1 항에 있어서,상기 반도체 기판을 관통하여, 상기 스토리지 노드 영역와 상기 스터드층을 전기적으로 연결하는관통비아더포함하는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 10] 제1 항에 있어서,상기 스토리지 노드 영역은, 상기 광전 변환 소자보다 작은면적가지는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 11] 제1 항에 있어서,상기 컬러필터층의 상면은 상기 스터드층의 상면보다 낮은레벨가지는것을특징으로 하는이미지 센서.