문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 하부 갭은 약 0.15 ㎜ 미만인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 하부 갭은 약 0.1 ㎜ 이하인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 상부 갭은 약 0.1 ㎜ 이하인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,캐리어 링 지지부 각각은 상기 캐리어 링이 상기 캐리어 링 지지부들에 의해 지지될 때, 상기 캐리어 링의 상기 하단 표면이 배치되는 상기 환형 표면 위에 상기 제 1 수직 거리를 규정하도록 높이 조정 가능한,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 캐리어 링 지지부들 중 적어도 하나는 상기 캐리어 링 지지부들 중 상기 적어도 하나의 상기 높이를 조정하기 위한 하나 이상의 스페이서들을 포함하는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 복수의 캐리어 링 지지부들은 상기 환형 표면의 상기 외경에서 대칭으로 배치된 적어도 3개의 캐리어 링 지지부들을 규정하는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하고, 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만으로 상기 웨이퍼의 상기 에지 구역에서의 상기 웨이퍼의 상기 후면 상의 증착을 제한하고, 상기 에지 구역은 상기 웨이퍼의 상기 에지로부터 대략 3 ㎜에서 규정되는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 증착 프로세스는 원자 층 증착 (ald) 프로세스인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 캐리어 링은 상기 페데스탈로 또는 상기 페데스탈로부터의 상기 웨이퍼의 이송 동안 상기 웨이퍼를 지지하도록 구성되는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 캐리어 링은 상기 캐리어 링의 상기 스텝 다운 표면 상에 규정된 복수의 캐리어 링 웨이퍼 지지부들을 포함하고, 상기 캐리어 링 웨이퍼 지지부들은 상기 웨이퍼가 이송 동안 상기 캐리어 링에 의해 지지될 때 상기 웨이퍼와 인게이지하도록 (engage) 구성되는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 하부 갭은 약 0.1 ㎜ 이하이고;상기 상부 갭은 약 0.1 ㎜ 이하인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 14]
제 12 항에 있어서,캐리어 링 지지부 각각은 상기 캐리어 링이 상기 캐리어 링 지지부들에 의해 지지될 때, 상기 캐리어 링의 상기 하단 표면이 배치되는 상기 환형 표면 위에 상기 제 1 수직 거리를 규정하도록 높이 조정 가능한,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 캐리어 링 지지부들 중 적어도 하나는 상기 캐리어 링 지지부들 중 상기 적어도 하나의 상기 높이를 조정하기 위한 하나 이상의 스페이서들을 포함하는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 16]
제 12 항에 있어서,상기 복수의 캐리어 링 지지부들은 상기 환형 표면의 상기 외경에서 대칭으로 배치된 적어도 3개의 캐리어 링 지지부들을 규정하는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 17]
제 12 항에 있어서,상기 캐리어 링은 상기 페데스탈로 또는 상기 페데스탈로부터의 상기 웨이퍼의 이송 동안 상기 웨이퍼를 지지하도록 구성되고;상기 캐리어 링은 상기 캐리어 링의 상기 스텝 다운 표면 상에 규정된 복수의 캐리어 링 웨이퍼 지지부들을 포함하고, 상기 캐리어 링 웨이퍼 지지부들은 상기 웨이퍼가 이송 동안 상기 캐리어 링에 의해 지지될 때 상기 웨이퍼와 인게이지하도록 구성되는,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 18]
제 12 항에 있어서,상기 증착 프로세스는 원자 층 증착 (ald) 프로세스인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
[청구항 20]
제 19 항에 있어서,상기 증착 프로세스는 원자 층 증착 (ald) 프로세스인,웨이퍼상에막을증착하기 위한프로세스 챔버.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소의 기능과 역할을 분석하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
웨이퍼 에지 구역에서 웨이퍼 후면의 증착을 제한하기 위해 상기 하부 갭과 상부 갭이 수행하는 기능과, 이때 제한되는 후면 증착량의 기준은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation하부 갭과 상부 갭의 기능 및 에지 구역에서 제한되는 후면 증착량의 기준을 추출해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 8에서 갭의 기능과 증착 제한 기준에 관한 정보를 확인한다.
- 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하고, 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만으로 상기 웨이퍼의 상기 에지 구역에서의 상기 웨이퍼의 상기 후면 상의 증착을 제한하고
-
3근거 선택
evidence_selection기능에 해당하는 '프로세스 가스들에 의한 접근을 제한'과 기준에 해당하는 '에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만' 구절을 선택한다.
- 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하고, 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만으로 상기 웨이퍼의 상기 에지 구역에서의 상기 웨이퍼의 상기 후면 상의 증착을 제한하고
-
4논리 통합
logical_integration갭의 기능은 가스 접근 제한이며, 제한 기준은 전면 증착량의 20% 미만임을 논리적으로 연결한다.
- 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하고, 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만으로 상기 웨이퍼의 상기 에지 구역에서의 상기 웨이퍼의 상기 후면 상의 증착을 제한하고
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대해 기능과 기준을 명확히 기술하여 답변을 구성한다.
- 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하고, 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만으로 상기 웨이퍼의 상기 에지 구역에서의 상기 웨이퍼의 상기 후면 상의 증착을 제한하고
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하며, 제한되는 후면 증착량의 기준은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만입니다.
최종 답변 (final_answer)
상기 하부 갭과 상기 상부 갭은 증착 프로세스 동안 상기 웨이퍼의 후면으로의 프로세스 가스들에 의한 접근을 제한하며, 제한되는 후면 증착량의 기준은 에지 구역에서 상기 웨이퍼의 전면 상의 증착의 약 20 % 미만이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
상부 및 하부 갭을 통해 프로세스 가스의 후면 접근을 제어함으로써, 웨이퍼 에지 구역에서의 후면 증착량을 전면 증착량의 20% 미만 수준으로 억제하는 기술이다.