문맥 (context)
[청구항 1]
제조 물품으로서,
집적 회로 디바이스에 대한 설계 엔트리를 비일시적 방법으로 저장하는 머신 판독가능 데이터 저장 매체를 포함하고,
상기 설계 엔트리는,
집적 회로 디바이스의 제조 동안 제 1 재료 층 상의 트렌치들 내에서 에픽택셜하게 (epitaxially) 형성되는 제 2 재료의 복수의 라인들을 포함하는 레이아웃; 및
제 2 측벽 스페이서들과 교번하는 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들에서 상기 트렌치들을 형성하는 상기 단일 에지를 가지는 마스크 엘리먼트를 특정하는 마스크 층을 포함하는, 제조 물품
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 재료 및 상기 제 1 재료 층은동일한재료인,제조 물품.
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 레이아웃은 상기 라인들의 특정 라인에서 형성된 트랜지스터를 더 포함하고,상기 디자인 엔트리는 상기 특정 라인 위에 게이트 컨덕터를 정의하는 마스크 엘리먼트를 특정하는 추가 마스크 층더 포함하는,제조 물품.
[청구항 4]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 디자인 엔트리는 상기 라인들 핀들과 직각으로 지향하는 게이트 컨덕터들을 정의하는 마스크 엘리먼트를 특정하는 추가 마스크 층더 포함하는,제조 물품.
[청구항 5]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 라인들에서의 라인들은 실질적으로 합동인 형상들가지는,제조 물품.
[청구항 6]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 라인들에서의 인접 라인들은 상기 마스크 엘리먼트의 상기 단일 에지에 대해 법선 방향서로 분리되어 있는,제조 물품.
[청구항 7]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마스크 층의 상기 단일 에지는 상기 복수의 라인들에서의 특정 라인의 에지정렬되는,제조 물품.
[청구항 8]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마스크 층의 상기 단일 에지는 전체적인 상기 복수의 라인들의 형상부들을 나타내는 윤곽갖는,제조 물품.
[청구항 9]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마스크 층의 상기 단일 에지는 상기 복수의 라인들 각각의 라인의 형상부들을 나타내는 윤곽갖는,제조 물품.
[청구항 10]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 라인들에서의 라인들은 실질적으로 동일한 폭갖는,제조 물품.
[청구항 11]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 라인들에서의 인접하는 라인들은 상기 복수의 라인들에 걸쳐 실질적으로 동일한 분리 폭분리되는,제조 물품.
[청구항 12]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 라인들에서의 라인들은 상기 복수의 라인들에 걸쳐 10% 미만만큼 변하는 폭갖는,제조 물품.
[청구항 13]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 라인들에서의 라인들은 15 nm 이하의 폭갖는,제조 물품.
[청구항 14]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마스크 층에 의해 특정된 상기 마스크 엘리먼트는 제 4 측벽 스페이서들과 교번하는 제 3 측벽 스페이서들의 상기 제 2 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 3 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들에서 트렌치들 내의 상기 제 1 재료 층 상에 에픽택셜하게 성장되는 상기 제 2 재료의 전체적인 제 2 복수의 라인들을 제조하기 위한 제 2 단일 에지를 더 포함하고,상기 레이아웃은 상기 제 2 재료의 상기 제 2 복수의 라인들더 포함하는,제조 물품.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 레이아웃은,상기 복수의 제 1 라인들이 상기 복수의 제 1 라인들에서의 특정 라인의 폭의 적어도 두배의 최소 간격만큼 복수의 제 2 라인들로부터 분리되고; 상기 복수의 제 1 라인들에서의 각각의 라인은 제 1 라인 폭 조도 (line width roughness) 및 상기 제 1 라인 폭 조도보다 작은 제 1 라인 에지 조도 (line edge roughness) 를 가지며;상기 복수의 제 2 라인들에서의 각각의 라인은 제 2 라인 폭 조도 및 상기 제 2 라인 폭 조도보다 작은 제 2 라인 에지 조도를 가지며;상기 제 1 복수의 라인들에서의 모든 라인들은 상기 복수의 제 2 라인들에서의 라인들 각각과 상이한 길이방향 곡률 (longitudinal curvature) 을갖는,제조 물품.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1항의 제조 물품에서 트렌치들을 형성하는 위치를 정의하기 위해 사용되는 마스크 층의 단일 에지는 어떤 과정을 통해 정의되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 마스크 층의 단일 에지가 정의되는 구체적인 공정 과정을 묻는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 마스크 층의 단일 에지에 관한 설명을 추출한다.
- 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들에서 상기 트렌치들을 형성하는 상기 단일 에지를 가지는 마스크 엘리먼트
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3근거 선택
evidence_selection단일 에지를 정의하는 핵심 공정인 '연속적인 형성'과 '제거' 부분을 선택한다.
- 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들
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4논리 통합
logical_integration제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대해 연속적으로 형성한 후, 해당 스페이서들을 제거함으로써 위치가 정의된다는 논리를 구성한다.
- 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로, 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대한 연속적인 형성 및 제 1 측벽 스페이서들의 제거를 통해 정의된다고 결론짓는다.
- 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들
최종 답변 (final_answer)
제 1 측벽 스페이서들의 단일 에지에 대하여 연속적인 형성 및 상기 제 1 측벽 스페이서들의 제거에 의해 정의되는 위치들
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 측벽 스페이서의 연속적인 형성 및 제거 공정을 통해 마스크 층의 단일 에지를 정의함으로써, 트렌치 형성을 위한 정밀한 위치를 결정하는 기술에 관한 것이다.