고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법, 및 전자 기기 document_id 1020157020183

[청구항 1] 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판에 형성된 제1의 포토 다이오드 제1의 면이 상기 실리콘 기판의 표면에 인접한 에피택셜층 및 게이트 전극이 적어도 상기 제1의 포토 다이오드로부터 상기 제1의 면에 대향하는 상기 에피택셜층의 제2의 면까지 연재되는 전송 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 에피택셜층에 형성되고, 상기 전송 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 전기적으로 접촉하고 있는플로팅 디퓨전더구비하는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 에피택셜층상에 형성된복수의화소트랜지스터더구비하는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 복수의 화소 트랜지스터는 적어도 상기 제1의 포토 다이오드가 형성된상기실리콘 기판적어도일부분으로덮는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 에피택셜층에 형성된 제2의포토다이오드더구비하는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기제2의 포토 다이오드는상기전송트랜지스터의상기게이트 전극과전기적접촉하고있는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 에피택셜층에 형성된복수의포토다이오드더구비하는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기제1의 포토 다이오드 및 상기 에피택셜층에 형성된 상기 포토 다이오드는상기전송트랜지스터의상기게이트 전극과전기적접촉되어있는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,복수의 피닝층을 더 구비하고, 상기 에픽택셜층에 형성된 상기 복수의 포토 다이오드는 상기 복수의 피닝층과 함께깊이방향적층되어있는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 에피택셜층에 형성된 상기 복수의 에피택셜층의 적어도 하나의 면적은, 상기 에피택셜층에 형성된 상기 복수의 포토 다이오드의 다른 것 중 적어도 하나와 다른 상기 에피택셜층의 상기 제1의 면에 평행한 평면에서의면적갖는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 에피택셜층에 형성된 상기 포토 다이오드는 상기 실리콘 기판에 형성된상기포토다이오드적어도일부분으로덮는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 12] 제11항에 있어서,플로팅 디퓨전을 더 포함하고, 상기 플로팅 디퓨전의 전어도 일부분은 상기 제1의포토다이오드적어도일부분으로덮는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 13] 제12항에 있어서,복수의 화소 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 복수의 화소 트랜지스터는 상기 에피택셜층상에 형성되고 상기 제1의포토다이오드적어도일부분으로덮는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 14] 복수의 화소; 반고체 기판상의 에피택셜층; 상기 에피택셜층 에 형성된 플로팅 디퓨전 및 복수의 전송 게이트 전극을 구비하고, 상기 복수의 화소의 각각의 화소는 상기 반도체 기판에 형성되고, 상기 화소는 중심점에 대하여 대칭이고, 각각의 상기 화소는 상기 전송 게이트 전극에 의하여 상기 플로팅 디퓨전과 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 복수의 화소는 상기 플로팅 디퓨전에 대해대칭적배치되어있는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 에피택셜층에 형성된복수의화소트랜지스터더구비하는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 복수의 전송 게이트 전극은 상기 플로팅 디퓨전에 대해대칭적배치되어있는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 19] 광학계 및 상기 광학계로부터 광을 수광하는 고체 촬상 소자를 포함하는 촬상 소자를 구비하고, 상가 고체 촬상 소자는, 온 칩 렌즈; 반사 방지막; 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판에 형성된 제1의 포토 다이오드 제1의 면이 상기 실리콘 기판의 표면에 인접한 에피택셜층 게이트 전극이 적어도 상기 제1의 포토 다이오드로부터 상기 제1의 면에 대향하는 상기 에피택셜층의 제2의 면까지 연재되는 전송 트랜지스터 및 상기 촬상 소자로부터 신호를 수신하는 신호 처리 회로를 포함하고, 상기 반사 방지막은 상기 실리콘 기판의 상기 제1의 면에 접속되어 있고, 상기 온 칩 렌즈는 적어도 상기 반사 방지막에 의하여 상기 실리콘 기판의 상기 제1의 면으로부터 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 기기 [청구항 20] 광학계 및 상기 광학계로부터 광을 수광하는 고체 촬상 소자를 포함하는 촬상 소자를 구비하고, 상가 고체 촬상 소자는, 복수의 화소; 반도체 기판상의 에피택셜층; 상기 에피택셜층 에 형성된 플로팅 디퓨전 복수의 전송 게이트 전극 및 상기 촬상 소자로부터 신호를 수신하는 신호 처리 회로를 포함하고, 각각의 상기 복수의 화소는 상기 반도체 기판에 형성되고, 상기 화소는 중심점에 대하여 대칭이고, 각각의 상기 화소는 상기 전송 게이트 전극 중 하나에 의하여 상기 플로팅 디퓨전과 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 기기