아자-치환된 포스핀 옥사이드 매트릭스 및 금속 염을 포함하는 반도체 물질 document_id 1020157031912

[청구항 2] 제 1항에 있어서,이온이 주기율표의 주족으로부터 선택된 금속 원소양이온인,반도체 물질. [청구항 3] 제 2항에 있어서,금속 원소가 주기율표의 제 1 또는 제 2 주족선택되는,반도체 물질. [청구항 5] 제 4항에 있어서,페이서a가 아진-2,4-디일, 아진-2,5-디일, 아진-2,6-디일, 1,3-디아진-2,4-디일 및 1,3-디아진-2,5-디일선택되는,반도체 물질. [청구항 6] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,전자 수송 단위e가 c14-c50-아릴 또는 c8-c50 헤테로아릴인,반도체 물질. [청구항 7] 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,화학식(i)의 화합물에서, 기 e-a-가 하기 화학식에 의해 표현되는 기이고;상기 화학식에서, 점선은 인 원자에 대한 단일 결합을 의미하고, y1 및 y3는 독립적으로 h, c6-c50 아릴, c3-c50 헤테로아릴, p(o)r4r5로부터 선택되고;y2 및 y4는 독립적으로 h, c6-c50 아릴 및 c3-c50 헤테로아릴로부터 선택되고;r4 및 r5는 독립적으로 c6-c30 아릴, c3-c30 사이클로알킬 및 c3-c30 헤테로아릴로부터 선택되고,x1 및 x2는 독립적으로 c 및 n으로부터 선택되고, 단, i) x1 및 x2 둘 모두는 동시에 n이 아니고, x1 및 x2 중 어느 하나가 n인 경우, 인접하는 y는 홀 전자쌍이고,ii) y1 및 y3 둘 모두는 x1 및 x2 중 어느 하나가 n인 경우, p(o)r4r5가 아니고,iii) y1, y2, y3, y4 중 적어도 하나는 1,1'-바이페닐릴이거나 적어도 두 개의 축합된 방향족 고리포함하는,반도체 물질. [청구항 8] 제 7항에 있어서,선택되는 적어도 두 개의 기가인,반도체 물질. [청구항 9] 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,금속 양이온이 li+ 및 mg2+로부터선택되는,반도체 물질. [청구항 10] 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,금속 양이온의 염이 포스핀 옥사이드 기로 치환된 8-하이드록시퀴놀리놀레이트, 피라졸릴보레이트 및 페놀레이트선택되는,반도체 물질. [청구항 12] 제 11항에 있어서,반도체 물질이 전자 수송 층 또는 전자 주입 층존재하는,전자 소자. [청구항 13] 제 11항에 있어서,발광nan소자인,전자 소자. [청구항 15] 제 14항에 있어서,화학식(i)의 화합물이 하기 구조식 (ia) 또는 (ib)를 갖는 화합물:상기 식에서, r6, r7 및 r8은 독립적으로 c6-c30 아릴, c3-c30 사이클로알킬 및 c3-c30 헤테로아릴로부터 선택되고, y5, y7, y9 및 y11은 독립적으로 h, c6-c50 아릴, c3-c50 헤테로아릴 및 p(o)r4r5로부터 선택되고, y6, y8, y10 및 y12는 독립적으로 h, c6-c50 아릴 및 c3-c50 헤테로아릴로부터 선택되고, x3, x4, x5 및 x6은 독립적으로 c 및 n으로부터 선택되고, 단,i) x3 및 x4 둘 모두 또는 x5 및 x6 둘 모두는 동시에 n이 아니고, x3 및 x4 중 어느 하나 또는 x5 및 x6 중 어느 하나가 n인 경우, 인접하는 y는 홀 전자쌍이고,ii) y5 및 y7 둘 모두 및 y9 및 y11 둘 모두는 x3 및 x4 중 어느 하나 또는 x5 및 x6 중 어느 하나가 n인 경우, p(o)r4r5가 아니고,iii) y5, y6, y7, y8 중 적어도 하나 및 y9, y10, y11, y12 중 적어도 하나는 1,1'-바이페닐릴이거나 적어도 두 개의축합된방향족 고리를 포함한다.