에칭액 및 그 키트 이들을 이용한 에칭 방법 반도체 기판 제품의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 document_id 1020157034965

[청구항 3] 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기함질소 유기 화합물의 분자량이 1,000 이상000 이하인에칭액. [청구항 4] 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기함불소 화합물 100질량부에 대하여, 상기 함질소 유기 화합물을 0.01질량부 이상 25질량부 이하함유시킨에칭액. [청구항 5] 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기함질소 유기 화합물의 농도가 0.0001질량%~5질량인에칭액. [청구항 6] 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기함질소 유기 화합물이 하기 식 a-1~a-8 중 어느 하나로 나타나는 반복 단위를 갖는 화합물 또는 하기 식 b로 나타나는 화합물인 에칭액.[화학식 1]ra는, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 또는 헤테로환기를 나타낸다. rb는, 알킬기, 알켄일기, 아릴기를 나타낸다. la는, 알킬렌기, 카보닐기, 이미노기, 아릴렌기, 헤테로환기, 또는 이들의 조합을 나타낸다. lb는, 단결합, 알킬렌기, 카보닐기, 이미노기, 아릴렌기, 헤테로환기, 또는 이들의 조합을 나타낸다. rc는, 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. n은 0 이상의 정수를 나타낸다. n의 상한은 각 환상 구조부의 치환 가능수이다. 환 q1~q3은 함질소 복소환을 나타낸다. 식 중 *는, 결합 위치를 나타낸다.rc2n-[ld-n(rc)]m-ld-nrc2…b식 중, rc는, 상기와 동일하다. m은 0 이상의 정수를 나타낸다. ld는, 알킬렌기, 카보닐기, 이미노기, 아릴렌기, 헤테로환기, 또는 이들의 조합을 나타낸다. 복수의 rc, ld는, 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. 복수의 rc, ld는 서로 결합하여 환형성하고있어도 된다. [청구항 7] 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기함질소 유기 화합물이, 폴리에틸렌이민, 폴리바이닐아민, 폴리알릴아민, 폴리바이닐이미다졸, 폴리헥사다이메트린, 폴리(4-바이닐피리딘), 폴리히스티딘, 폴리아르지닌, 폴리다이메틸다이알릴암모늄, 폴리라이신, 폴리오니틴, 다이에틸렌트라이아민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, 폴리다이알릴아민이거나, 혹은 인 함유 화합물이, 인산, 포스폰산, 페닐포스폰산, 도데실인산, 1-하이드록시에테인-1,1-비스(포스폰산2인산인에칭액. [청구항 8] 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기인 함유 화합물이 하기식나타나는화합물인에칭액.[화학식 2]rb1~rb3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 기이다. lb1은 n가의 연결기이다. rb1~rb3은 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. n은 2~6의 정수이며, m은 1~6의 정수이다. [청구항 9] 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,상기인 함유 화합물의 농도가 0.0001질량%~5질량인에칭액. [청구항 10] 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,상기함불소 화합물이, 불화 수소산, 불화 암모늄, 불화 테트라메틸암모늄, 테트라플루오로붕산, 헥사플루오로인산, 헥사플루오로규산, 테트라플루오로붕산 암모늄, 헥사플루오로인산 암모늄, 및 헥사플루오로규산 암모늄으로 이루어지는 군선택되는에칭액. [청구항 11] 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,상기 질산의 농도가 10질량%~95질량인에칭액. [청구항 12] 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,상기함불소 화합물의 농도가 0.001질량%~10질량인에칭액. [청구항 13] 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,타이타늄 함유층과 실리콘 함유층을 모두 제거할 수있는에칭액. [청구항 14] 청구항 13에 있어서,상기 타이타늄 함유층의 에칭 속도로 상기 실리콘 함유층의 에칭 속도를 나눈 비율을, 1000~0.1의범위조정할수있는에칭액. [청구항 15] 청구항 14에 있어서,상기 에칭 속도의 비율을, 하기의 수단 a~d 중 어느하나또는이들의조합조정할수있는에칭액.a: 함질소 유기 화합물의 분자량을 높임으로써 에칭 속도비를 높임b: 함질소 유기 화합물 또는 인 함유 화합물의 농도를 높임으로써 에칭 속도비를 높임c: 함불소 화합물의 농도를 높임으로써 상기 타이타늄 함유층의 에칭 속도 및 상기 실리콘 함유층의 에칭 속도를 모두 높임d: 질산의 농도를 높임으로써 상기 타이타늄 함유층의 에칭 속도 및 상기 실리콘 함유층의 에칭 속도를 모두 높임 [청구항 21] 청구항 20에 있어서,상기 에칭 속도의 비율을, 하기의 수단 a~d 중 어느 하나 또는 이들의 조합조정하는에칭 방법.a: 함질소 유기 화합물의 분자량을 높임으로써 에칭 속도비를 높임b: 함질소 유기 화합물 또는 인 함유 화합물의 농도를 높임으로써 에칭 속도비를 높임c: 함불소 화합물의 농도를 높임으로써 상기 타이타늄 함유층의 에칭 속도 및 상기 실리콘 함유층의 에칭 속도를 모두 높임d: 질산의 농도를 높임으로써 상기 타이타늄 함유층의 에칭 속도 및 상기 실리콘 함유층의 에칭 속도를 모두 높임