문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 기판의 최표면에 있어서의 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 기판의 최표면에 있어서의 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 기판의 최표면에 있어서의 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 5]
제1항에 있어서,이상의 두께를갖는질화갈륨 자립 기판.
[청구항 6]
제1항에 있어서,직경100 mm 이상의 크기갖는질화갈륨 자립 기판.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는, 법선 방향으로 가지런한 결정 방위갖는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 n형 도펀트 또는 p형 도펀트도핑되어 있는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 도펀트포함하지 않는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 혼정화되어 있는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 비(dt/db)는 1.5 이상인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 질화갈륨 자립 기판의 표면에 노출되어 있는 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 dt에 대한, 상기 질화갈륨 자립 기판의 두께 t의 비로서 규정되는 애스펙트비7 이상인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 발광 기능층의 최표면에 있어서의 상기 반도체 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인발광 소자.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 발광 기능층의 최표면에 있어서의 상기 반도체 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인발광 소자.
[청구항 16]
제13항에 있어서,상기 반도체 단결정 입자는, 상기 질화갈륨 자립 기판의 결정 방위를 따라서 성장한 구조갖는 것인발광 소자.
[청구항 17]
제13항에 있어서,상기 발광 기능층은 질화갈륨계 재료구성되는 것인발광 소자.
[청구항 26]
제25항에 있어서,상기 단면 평균 직경은 50 ㎛ 이상이하인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 27]
제25항에 있어서,이상의 두께를갖는질화갈륨 자립 기판.
[청구항 28]
제25항에 있어서,직경100 mm 이상의 크기갖는질화갈륨 자립 기판.
[청구항 29]
제25항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 법선 방향으로 가지런한 결정 방위갖는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 30]
제25항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 n형 도펀트 또는 p형 도펀트도핑되어 있는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 31]
제25항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 도펀트포함하지 않는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 32]
제25항에 있어서,상기 질화갈륨계 단결정 입자는 혼정화되어 있는 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 33]
제25항에 있어서,질화갈륨 자립 기판의 이면에 노출되어 있는 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 db에 대한, 질화갈륨 자립 기판의 표면에 노출되어 있는 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 dt의 비것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 34]
제25항에 있어서,상기 질화갈륨 자립 기판의 표면에 노출되어 있는 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 dt에 대한, 상기 질화갈륨 자립 기판의 두께 t의 비로서 규정되는 애스펙트비7 이상인 것인질화갈륨 자립 기판.
[청구항 36]
제35항에 있어서,상기 발광 기능층의 최표면에 있어서의 상기 반도체 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인발광 소자.
[청구항 37]
제36항에 있어서,상기 발광 기능층의 최표면에 있어서의 상기 반도체 단결정 입자의 단면 평균 직경이상인 것인발광 소자.
[청구항 38]
제35항에 있어서,상기 반도체 단결정 입자는, 상기 질화갈륨 자립 기판의 결정 방위를 따라서 성장한 구조갖는 것인발광 소자.
[청구항 39]
제35항에 있어서,상기 발광 기능층은 질화갈륨계 재료구성되는 것인발광 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
질화갈륨 자립 기판에서 애스펙트비는 어떤 요소들의 비로 규정되며, 청구항 12항에 따른 애스펙트비의 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation질화갈륨 자립 기판의 애스펙트비 정의 요소와 청구항 12항에 명시된 구체적인 조건을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 12항에서 애스펙트비가 '단면 평균 직경 dt'에 대한 '두께 t의 비'로 규정됨을 확인하고, 그 조건이 '7 이상'임을 파악한다.
- 상기 질화갈륨 자립 기판의 표면에 노출되어 있는 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 dt에 대한, 상기 질화갈륨 자립 기판의 두께 t의 비로서 규정되는 애스펙트비7 이상인 것
-
3근거 선택
evidence_selection애스펙트비의 구성 요소(dt, t)와 조건(7 이상)이 포함된 청구항 12항의 문구를 선택한다.
- 상기 질화갈륨 자립 기판의 표면에 노출되어 있는 상기 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 dt에 대한, 상기 질화갈륨 자립 기판의 두께 t의 비로서 규정되는 애스펙트비7 이상인 것
-
4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 애스펙트비는 dt(단면 평균 직경)와 t(두께)의 비이며, 청구항 12항의 조건은 7 이상임을 결합한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변을 구성 요소와 조건으로 나누어 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 structured 형식에 맞춰 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
{
"aspect_ratio_definition": "질화갈륨 자립 기판의 표면에 노출되어 있는 질화갈륨계 단결정 입자의 최표면에 있어서의 단면 평균 직경 dt에 대한, 질화갈륨 자립 기판의 두께 t의 비",
"claim_12_condition": "7 이상"
}
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 질화갈륨 자립 기판의 기하학적 특성 중 하나인 애스펙트비를 단면 평균 직경과 기판 두께의 비율로 정의하고, 특정 수치 이상의 애스펙트비를 갖는 기판의 구성을 포함한다.