태양 전지 및 그 제조 방법 document_id 1020160010497

[청구항 1] 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 전면 또는 후면에 위치하며, 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 반도체부 상기 제1 반도체부에 연결되는 제1 전극; 및 상기 반도체 기판의 후면에 연결되는 제2 전극 을 포함하고, 상기 제2 전극은 금속 포일로 형성되고, 상기 금속 포일로 형성된 제2 전극과 상기 반도체 기판의 후면과의 사이에 에어 갭(air gap)이 형성되는 태양 전지 [청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극은 상기 금속 포일이 상기 반도체 기판의 후면에 접속되는 컨텍부(contact portion)와상기 금속 포일이 상기 반도체 기판의 후면으로부터 이격되어, 상기 반도체 기판과의 사이에 상기 에어 갭(air gap)이 형성되는 비컨텍부포함하는태양 전지. [청구항 3] 제2 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극의 컨텍부는 상기 반도체 기판의 후면에 점 접속(point contact)하거나 선접속하는태양 전지. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극은 ag, al, au, w, mo, ni, pt, cu, ti, cr, fe 중 적어도 하나의 재질로 형성되거나, 이들의 합금(alloy) 재료형성되는태양 전지. [청구항 5] 제2 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극의 상기 비컨텍부의 두께사이인태양 전지. [청구항 6] 제2 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극의 상기 컨텍부는 상기 비컨텍부보다 상기 반도체 기판 방향함몰되는태양 전지. [청구항 7] 제2 항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 금속 포일로 형성된 제2 전극 사이에는 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부가 더 포함되고,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극의 상기 컨텍부는 상기 제2 반도체부와 접속되고, 비컨텍부는 상기 반도체 기판의 후면으로부터 이격되어 상기 에어 갭형성되는태양 전지. [청구항 8] 제7 항에 있어서,상기 제2 반도체부에서 상기 컨텍부가 접속된 부분의 불순물의 도핑 농도는 상기 제2 반도체부에서 상기 컨텍부가접속되지 않은부분의 불순물 도핑 농도보다 높은 태양 전지. [청구항 9] 제7 항에 있어서,상기 제2 반도체부와 상기 금속 포일로 형성된 제2 전극 사이에는 상기 반도체 기판과 전체적으로 접속되는 금속 전극층이 더 포함되고,상기 컨텍부는 상기 금속 전극층과 접속되고, 상기 비컨텍부는 상기 금속 전극층으로부터 이격되어 상기 에어 갭형성되는태양 전지. [청구항 10] 제7 항에 있어서,상기 제2 반도체부와 상기 금속 포일로 형성된 제2 전극 사이에는 유전체 재질의 후면 패시베이션층이 더 포함되고,상기 컨텍부는 상기 후면 패시베이션층을 관통하여 상기 제2 반도체부와 접속되고, 상기 비컨텍부는 상기 후면 패시베이션층으로부터 이격되어 상기 에어 갭형성되는태양 전지. [청구항 11] 제10 항에 있어서,상기 컨텍부와 상기 제2 반도체부 사이에는 상기 후면 패시베이션층을 관통하는 도전성 컨텍 전극더 위치하는태양 전지. [청구항 12] 제7 항에 있어서,상기 반도체 기판은 결정질 실리콘 재질로 형성되고, 상기 제2 반도체부는 비정질 실리콘 재질로 형성되고, 상기 비정질 실리콘 재질로 형성된 제2 반도체부의 후면에는 투명 전극층이 위치하고, 상기 컨텍부는 상기 투명 전극과 접속되고, 상기 비컨텍부는 상기 투명 전극층으로부터 이격되어 상기 에어 갭형성되는태양 전지. [청구항 13] 제12 항에 있어서,상기 컨텍부와 상기 투명 전극층 사이에는 도전성 컨텍 전극더 위치하는태양 전지. [청구항 14] 제1 항에 있어서,상기 제1 반도체부는 상기 반도체 기판의 후면에 위치하고,상기 반도체 기판의 후면에 위치하며, 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2 반도체부;를 더 포함하고,상기 제1 전극은 상기 반도체 기판의 후면에 위치하여 상기 제1 반도체부에 연결되고,상기 제2 전극은 상기 반도체 기판의 후면에 위치하여 상기 제2 반도체부에 연결되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제1 반도체부 또는 상기 제2 반도체부 각각을 덮는 금속 포일로 형성되며, 상기 금속 포일로 형성된 제1, 2 전극과 상기 제1, 2 반도체부와의 사이에는 에어 갭형성되는태양 전지. [청구항 15] 제14 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제1 전극은 상기 제1 반도체부의 후면에 접속되는 제1 컨텍부와 상기 제1 반도체부로부터 이격되어 상기 제1 반도체부와의 사이에 상기 에어 갭(air gap)이 형성되는 제1 비컨텍부를 포함하고,상기 금속 포일로 형성된 제2 전극은 상기 제2 반도체부의 후면에 접속되는 제2 컨텍부와 상기 제2 반도체부로부터 이격되어 상기 제2 반도체부와의 사이에 상기 에어 갭(air gap)이 형성되는제2비컨텍부를포함하는태양 전지. [청구항 16] 제15 항에 있어서,상기 제1 컨텍부는 상기 제1 반도체부의 후면에 점 접속(point contact)하거나 선 접속하고,상기 제2 컨텍부는 상기 제2 반도체부의 후면에 점 접속(point contact)하거나 선접속하는태양 전지. [청구항 17] 제14 항에 있어서,상기 금속 포일로 형성된 제1, 2 전극은 ag, al, au, w, mo, ni, pt, cu, ti, cr, fe 중 적어도 하나의 재질로 형성되거나, 이들의 합금(alloy) 재료형성되는태양 전지. [청구항 18] 제15 항에 있어서,상기제1, 2 비컨텍부 각각의 두께사이인태양 전지. [청구항 19] 제15 항에 있어서,상기제1, 2 컨텍부 각각은 상기 제1, 2 비컨텍부 각각보다 상기 반도체 기판 방향함몰되는태양 전지.