옵토 커플러 document_id 1020160071801

[청구항 2] 제1항에 있어서,수신기 모듈(em)의 부분 전압원들의 부분 소스 전압들이 서로에 대해 10%미만의편차갖는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 반도체 다이오드(d1, d2, d3, d4, d5)가 각각 동일한반도체재료갖는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 4] 제1항 또는 제2항에 있어서,제1 스택(st1)이 기판(sub) 상에 배치되고, 상기 기판(sub)은반도체재료포함하는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 5] 제1항 또는 제2항에 있어서,제1 스택(st1)이 2㎟ 미만의 또는 1㎟미만의바닥면갖는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 6] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 제1 스택(st1)의 상부측에서 제1 전압 단자(vsup1)가 상기 에지부 둘레를 둘러싸는 금속성 콘택으로서 형성되거나, 상기 에지부(r)에단일콘택면형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 7] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 제1 스택(st1)의 하부측에제2전압단자형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 8] 제7항에 있어서,수신기 모듈(em)의 제2 전압 단자(vsup2)가 기판을 관통하여형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 9] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em) 내에 제1 스택(st2)이 형성되고, 제1 스택(st1)과 제2 스택(st2)이 하나의 공통 캐리어 상에 서로 나란히 배치되며, 상기 두 스택(st1, st2)이 서로 직렬로 연결됨으로써 제1 스택(st1)의 소스 전압(vq1)과 제2 스택(st2)의소스전압가산되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 10] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 개별 다이오드의 p-흡수층과 n-흡수층 사이에진성층형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 11] 제1항 또는 제2항에 있어서,반도체 재료및/또는 수신기 모듈(em)의 기판이 ⅲ-ⅴ족재료형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 12] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 기판이게르마늄또는갈륨비소포함하는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 13] 제1항 또는 제2항에 있어서,하우징 내부에 평가 회로(awe)가 집적되고, 전압원이 상기 평가 회로(awe)와 전기적으로작용연결되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 14] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 스택(st1)의 최하부 반도체 다이오드 아래에반도체 미러형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 15] 제1항 또는 제2항에 있어서,수신기 모듈(em)의 스택(st1)의 반도체 층들이비소함유층들과인함유층들을동시포함하는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 16] 제1항 또는 제2항에 있어서,지부의 모서리가 바로 인접하는 스택 측면으로부터 최소 5㎛ 및 최대 500㎛만큼 떨어져있는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 17] 제3항에 있어서,제1 스택(st1)이 기판(sub) 상에 배치되고, 상기 기판(sub)은반도체재료포함하는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 18] 제3항에 있어서,제1 스택(st1)이 2㎟ 미만의 또는 1㎟미만의바닥면갖는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 19] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em)의 제1 스택(st1)의 상부측에서 제1 전압 단자(vsup1)가 상기 에지부 둘레를 둘러싸는 금속성 콘택으로서 형성되거나, 상기 에지부(r)에단일콘택면형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 20] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em)의 제1 스택(st1)의 하부측에제2전압단자형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 21] 제20항에 있어서,수신기 모듈(em)의 제2 전압 단자(vsup2)가 기판을 관통하여형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 22] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em) 내에 제1 스택(st2)이 형성되고, 제1 스택(st1)과 제2 스택(st2)이 하나의 공통 캐리어 상에 서로 나란히 배치되며, 상기 두 스택(st1, st2)이 서로 직렬로 연결됨으로써 제1 스택(st1)의 소스 전압(vq1)과 제2 스택(st2)의소스전압가산되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 23] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em)의 개별 다이오드의 p-흡수층과 n-흡수층 사이에진성층형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 24] 제3항에 있어서,반도체 재료및/또는 수신기 모듈(em)의 기판이 ⅲ-ⅴ족재료형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 25] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em)의 기판이게르마늄또는갈륨비소포함하는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 26] 제3항에 있어서,하우징 내부에 평가 회로(awe)가 집적되고, 전압원이 상기 평가 회로(awe)와 전기적으로작용연결되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 27] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em)의 스택(st1)의 최하부 반도체 다이오드 아래에반도체 미러형성되는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 28] 제3항에 있어서,수신기 모듈(em)의 스택(st1)의 반도체 층들이비소함유층들과인함유층들을동시포함하는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk). [청구항 29] 제3항에 있어서,지부의 모서리가 바로 인접하는 스택 측면으로부터 최소 5㎛ 및 최대 500㎛만큼 떨어져있는것을특징으로 하는,옵토 커플러(opk).