문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 무기필러는 무기입자 80 내지 95 중량%및암모늄세륨나이트레이트5내지20중량포함하는것을특징으로 하는무기필러.
[청구항 3]
제1항상기 무기입자는 tio2, sio2, al2o3, zro2, mno2, batio3, caco3, 몬트모릴로나이트(montmorillonite) 및 모덴나이트(mordenite)로부터 선택된1종이상인것을특징으로 하는무기필러.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 무기입자의 평균 입경nan은1내지인것을특징으로 하는무기필러.
[청구항 5]
이온전도체; 및
상기 이온전도체에 함침되는 무기필러
를 포함하며,
상기 무기필러는 무기입자의 표면이 암모늄 세륨 나이트레이트(acn)로 코팅된 것을 특징으로 하는 이온교환막
[청구항 6]
다공성 기재;
상기 다공성 기재의 기공에 구비된 이온전도체; 및
상기 이온전도체에 함침되는 무기필러
를 포함하며,
상기 무기필러는 무기입자의 표면이 암모늄 세륨 나이트레이트(acn)로 코팅된 것을 특징으로 하는 이온교환막
[청구항 7]
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 이온전도체는 퍼플루오르술폰산계 고분자, 탄화수소계 고분자, 방향족 술폰계 고분자, 방향족 케톤계 고분자, 폴리벤즈이미다졸계 고분자, 폴리스티렌계 고분자, 폴리에스테르계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리비닐리덴 플루오라이드계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리페닐렌설파이드계 고분자, 폴리페닐렌옥사이드계 고분자, 폴리포스파젠계 고분자, 폴리에틸렌나프탈레이트계 고분자, 폴리에스테르계 고분자, 도핑된 폴리벤즈이미다졸계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리페닐퀴녹살린계 고분자, 폴리술폰계 고분자, 술폰화 폴리아릴렌에테르계 고분자, 술폰화 폴리에테르케톤계 고분자, 술폰화 폴리에테르에테르케톤계 고분자, 술폰화 폴리아미드계 고분자, 술폰화 폴리이미드계 고분자, 술폰화 폴리포스파젠계 고분자, 술폰화 폴리스티렌계 고분자 및 방사선 중합된 술폰화 저밀도폴리에틸렌-g-폴리스티렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 군에서 선택된1종이상포함하는것을특징으로 하는이온교환막.
[청구항 8]
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 무기필러는 상기 이온전도체 함량 대비 0.1내지5중량함침되는것을특징으로 하는이온교환막.
[청구항 9]
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 무기필러의 세륨 이온(ce4+)은 상기 이온전도체에 존재하는 술폰산기(so3-)와이온결합된것을특징으로 하는이온교환막.
[청구항 10]
제6항에 있어서,상기 다공성 기재는 고밀도 폴리에틸렌(hdpe), 저밀도 폴리에틸렌(ldpe), 선형저밀도 폴리에틸렌(lldpe), 초고분자량 폴리에틸렌(umwpe), 에틸렌비닐아세테이트 공중합체(eva), 폴리프로필렌(pp), 폴리카보네이트(pc), 폴리아크릴로니트릴(pan), 폴리테트라플루오르에틸렌(ptfe), 폴리비닐리덴플로라이드(pvdf), 폴리이미드(pi), 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride), 폴리비닐리덴클로라이드(polyvinylidene chloride), 폴리술폰(polysulfone), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴렌에테르술폰(paes), 폴리에테르케톤(polyetherketone), 폴리에테르에테르케톤(peek), 폴리에틸렌에테르나이트릴(polyethylene ether nitrile), 폴리에틸렌테레프탈레이트(pet) 및 이들의 조합군으로부터 선택된1종인것을특징으로 하는이온교환막.
[청구항 11]
음극; 양극; 및 상기 음극과 상기 양극 사이에 배치되는 이온교환막을 포함하는 바나듐 레독스 플로우 배터리에 있어서,
상기 이온교환막은 상기 제5항 또는 제6항의 이온교환막인 것을 특징으로 하는 바나듐 레독스 플로우 배터리
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이온교환막 내에서 무기필러의 세륨 이온(Ce4+)은 이온전도체의 어떤 성분과 이온 결합을 형성하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation무기필러의 세륨 이온(Ce4+)이 이온전도체의 어떤 성분과 이온 결합을 형성하는지 찾는 것이 과제이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 무기필러의 세륨 이온(Ce4+)과 이온전도체 내 성분 간의 결합 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 무기필러의 세륨 이온(ce4+)은 상기 이온전도체에 존재하는 술폰산기(so3-)와이온결합된것을특징으로 하는이온교환막
-
3근거 선택
evidence_selection세륨 이온과 결합하는 대상이 '술폰산기(so3-)'임을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 무기필러의 세륨 이온(ce4+)은 상기 이온전도체에 존재하는 술폰산기(so3-)와이온결합된것을특징으로 하는이온교환막
-
4논리 통합
logical_integration청구항 9의 내용을 바탕으로 세륨 이온(Ce4+)이 이온전도체 내의 술폰산기(SO3-)와 이온 결합을 형성한다는 논리를 도출한다.
- 상기 무기필러의 세륨 이온(ce4+)은 상기 이온전도체에 존재하는 술폰산기(so3-)와이온결합된것을특징으로 하는이온교환막
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '술폰산기(so3-)'를 결정한다.
- 상기 무기필러의 세륨 이온(ce4+)은 상기 이온전도체에 존재하는 술폰산기(so3-)와이온결합된것을특징으로 하는이온교환막
-
6답변 생성
answer_generation추출된 성분 명칭을 사용하여 최종 답변을 생성한다.
- 상기 무기필러의 세륨 이온(ce4+)은 상기 이온전도체에 존재하는 술폰산기(so3-)와이온결합된것을특징으로 하는이온교환막
최종 답변 (final_answer)
술폰산기(so3-)
핵심 해석 (core_interpretation)
이온교환막 내 무기필러의 세륨 이온이 이온전도체의 술폰산기와 이온 결합을 형성함으로써 구성 요소 간의 화학적 상호작용을 정의한다.