문맥 (context)
[청구항 1]
기판 위에서 가로 방향으로 진행하는 스캔 배선
상기 스캔 배선을 덮는 버퍼 층
상기 버퍼 층 위에서 상기 스캔 배선과 교차하는 반도체 층
상기 반도체 층을 덮는 게이트 절연막
상기 게이트 절연막 위에서 상기 스캔 배선과 평행하게 연결되며, 상기 반도체 층과 교차하는 게이트 전극
상기 게이트 전극을 덮는 중간 절연막
상기 중간 절연막 위에서 상기 스캔 배선과 교차하는 데이터 배선
상기 데이터 배선에서 분기하여 상기 반도체 층의 일측부와 접촉하는 소스 전극
상기 반도체 층의 타측부와 접촉하며, 상기 소스 전극과 이격하여 대향하는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은, 상기 스캔 배선과 중첩하며,상기 버퍼 층 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 스캔 배선과 병렬연결된박막 트랜지스터 기판.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 스캔 배선은,상기 게이트 전극이 배치된 부분에서 폭이 줄어드는 병목 연결부구비한박막 트랜지스터 기판.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 병목 연결부는 동일한 폭완전히 중첩된박막 트랜지스터 기판.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,상기 병목 연결부는,상기 스캔 배선의 폭 방향에서 어느 일측 변으로 치우쳐 배치되며,상기 게이트 전극은,상기 일측변과 대향하는 타측 변으로 치우쳐 배치되어, 상기 병목 연결부중첩하지 않는박막 트랜지스터 기판.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 병목 연결부는,일정 거리이격된박막 트랜지스터 기판.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 중간 절연막 위에서 상기 스캔 배선과 교차하는 구동 전류 배선;상기 드레인 전극과 상기 구동 전류 배선 사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터;상기 구동 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드더 포함하는박막 트랜지스터 기판.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 박막 트랜지스터 기판에서 게이트 전극과 스캔 배선이 연결되는 방식과, 이때 게이트 전극이 관통하는 층들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation게이트 전극과 스캔 배선의 연결 방식 및 게이트 전극이 관통하는 층을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2를 통해 게이트 전극이 스캔 배선과 병렬연결되는 방식과 관통하는 층에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 게이트 전극은, 상기 스캔 배선과 중첩하며,상기 버퍼 층 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 스캔 배선과 병렬연결된
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3근거 선택
evidence_selection연결 방식인 '콘택홀을 통한 병렬연결'과 관통하는 층인 '버퍼 층 및 게이트 절연막'을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 버퍼 층 및 상기 게이트 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 스캔 배선과 병렬연결된
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4논리 통합
logical_integration게이트 전극은 콘택홀을 이용하여 스캔 배선과 병렬로 연결되며, 이 과정에서 버퍼 층과 게이트 절연막을 관통함을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 연결 방식과 관통 층을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
게이트 전극은 콘택홀을 통해 스캔 배선과 병렬로 연결되며, 이때 게이트 전극은 버퍼 층 및 게이트 절연막을 관통한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
게이트 전극이 콘택홀을 통해 스캔 배선과 병렬로 연결됨으로써, 버퍼 층과 게이트 절연막을 관통하는 구조를 가짐을 나타낸다.