문맥 (context)
[청구항 1]
제 1 구리층 및 제 2 구리층과,
상기 제 1 구리층 및 상기 제 2 구리층 위의 제 1 절연층과,
상기 제 1 절연층 위의 산화물 반도체층과,
상기 제 1 절연층 위의 제 3 구리층 및 제 4 구리층과,
상기 산화물 반도체층, 상기 제 3 구리층 및 상기 제 4 구리층 위의 제 2 절연층과,
상기 제 2 절연층 위의 화소 전극 및 전극으로서, 상기 화소 전극 및 상기 전극은 투명한, 상기 화소 전극 및 상기 전극을 포함하고,
상기 제 3 구리층은 상기 산화물 반도체층에 전기적으로 접속되고,
상기 산화물 반도체층은 트랜지스터의 채널 형성 영역을 포함하고,
상기 제 1 구리층은 상기 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하고,
상기 제 4 구리층은 상기 제 1 절연층의 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 2 구리층과 직접 접하고,
상기 화소 전극은 상기 제 3 구리층과 전기적으로 접속되고,
상기 전극은 상기 제 4 구리층을 통해 상기 제 2 구리층과 전기적으로 접속되고,
단자부는 상기 제 2 구리층, 상기 제 4 구리층, 및 상기 전극을 포함하는, 반도체 장치
[청구항 2]
제 1 구리층 및 제 2 구리층과,
상기 제 1 구리층 및 상기 제 2 구리층 위의 제 1 절연층과,
상기 제 1 절연층 위의 산화물 반도체층과,
상기 제 1 절연층 위의 제 3 구리층 및 제 4 구리층과,
상기 산화물 반도체층, 상기 제 3 구리층, 및 상기 제 4 구리층 위의 제 2 절연층과,
상기 제 2 절연층 위의 화소 전극 및 전극으로서, 상기 화소 전극 및 상기 전극은 투명한, 상기 화소 전극 및 상기 전극을 포함하고,
상기 제 3 구리층은 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 접속되고,
상기 산화물 반도체층은 트랜지스터의 채널 형성 영역을 포함하고,
상기 산화물 반도체층은 상기 제 3 구리층과 중첩하는 영역을 포함하고,
상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고,
상기 제 1 구리층은 상기 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하고,
상기 제 4 구리층은 상기 제 1 절연층의 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 2 구리층과 직접 접하고,
상기 화소 전극은 상기 제 3 구리층과 전기적으로 접속되고,
상기 전극은 상기 제 4 구리층을 통해 상기 제 2 구리층과 전기적으로 접속되고,
단자부는 상기 제 2 구리층, 상기 제 4 구리층, 및 상기 전극을 포함하는, 반도체 장치
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 3 구리층은 상기 산화물 반도체층을 덮고 상기 산화물 반도체층의 측면 가장자리직접 접하는,반도체 장치.
[청구항 4]
제 1 구리층 및 제 2 구리층과,
상기 제 1 구리층 및 상기 제 2 구리층 위의 제 1 절연층과,
상기 제 1 절연층 위의 산화물 반도체층과,
상기 제 1 절연층 위의 제 3 구리층 및 제 4 구리층과,
상기 산화물 반도체층, 상기 제 3 구리층, 및 상기 제 4 구리층 위의 제 2 절연층과,
상기 제 2 절연층 위의 화소 전극 및 전극으로서, 상기 화소 전극 및 상기 전극은 투명한, 상기 화소 전극 및 상기 전극을 포함하고,
상기 제 3 구리층은 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 접속되고,
상기 산화물 반도체층은 트랜지스터의 채널 형성 영역을 포함하고,
상기 산화물 반도체층은 상기 제 3 구리층과 중첩하는 영역을 포함하고,
상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고,
상기 제 2 절연층은 상기 채널 형성 영역과 직접 접하고,
상기 제 1 구리층은 상기 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하고,
상기 제 4 구리층은 상기 제 1 절연층의 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 2 구리층과 직접 접하고,
상기 화소 전극은 상기 제 3 구리층과 전기적으로 접속되고,
상기 전극은 상기 제 4 구리층을 통해 상기 제 2 구리층과 전기적으로 접하고,
단자부는 상기 제 2 구리층, 상기 제 4 구리층, 및 상기 전극을 포함하는, 반도체 장치
[청구항 5]
제 1 구리층 및 제 2 구리층과,
상기 제 1 구리층 및 상기 제 2 구리층 위의 제 1 절연층과,
상기 제 1 절연층 위의 산화물 반도체층과,
상기 제 1 절연층 위의 제 3 구리층 및 제 4 구리층과,
상기 산화물 반도체층, 상기 제 3 구리층, 및 상기 제 4 구리층 위의 제 2 절연층과,
상기 제 2 절연층 위의 화소 전극 및 전극으로서, 상기 화소 전극 및 상기 전극은 투명한, 상기 화소 전극 및 상기 전극과,
상기 전극과 전기적으로 접속된 fpc를 포함하고,
상기 제 3 구리층은 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 접속되고,
상기 산화물 반도체층은 트랜지스터의 채널 형성 영역을 포함하고,
상기 제 1 구리층은 상기 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하고,
상기 제 4 구리층은 상기 제 1 절연층의 복수의 콘택홀들을 통해 상기 제 2 구리층과 직접 접하고,
상기 화소 전극은 상기 제 3 구리층과 전기적으로 접속되고,
상기 전극은 상기 제 4 구리층을 통해 상기 제 2 구리층과 전기적으로 접속되고,
단자부는 상기 제 2 구리층, 상기 제 4 구리층, 및 상기 전극을 포함하는, 반도체 장치
[청구항 6]
제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극은 상기 제 2 절연층의 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 4 구리층과 전기적으로 접속되고,상기 제 1 콘택홀은 상기 제 2 콘택홀중첩하지 않는,반도체 장치.
[청구항 7]
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화물 반도체층 상에 적층된 제 2 산화물 반도체층더 포함하는,반도체 장치.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 제 2 반도체층은 상기 채널 형성 영역중첩하지 않는,반도체 장치.
[청구항 9]
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연층은 알루미늄 또는 탄탈륨포함하는,반도체 장치.
[청구항 10]
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 절연층은 알루미늄 또는 탄탈륨포함하는,반도체 장치.
[청구항 11]
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 인듐, 갈륨, 및 아연포함하는,반도체 장치.
[청구항 12]
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 구리층 및 상기 제 2 구리층은 동일한 도전층으로부터 형성되고,상기 제 3 구리층 및 상기 제 4 구리층은 동일한 도전층으로부터 형성되고,상기 화소 전극 및 상기 전극은 동일한 도전층형성되는,반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1항 및 2항의 반도체 장치에서, 산화물 반도체층 내의 채널 형성 영역과 산화물 반도체층이 제 3 구리층과 중첩하는 영역 사이의 두께 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation산화물 반도체층 내의 채널 형성 영역의 두께와 제 3 구리층과 중첩하는 영역의 두께 사이의 관계를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 2항에서 산화물 반도체층의 구성 요소인 채널 형성 영역과 제 3 구리층과 중첩하는 영역에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 산화물 반도체층은 트랜지스터의 채널 형성 영역을 포함하고
- 상기 산화물 반도체층은 상기 제 3 구리층과 중첩하는 영역을 포함하고
- 상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고
-
3근거 선택
evidence_selection두 영역의 두께 관계를 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고
-
4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 통해 채널 형성 영역의 두께가 제 3 구리층과 중첩하는 영역의 두께보다 얇다는 관계를 도출한다.
- 상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 채널 형성 영역의 두께가 중첩 영역의 두께보다 얇다는 결론을 내린다.
- 상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 추출 형식에 맞춰 작성한다.
- 상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역보다 얇고
최종 답변 (final_answer)
상기 채널 형성 영역의 두께는 상기 영역(산화물 반도체층이 제 3 구리층과 중첩하는 영역)보다 얇다.
핵심 해석 (core_interpretation)
산화물 반도체층 내에서 트랜지스터의 채널 형성 영역을 제 3 구리층과 중첩하는 영역보다 얇게 형성하여 소자의 특성을 조절하는 기술적 구성을 나타낸다.