수직 전극 트랜스듀서를 위한 시스템 및 방법 document_id 1020160149005

[청구항 7] 제6항에 있어서,상기 편향가능한 멤브레인 상의 제2 전극 쌍을 더 포함하고, 상기 제2 전극 쌍은 가변 용량을 갖고 제3 이동가능한 전극 및 제4 이동가능한 전극을 포함하고,상기 제3 이동가능한 전극 및 상기 제4 이동가능한 전극은 가변 분리 거리를 갖고 서로에 대해 이동가능하고,상기 가변 용량은 상기 제3 이동가능한 전극과 상기 제4 이동가능한 전극의 상기 가변 분리 거리에 의존하고,상기 제1 전극 쌍은 아래로 향하여 상기 편향가능한 멤브레인의 하부 표면 상에 있고 상기 제2 전극 쌍은 위로 향하여 상기 편향가능한 멤브레인의 상부 표면상에 있는mems 트랜스듀서. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 제1 전극 쌍은 상기 편향가능한 멤브레인의 편향에 기초하여상기가변분리거리조정하도록구성되는mems 트랜스듀서. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1 전극 쌍에 전기적으로 결합되고 상기 가변 분리 거리의 변화들에 기초하여 상기 편향가능한 멤브레인에 입사한 음향 신호를 나타내는 전기 신호를 발생하도록 구성되는 인터페이스 회로더 포함하는mems 트랜스듀서. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 편향가능한 멤브레인은 비편향 상태(unbiased state) 동안 중립 위치로부터 제1 방향으로 상기 편향가능한 멤브레인을 편향시키도록 구성되는 층 응력포함하는mems 트랜스듀서. [청구항 11] 제6항에 있어서,상기 제1 전극 쌍에 전기적으로 결합되고상기 제1 전극 쌍에 전압을 인가함으로써 상기 제1 전극 쌍 사이에 정전기력을 발생하고;상기 정전기력에 기초하여 상기 가변 분리 거리를 조정함으로써 상기 제1 전극 쌍에서의 상기 편향가능한 멤브레인 상에 힘을 발생하고;상기 힘에 기초하여 상기 편향가능한 멤브레인을 편향시키도록 구성되는 인터페이스 회로더 포함하는mems 트랜스듀서. [청구항 12] 제6항에 있어서,상기 제1 전극 쌍은 상기 편향가능한 멤브레인 상에 형성된 복수의 전극 쌍을 포함하고, 상기 복수의 전극 쌍의 각각의 전극 쌍은 각자의 가변 용량을 갖고 제1 각자의 이동가능한 전극 및 제2 각자의 이동가능한 전극을 포함하고,상기 제1 각자의 이동가능한 전극 및 상기 제2 각자의 이동가능한 전극은 각자의 가변 분리 거리를 갖고 서로에 대해 이동가능하고,상기 각자의 가변 용량은 상기 각자의 가변 분리 거리의존하는mems 트랜스듀서. [청구항 13] 제6항에 있어서,상기 제1 이동가능한 전극을 상기 제2 이동가능한 전극으로부터 전기적으로 절연하는 전기적 절연 재료더 포함하는mems 트랜스듀서. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 전기적 절연 재료는실리콘 질화물인mems 트랜스듀서. [청구항 15] 제6항에 있어서,캐비티(cavity)를 포함하는 기판을 더 포함하고, 상기 편향가능한 멤브레인은 상기 기판에 의해 지지되고 상기 제1 전극 쌍은 상기 캐비티위에 있는mems 트랜스듀서. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 편향가능한 멤브레인은 원형이고 상기 편향가능한 멤브레인의 원주 주위의 상기 기판 상의 지지 구조고정되는mems 트랜스듀서. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 제1 이동가능한 전극 및 상기 제2 이동가능한 전극은 동심원들형성되는mems 트랜스듀서. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 편향가능한 멤브레인은 직사각형이고 상기 편향가능한 멤브레인의 한 에지를 따라 상기 기판 상의 지지 구조고정되는mems 트랜스듀서. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제1 이동가능한 전극 및 상기 제2 이동가능한 전극은 평행한 라인들 내형성되는mems 트랜스듀서. [청구항 20] 제6항에 있어서,상기 편향가능한 멤브레인은 제1 평면에서 연장하고 제1 층 두께를 갖고,상기 제1 이동가능한 전극은 상기 제1 평면에 수직인 제1 거리만큼 연장하여 상기 편향가능한 멤브레인 상에 형성되고,상기 제2 이동가능한 전극은 상기 제1 평면에 수직인 상기 제1 거리만큼 연장하여 상기 편향가능한 멤브레인 상형성되고,상기 제1 거리는 상기 제1 층 두께보다 큰 mems 트랜스듀서. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 제1 층 두께는 1미크론 이하이고 상기 제1 거리는 1미크론 이상 25미크론이하인mems 트랜스듀서. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 주름진 멤브레인과 접촉하여 있고 동심원으로 형성된 제3 원형 전극 및 제4 원형 전극을 포함하고 상기 제3 원형 전극과 상기 제4 원형 전극 사이의 분리 거리에 따라 변화하는 가변 용량을 갖는 제2 동심 전극 쌍을 더 포함하고,상기 제1 동심 전극 쌍은 아래로 향하여 상기 주름진 멤브레인의 하부 표면 상에 있고 상기 제2 동심 전극 쌍은 위로 향하여 상기 주름진 멤브레인의 상부 표면상에 있는mems 트랜스듀서. [청구항 24] 제22항에 있어서,캐비티를 포함하는 기판을 더 포함하고, 상기 주름진 멤브레인은 상기 캐비티위에 있는mems 트랜스듀서. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 주름진 멤브레인은 원형이고 상기 기판 상의 지지 구조에 원주고정되는mems 트랜스듀서. [청구항 26] 제22항에 있어서,상기 제1 동심 전극 쌍은 상기 주름진 멤브레인에 접촉하여 복수의 동심 전극 쌍을 포함하고, 상기 복수의 동심 전극 쌍의 각각의 동심 전극 쌍은 동심원으로 형성된 제1 각자의 원형 전극 및 제2 각자의 원형 전극을 포함하고 상기 제1 각자의 원형 전극과 상기 제2 각자의 원형 전극 사이의 각자의 분리 거리에 따라 변화하는 각자의 가변 용량갖는mems 트랜스듀서. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 주름진 멤브레인은 복수의 주름을 포함하고 상기 복수의 동심 전극 쌍의 동심 전극 쌍은 상기 복수의 주름의 각각의 주름 내형성되는mems 트랜스듀서. [청구항 28] 제22항에 있어서,상기 주름진 멤브레인은 1미크론 이하의 층 두께를 갖고 상기 제1 동심 전극 쌍은 1미크론 이상이고 25미크론 이하인 거리만큼 상기 주름진 멤브레인멀리 연장하는mems 트랜스듀서. [청구항 29] 제22항에 있어서,상기 제1 원형 전극 및 상기 제2 원형 전극에 접속된 전기적 절연 재료를 더 포함하고, 상기 전기적 절연 재료는 상기 제2 원형 전극으로부터 상기 제1 원형 전극절연하는mems 트랜스듀서. [청구항 30] 제22항에 있어서,상기 주름진 멤브레인 및 상기 제1 동심 전극 쌍은 폴리실리콘형성되는mems 트랜스듀서. [청구항 31] 제22항에 있어서,상기 주름진 멤브레인은 외부 힘을 가하지 않고 중립 위치로부터 제1 방향으로 상기 주름진 멤브레인을 편향시키도록 구성되는 층 응력포함하는mems 트랜스듀서.