문맥 (context)
[청구항 1]
전기광학 디바이스로서,
a) 애노드,
b) 캐소드,
c) 적어도 하나의 에미터를 포함하고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치되는 적어도 하나의 에미터층, 및
d) 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함하고 상기 적어도 하나의 에미터층과 상기 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층을 포함하고,
상기 적어도 하나의 에미터층이 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,적어도 하나의 에미터는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체에반복 단위통합되는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에미터는형광및인광화합물들선택되는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 4]
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에미터는 인광 금속 착물이고, 상기 금속은 전이 금속들, 희토 원소들, 란타나이드들 및 악티니드들로부터 선택되고,선택되는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 5]
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 아민들, 트리아릴아민들, 티오펜들, 카르바졸들, 프탈로시아닌들, 포르피린들 및 이들의 이성체들 및 유도체들로부터 선택된적어도하나의반복 단위포함하는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,반복 아민 단위는 하기 식 (18) 내지 식 (20)으로부터 선택되고, 식중,각각의 경우에서 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 r은 h, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족기, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아르알킬, 아릴옥시, 아릴티오, 알콕시카르보닐, 실릴, 카르복실기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기 및 히드록실기로부터 선택되고,r 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 그리고s 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 인 것특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 7]
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 또한 상기 중합체의 백본을 형성하는구조단위들갖는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 중합체의 백본을 형성하는 추가 구조 단위들은 플루오렌, 스피로플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 디벤조티오펜,디벤조푸란및이들의유도체들선택되는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 9]
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는공액중합체인것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 10]
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 비공액되거나 또는 부분 공액된중합체인것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체는 하기 식들 (32) 및 (33) 으로부터 선택되는 인데노플루오렌 구조 단위들을 포함하고, 식중,x 및 y는 독립적으로 h, f, c1-40-알킬기, c2-40-알케닐기, c2-40-알키닐기, 선택적으로 치환된 c6-40-아릴기 및 선택적으로 치환된 5- 내지 25-원 헤테로아릴기로 이루어지는그룹선택되는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 12]
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 수송층에서의 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료는 상기 전자 수송층에서의 중합체에반복 단위통합되는것을특징으로 하는전계발광 디바이스.
[청구항 13]
정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체로서,
상기 중합체는 적어도 하나의 정공 전도성 구조 단위 및 적어도 하나의 방출 구조 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 중합체
[청구항 14]
제 13 항에 있어서,상기 중합체는공액중합체인것을특징으로 하는중합체.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,상기 전자 디바이스는 유기 발광 다이오드들 (oleds), 중합성 발광 다이오드들 (pleds), 유기 발광 전기화학 전지들, 유기 전계 효과 트랜지스터들 (ofets), 박막 트랜지스터들 (tfts), 유기 태양 전지들 (o-scs), 유기 레이저 다이오드들 (o-레이저들), 유기 집적 회로들 (o-ics), rfid (무선 주파수 식별) 태그들, 광검출기들, 센서들, 논리 회로들, 메모리 소자들, 커패시터들, 전하 주입층들, 쇼트키 다이오드들, 평활화층들, 대전방지 필름들, 전도성 기판들 또는 패턴들, 광전도체들, 일렉트로포토그래픽 소자들, 유기 발광 트랜지스터들 (olets), 유기 스핀트로닉 디바이스들 및 유기 플라스몬 방출 디바이스들 (opeds) 로부터 선택되고, 바람직하게 유기 발광 다이오드들 (oleds)로선택되는것을특징으로 하는전자 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
전계발광 디바이스의 구성 요소 중 에미터층과 캐소드 사이에 배치되며, 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성을 갖는 재료를 포함하는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문에서 요구하는 조건(에미터층과 캐소드 사이에 배치, 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 재료 포함)을 만족하는 층의 명칭을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 에미터층과 캐소드 사이의 배치 관계와 재료의 특성을 기술한 부분을 추출한다.
- 상기 적어도 하나의 에미터층과 상기 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층을 포함하고, d) 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함하고
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3근거 선택
evidence_selection질문의 조건인 '에미터층과 캐소드 사이 배치' 및 '전자 전도성 재료 포함'과 직접적으로 일치하는 구절을 선택한다.
- 상기 적어도 하나의 에미터층과 상기 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 분석하면, 에미터층과 캐소드 사이에 위치하며 전자 전도성 재료를 포함하는 구성 요소는 '전자 수송층'임을 알 수 있다.
- 상기 적어도 하나의 에미터층과 상기 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 해당 층의 명칭인 '전자 수송층'을 도출한다.
- 전자 수송층
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답을 최종 답변 형식으로 작성한다.
- 전자 수송층
최종 답변 (final_answer)
전자 수송층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 에미터층과 캐소드 사이에 전자 전도성 재료를 포함하는 전자 수송층을 배치하여 전계발광 디바이스의 구성을 정의한다.