전기광학 디바이스 및 그 용도 document_id 1020167005258

[청구항 1] 전기광학 디바이스로서, a) 애노드, b) 캐소드, c) 적어도 하나의 반도체성 유기 재료를 포함하는, 애노드와 캐소드 사이에 배치된 적어도 하나의 에미터층, 및 d) 상기 적어도 하나의 에미터층과 상기 애노드 사이에 배치되고 정공 전도성 구조 단위들을 갖는 중합체를 포함하는 적어도 하나의 중간층을 포함하고, 상기 정공 전도성 구조 단위들을 갖는 중합체는 전자 전도성 특성들을 갖는 구조 단위들을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 전기광학 디바이스 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 전자 전도성 특성들을 갖는 구조 단위들은 상기 에미터층에서의상기반도체성유기재료갖는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 전자 전도성 특성들을 갖는구조단위들미만인것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 전도성 특성들을 갖는 구조 단위들은 식 (i) 내지 식 (iv) 의 구조 단위들의 그룹으로부터 선택되고,식중 r1 내지 r4는 각각 독립적으로 수소 원자, 고리중에 6 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 방향족 환형 히드로카르빌기, 5 ~ 50개의 고리 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 고리중에 3 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 고리중에 6 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 아르알킬기, 고리중에 5 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 고리중에 5 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 아릴티오기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 실릴기, 카르복실기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기 또는 히드록실기이고, 그리고 r1 및 r2, r3 및 r4, r5 및 r6, 그리고 r7 및 r8 쌍들 중 하나 이상은 선택적으로고리계형성하는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 중합체에서의 상기 전자 전도성 특성들을 갖는구조단위들의비율범위인것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 중합체는 트리아릴아민으로부터 유도되는 정공 전도성 특성들을 갖는구조단위들갖는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 트리아릴아민은 식 (19) 내지 식 (21) 의 구조 단위들의 그룹으로부터 선택되고, 식중각각의 경우에서 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 r은 h, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아르알킬기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알콕시카르보닐기, 실릴기, 카르복실기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기 및 히드록실기로부터 선택되고,r 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고,s 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 인 것특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,정공 전도성 중합체는 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 디벤조티오펜, 디벤조푸란 및 이들의 유도체들로부터 유도되는반복구조단위들갖는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에미터층의 상기 반도체성 유기 재료는 반도체성 중합체, 바람직하게반도체성공중합체인것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 반도체성 공중합체는 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 페닐렌, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 페닐렌비닐렌 및 이들의 유도체들로부터 유도되는 반복 구조 단위들을 갖고, 여기서 이들 반복 단위들은선택적치환되는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 11] 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 반도체성 공중합체는 트리아릴아민들로부터 유도되는 반복 단위들, 바람직하게 제 7 항에 기재된 식 (19) 내지 식 (21)의반복단위들갖는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 애노드와 정공 전도성 중합체로 구성되는 중간층 사이에 배치된 정공 주입층, 바람직하게 폴리(에틸렌디옥시티오펜)의층더포함하는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기광학 디바이스는 기판 상에 배치되고,특히투명기판상배치되는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 14] 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기광학 디바이스는 투명 기판 상에 선택적으로 배치되는, 애노드, 정공 주입층, 중간층, 하나 이상의 에미터층들, 정공 블로커층,전자 수송층및캐소드이루어지는것을특징으로 하는전기광학 디바이스. [청구항 15] 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기광학 디바이스는 유기 발광 다이오드 (oled)또는유기 발광 전기화학 전지인것을특징으로 하는전기광학 디바이스.