후속 처리 단계 동안의 정확한 정합을 위한 기준 마크를 갖는 전자 조립체 document_id 1020167007801

[청구항 12] 제11항에 있어서,상기 기준 마크와 상기 제1 전도성 패턴은 약 100 미크론 미만의 치수 정확도정합되는,전자 조립체. [청구항 13] 제11항 또는 제12항에 있어서,상기 기준 마크와 상기 제1 전도성 패턴은 약 20 미크론 미만의 치수 정확도정합되는,전자 조립체. [청구항 14] 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재 상에서 상기 기준 마크와 상기 제2 전도성 패턴 간의, 가시 광 영역에서의 광 투과도 차이초과인,전자 조립체. [청구항 15] 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴은 가시 광 영역에서의 광 투과도가 약 80% 내지인,전자 조립체. [청구항 16] 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기준 마크는 가시 영역에서의 광 투과도미만인,전자 조립체. [청구항 18] 제11항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회로 상호접속부는 상기 제1 전도성 패턴에 대해 평면내에 있는,전자 조립체. [청구항 19] 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회로 상호접속부는 상기 제1 전도성 패턴에 대해 평면외에 있는,전자 조립체. [청구항 20] 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴은 제1 잉크로부터 유래되고, 상기 기준 마크는 상기 제1 잉크와는 상이한 제2 잉크로부터 유래되며, 상기 제1 잉크는 선택된 용제 내에서 가용성이고, 상기 제2 잉크는 상기 선택된 용제 내불용성인,전자 조립체. [청구항 22] 전자 조립체로서, 제1 구역에서 제1 전도성 패턴을 포함하는 기재로서, 상기 제1 전도성 패턴은 레지스트 매트릭스 재료의 층이 위에 놓인 전도성 나노와이어들을 포함하고, 상기 전도성 패턴은 가시 영역에서의 광 투과도가 약 80% 초과인, 상기 기재 상기 제1 구역과는 상이한 상기 기재의 제2 구역 내의 기준 마크로서, 상기 기준 마크는 가시 영역에서의 광 투과도가 약 50% 미만이고, 상기 기준 마크와 상기 제2 전도성 패턴은 약 100 미크론 미만의 치수 정확도로 정합되는, 상기 기준 마크; 및 상기 제1 전도성 패턴과 정렬되는 제2 전도성 패턴을 포함하는, 전자 조립체 [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 레지스트 매트릭스 재료는 두께가 약 10 나노미터 내지 약3000 나노미터인,전자 조립체. [청구항 26] 제22항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회로 상호접속부는 전도성 금속 나노입자들을 포함하는 잉크유래되는,전자 조립체. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 디스플레이는 터치 스크린 디스플레이이고, 선택적으로 상기 터치 스크린 디스플레이는 이동 전화기, 태블릿 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 컴퓨터 디스플레이, 또는 텔레비전으로부터 선택되는 전자 장치의 구성요소인,디스플레이.