문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,다결정질 실리콘 영역을 향해 상기 제 1 매립 산화물의 리세스에 의해 트렌치 구조체가 적어도 부분적으로 형성되고, 상기 광검출기의 하측면은 상기 트렌치 구조체 내에 배치된 실리콘인접하는반도체 디바이스.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 광검출기는 상기 트렌치 구조체의 상부연장하는반도체 디바이스.
[청구항 4]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 상기 광검출기로부터 광의 일부를 수광하기 위한 하나 이상의 미러 구조체를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 미러 구조체는 상기 광검출기를 향해 상기 광의 일부재반사하기 위한 것인반도체 디바이스.
[청구항 5]
제 1 항, 제 2 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단결정질 실리콘 영역은 제 1 도파로 트렌치 및 제 2 도파로 트렌치가 그 내부에 형성되어 있고, 상기 광은 상기 제 1 도파로 트렌치와 상기 제 2 도파로트렌치사이의상기광검출기향해지향되는반도체 디바이스.
[청구항 7]
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광검출기는 게르마늄 포토다이오드포함하는반도체 디바이스.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 게르마늄 포토다이오드는,p-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 1 로브부(lobe portion)와,n-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 2 로브부와,상기 제 1 로브부와 상기 제 2 로브부 사이의 네크부(neck portion)를 포함하고,상기 네크부는 진성 게르마늄포함하는반도체 디바이스.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,다결정질 실리콘 영역을 향해 상기 제 1 매립 산화물의 리세스에 의해 트렌치 구조체가 적어도 부분적으로 형성되고, 상기 광검출기의 하측면은 상기 트렌치 구조체 내에 배치된 실리콘인접하는시스템.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,상기 광검출기는 상기 트렌치 구조체의 상부연장하는시스템.
[청구항 19]
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 상기 광검출기로부터 광의 일부를 수광하기 위한 하나 이상의 미러 구조체를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 미러 구조체는 상기 광검출기를 향해 상기 광의 일부재반사하기 위한 것인시스템.
[청구항 20]
제 16 항, 제 17 항 또는 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단결정질 실리콘 영역은 제 1 도파로 트렌치 및 제 2 도파로 트렌치가 그 내부에 형성되어 있고, 상기 광은 상기 제 1 도파로 트렌치와 상기 제 2 도파로트렌치사이의상기광검출기향해지향되는시스템.
[청구항 22]
제 16 항, 제 17 항, 제 19 항 또는 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광검출기는 게르마늄 포토다이오드포함하는시스템.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,상기 게르마늄 포토다이오드는,p-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 1 로브부와,n-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 2 로브부와,상기 제 1 로브부와 상기 제 2 로브부 사이의 네크부를 포함하고,상기 네크부는 진성 게르마늄포함하는시스템.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
게르마늄 포토다이오드를 포함하는 반도체 디바이스에서, p-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 1 로브부와 n-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 2 로브부 사이의 네크부는 어떠한 성분으로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation게르마늄 포토다이오드의 제 1 로브부와 제 2 로브부 사이에 위치한 네크부의 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8 및 23에서 게르마늄 포토다이오드의 구성 요소인 제 1 로브부, 제 2 로브부, 네크부에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 게르마늄 포토다이오드는,p-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 1 로브부(lobe portion)와,n-도핑된 게르마늄을 포함하는 제 2 로브부와,상기 제 1 로브부와 상기 제 2 로브부 사이의 네크부(neck portion)를 포함하고,상기 네크부는 진성 게르마늄포함하는반도체 디바이스
-
3근거 선택
evidence_selection네크부의 성분을 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- ,상기 네크부는 진성 게르마늄포함하는반도체 디바이스
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4논리 통합
logical_integration제 1 로브부(p-도핑)와 제 2 로브부(n-도핑) 사이의 네크부가 진성 게르마늄으로 구성됨을 확인한다.
- ,상기 네크부는 진성 게르마늄포함하는반도체 디바이스
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5결론 도출
conclusion_formulation네크부의 성분은 진성 게르마늄이다.
- ,상기 네크부는 진성 게르마늄포함하는반도체 디바이스
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변으로 '진성 게르마늄'을 도출한다.
최종 답변 (final_answer)
진성 게르마늄
핵심 해석 (core_interpretation)
게르마늄 포토다이오드 내에서 p-도핑 영역과 n-도핑 영역을 연결하는 네크부가 진성 게르마늄(intrinsic germanium)으로 구성되어 있음을 나타낸다.