프로세싱 장치에서의 이온 각도 분포의 인 시튜 제어 document_id 1020167019833

[청구항 1] 프로세싱 장치로서, 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위해 상기 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스 상기 플라즈마 챔버의 일 측을 따라 배치되며, 개구를 갖는 추출 플레이트 상기 개구에 인접하여 배치되며, 상기 플라즈마가 상기 플라즈마 챔버 내에 존재할 때 플라즈마의 메니스커스(meniscus)들의 쌍을 획정(define)하도록 구성된 편향 전극; 및 상기 플라즈마에 대하여 상기 편향 전극에 바이어스(bias) 전압을 인가하기 위한 편향 전극 전원 공급장치로서, 상기 편향 전극에 인가되는 제 1 바이어스 전압은 상기 플라즈마로부터 상기 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 1 각도를 생성하도록 구성되며, 상기 편향 전극에 인가되는 제 2 바이어스 전압은 상기 플라즈마로부터 상기 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 2 각도를 생성하도록 구성되고, 상기 입사의 제 2 각도는 상기 입사의 제 1 각도와 상이한, 상기 편향 전극 전원 공급장치를 포함하는, 프로세싱 장치 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 메니스커스들의 쌍은 상기 제 1 바이어스 전압이 상기 편향 전극에 인가될 때 제 1 형상을 가지며, 상기 플라즈마 메니스커스들의 쌍은 상기 제 2 바이어스 전압이 상기 편향 전극에 인가될 때 상기 제 1 형상과는 상이한 제 2 형상갖는,프로세싱 장치. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기 편향 전극은 상기 추출 플레이트의 평면에 의해 획정된 평면에 대해 수직인 방향으로 움직이도록 구성되고, 상기 평면으로부터 제 1 거리의 제 1 편향 전극 위치에서 상기 플라즈마로부터 추출되는 이온들은 제 1 입사 각도를 가지며, 상기 평면으로부터 제 2 거리의 제 2 편향 전극 위치에서 상기 플라즈마로부터 추출되는 이온들은 상기 제 1 입사 각도상이한제 2 입사 각도를 가지고, 상기 제 2 거리는 상기 제 1 거리보다 더 큰, 프로세싱 장치. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기 프로세싱 장치는, 상기 편향 전극에 인가되는 상기 바이어스 전압과 무관하게 상기 추출 플레이트에 추출 플레이트 전압을 인가하도록 구성된 추출 플레이트 전원 공급장치더 포함하는,프로세싱 장치. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 추출 플레이트는 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하고 평면을 획정하며,상기 프로세싱 장치는, 상기 제 1 부분에 제 1 바이어스 전압을 공급하도록 구성된 제 1 추출 플레이트 전원 공급장치, 및 상기 제 2 부분에 제 2 바이어스 전압을 공급하도록 구성된 제 2 추출 플레이트 전원 공급장치더 포함하는,프로세싱 장치. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 편향 전극 전원 공급장치는, 상기 편향 전극에 인가되는 상기 바이어스 전압이 변화될 때 상기 플라즈마 메니스커스들의 쌍 중 적어도 하나로부터 추출되는 이온들의 입사의 각도를 10 도 또는 그 이상만큼 변화시키기 위하여 상기 편향 전극과 상호동작하는,프로세싱 장치. [청구항 7] 청구항 5에 있어서,상기 개구는 제 1 개구를 포함하며, 상기 편향 전극은 제 1 편향 전극을 포함하고, 상기 추출 플레이트는 상기 제 2 부분에 인접하여 배치되며 그 사이에 제 2 개구를 획정하도록 구성된 제 3 부분포함하는,프로세싱 장치. [청구항 8] 청구항 7에 있어서,상기 플라즈마 메니스커스들의 쌍은 제 1 쌍을 포함하며, 상기 프로세싱 장치는, 상기 제 2 개구에 인접하여 배치되며 상기 제 2 개구에 인접하여 플라즈마 메니스커스들의 제 2 쌍을 생성하도록 구성된 제 2 편향 전극더 포함하는,프로세싱 장치. [청구항 9] 청구항 1에 있어서,상기 편향 전극은, 상기 플라즈마 소스로부터의 전력이 플라즈마 전력 범위에 걸쳐 변화될 때 상기 플라즈마 메니스커스들의 쌍의 메니스커스 형상을 변화시키도록 구성되며, 상기 플라즈마 메니스커스들의 쌍을 통해 추출되는 이온들의 입사의 각도는 적어도 10 도변화되는,프로세싱 장치. [청구항 10] 프로세싱 장치로서, 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위해 상기 플라즈마 챔버에 결합된 플라즈마 소스 상기 플라즈마 챔버에 인접하며, 기판 홀더를 포함하는 프로세스 챔버 상기 플라즈마와 기판 홀더 사이에 배치된 추출 시스템으로서, 상기 추출 시스템은 편향 전극 및 상기 편향 전극에 인접하여 배치된 개구를 갖는 추출 플레이트를 포함하며, 추출 전압이 상기 플라즈마 챔버와 기판 홀더 사이에 인가될 때, 상기 편향 전극 및 추출 플레이트는 상기 개구를 통해 상기 플라즈마로부터 이온 빔들의 쌍을 추출하도록 상호동작하고, 상기 편향 전극 및 추출 플레이트는 상기 편향 전극 및 추출 플레이트 중 적어도 하나의 움직임에 의해 상기 이온 빔들의 쌍 중 적어도 하나의 이온 빔의 입사의 각도를 조정하기 위해 상호동작하는, 상기 추출 시스템을 포함하는, 프로세싱 장치 [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 프로세싱 장치는, 상기 편향 전극에 바이어스 전압을 인가하기 위한 편향 전극 전원 공급장치로서, 상기 편향 전극 전원 공급장치에 의해 생성되는 제 1 바이어스 전압은 상기 플라즈마로부터 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 1 각도를 생성하도록 구성되며, 상기 편향 전극 전원 공급장치에 의해 생성되는 제 2 바이어스 전압은 상기 플라즈마로부터 상기 개구를 통해 추출되는 이온들에 대한 입사의 제 2 각도를 생성하도록 구성되고, 상기 입사의 제 2 각도는 상기 입사의 제 1 각도와 상이한, 상기 편향 전극 전원 공급장치더 포함하는,프로세싱 장치. [청구항 12] 청구항 11에 있어서,상기 편향 전극은, 전기 전도성이며 서로 전기적으로 분리된 제 1 편향 전극 부분 및 제 2 편향 전극 부분을 포함하고, 상기 편향 전극 전원 공급장치는 제 1 편향 전극 전원 공급장치이며, 상기 제 1 전극 부분은 상기 제 1 편향 전극 전원 공급장치에 결합되고, 상기 프로세싱 장치는, 상기 제 2 편향 전극 부분에 결합된 제 2 편향 전극 전원 공급장치를 더 포함하며, 상기 제 1 편향 전극 부분 및 제 2 편향 전극 부분은 상기 개별적인 제 1 및 제 2 편향 전극 바이어스 공급장치들로부터 서로 독립적으로바이어스전압수신하도록동작하는,프로세싱 장치.