기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 document_id 1020167025023

[청구항 1] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 연마하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부와, 상기 기판의 상기 피처리 영역과 상기 촉매가 접촉한 상태에서, 상기 기판 보유 지지부와 상기 촉매 보유 지지부를 상대적으로 이동시키도록 구성된 구동부를 구비하고, 상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매를 보유 지지하기 위한 탄성 부재를 구비하는, 기판 처리 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 탄성 부재는, 탄성막에 의해 형성되는 압력실을 갖는 구조를 구비하고 있고,상기 탄성막의 외표면에는, 상기 촉매의 층이 형성되어 있고,상기 압력실은, 당해 압력실에 공급되는 유체가 제어됨으로써,상기기판의상기피처리영역과상기촉매의접촉압력제어하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 탄성 부재는, 상기 기판 보유 지지부와 상기 촉매 보유 지지부가 상대적으로 이동할 때, 당해 상대적인 이동에 수반하여 회전 가능하게 보유 지지되는 구상체를 구비하고 있고,상기 구상체의 외표면에는, 상기 촉매의 층형성되어 있는,기판 처리 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 구상체를 상기 기판측으로 압박하는 힘을 조절함으로써, 상기 기판의 상기 피처리 영역과 상기 촉매의 접촉 압력을 조절하도록 구성된 압력 조절부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 탄성 부재는, 기공을 갖는 스펀지구비하는,기판 처리 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 스펀지의 내부에 상기 처리액을 공급하도록 구성된 처리액 공급부를 구비하고,상기 스펀지의 외표면에는, 상기 촉매의 층이며 구멍부를 갖는 층형성되어 있는,기판 처리 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 탄성 부재에는 복수의 홈이 형성되고, 상기 복수의 홈 내에는, 각각 상기 촉매매립되어 있는,기판 처리 장치 [청구항 8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄성 부재에는, 상기 처리액이 통과하는 복수의 홈형성되어 있는,기판 처리 장치. [청구항 9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄성 부재는, 복수이며,상기 복수의 탄성 부재의 각각은, 개별적으로 상기 촉매를 보유지지하는,기판 처리 장치. [청구항 10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매는, 2종류 이상의 개개의 촉매를 구비하거나, 2종류의 촉매가 포함되는 혼합물화합물인,기판 처리 장치. [청구항 11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 복수이며,상기 복수의 촉매 보유 지지부의 각각은, 개별적으로 상기 촉매를 보유지지하는,기판 처리 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 복수의 촉매 보유 지지부 중 적어도 2개의 촉매 보유 지지부는, 서로 다른 종류의 상기 촉매를 보유지지하는,기판 처리 장치. [청구항 13] 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판의 온도를 제어하도록 구성된 기판 온도 제어부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 14] 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 보유 지지부는, 상기 기판의 노치, 오리엔탈 플랫 또는 레이저 마커가 소정 위치에 위치하도록 상기 기판을 임의의 소정 각도만큼 회전시키도록 구성된 기판 위치 조정부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 15] 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리액의 온도를, 10도 이상 또한 60도 이하의 범위 내에서 소정 온도로 조정하는 처리액 온도 조정부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 16] 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리액을 상기 기판의 상기 피처리 영역 상에 공급하기 위한 공급구를 갖는 처리액 공급부를 구비하고,상기 처리액 공급부는, 상기 공급구가상기촉매보유지지부함께이동하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 17] 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 상기 기판 보유 지지부보다 상방에 배치되고,상기 기판 보유 지지부는, 상기 기판을 보유 지지하기 위한 영역보다 외측에 있어서, 주위 방향의 전체에 걸쳐, 연직 방향 상방을 향해 연장되는 벽부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 18] 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부의 주위에 있어서 상기 촉매 보유 지지부를 둘러싸고, 상기 기판측이 개구된 처리액 보유 지지부이며, 당해 처리액 보유 지지부의 내부에 상기 처리액을 보유 지지하도록 구성된 처리액 보유 지지부를 구비하고,상기 처리액은, 상기 처리액 보유 지지부의 내부공급되는,기판 처리 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 처리액 보유 지지부의 내부에 연통되고, 당해 내부에 보유 지지된 상기 처리액을 흡인하도록 구성된처리액흡인부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 20] 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매의 표면을 컨디셔닝하도록 구성된 컨디셔닝부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매의 상기 표면을 스크럽 세정하도록 구성된 스크럽 세정부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 22] 제20항 또는 제21항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매의 상기 표면에 부착된 에칭 생성물을 제거하기 위한 약액을 공급하도록 구성된 약액 공급부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 23] 제20항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 전해 작용을 이용하여 상기 촉매 표면의 에칭 생성물을 제거하도록 구성된 전해 재생부를 구비하고,상기 전해 재생부는,상기 촉매와 전기적으로 접속 가능하게 구성된 전극을 갖고 있고,상기 촉매와 상기 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 촉매의 상기 표면에 부착된 에칭 생성물을 전해 작용에 의해제거하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 24] 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매를, 당해 촉매와 동일 종류의 재생용 촉매에 의해 도금함으로써 당해 촉매를 재생하도록 구성된 도금 재생부를 구비하고,상기 도금 재생부는,상기 촉매와 전기적으로 접속 가능하게 구성된 전극을 갖고 있고,상기 재생용 촉매를 포함하는 액 중에 상기 촉매를 침지한 상태에서, 상기 촉매와 상기 전극 사이에 전압을 인가함으로써,상기촉매의상기표면을도금재생하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 25] 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판의 상기 피처리 영역의 에칭 처리 상태를 모니터링하는모니터링부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 기판 처리 장치의 동작의 제어를 행하도록 구성된 제어부를 구비하고,상기 제어부는, 상기 모니터링부에 의해 얻어지는 상기 에칭 처리 상태에 기초하여 처리 중인 상기 기판의 처리 조건에 있어서의적어도1개의파라미터제어하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 제어부는 상기 모니터링부에서 얻어지는 상기 에칭 처리 상태에 기초하여,처리의종점결정하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 28] 제25항 또는 제27항에 있어서,상기 모니터링부는, 상기 촉매 보유 지지부와 상기 기판 보유 지지부가 상대적으로 이동할 때의 상기 구동부의 토크 전류에 기초하여 상기 에칭 처리 상태를 모니터링하는토크전류 모니터부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 29] 제25항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모니터링부는, 상기 기판의 상기 피처리 영역을 향해 광을 조사하여, 상기 기판의 상기 피처리 영역의 표면에서 반사하거나, 당해 기판을 투과한 후에 반사하는 반사광을 수광하고, 당해 수광한 광에 기초하여 상기 에칭 처리 상태를 모니터링하는광학식모니터링부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 30] 제25항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모니터링부는, 상기 기판의 상기 표면에 근접하여 배치된 센서 코일에 고주파 전류를 흐르게 하여 상기 기판에 와전류를 발생시키고, 상기 기판의 상기 피처리 영역의 두께에 따른 상기 와전류 또는 합성 임피던스의 변화에 기초하여 상기 에칭 처리 상태를 모니터링하는와전류모니터링부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 31] 제1항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,참조 전극을 갖는 전위 조정부이며, 상기 촉매와 상기 참조 전극을 상기 처리액을 통해 전기 화학적으로 접속하여, 상기 촉매의 상기 표면의 전위를 제어하도록 구성된 전위 조정부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 32] 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 구상체 또는 원기둥체이며, 당해 구상체의 구면 또는 당해 원기둥체의 주위면에 상기 촉매의 층이 형성된 구상체 또는 원기둥체를 구비하고,상기 구상체 또는 상기 원기둥체는, 상기 기판 보유 지지부와 상기 촉매 보유 지지부가 상대적으로 이동할 때, 당해 상대적인 이동에 수반하여 회전 가능하게보유지지되도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 구상체 또는 상기 원기둥체는, 그 내부에 탄성체구비하는,기판 처리 장치. [청구항 34] 기판 처리 시스템이며, 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치와, 상기 기판을 세정하도록 구성된 기판 세정부와, 상기 기판을 반송하는 기판 반송부를 구비하는, 기판 처리 시스템 [청구항 36] 제34항 또는 제35항에 있어서,상기 기판 처리 장치에 의해 처리된 후의 상기 기판의 상기 피처리 영역의 두께를 측정하도록 구성된 두께 측정부구비하는,기판 처리 시스템. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 두께 측정부의 측정 결과에 기초하여, 상기 기판 처리 장치에 있어서 차회 실시되는 연마 처리에서 사용되는 제어 파라미터를 설정하도록 구성된제1파라미터설정부를구비하는,기판 처리 시스템. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 제1 파라미터 설정부는, 상기 두께 측정부의 측정 결과에 기초하여 얻어지는 상기 피처리 영역의 두께 분포와, 미리 정해진 목표 두께 분포의 차분에 기초하여 제어 파라미터수정하는,기판 처리 시스템. [청구항 39] 제35항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 두께 측정부의 측정 결과가 소정의 기준을 만족시키지 않는 경우에, 상기 기판 처리 장치에 의해 처리된 후의 상기 기판을 재처리하도록 구성된 재처리 제어부구비하는,기판 처리 시스템. [청구항 40] 제25항 내지 제30항 중 어느 한 항을 종속원에 포함하는 제34항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,상기 모니터링부에 의해 모니터링된 상기 에칭 처리 상태에 기초하여, 상기 기판 처리 장치에 있어서 다음 기판 처리에서 사용되는 제어 파라미터를 변경하도록 구성된제2파라미터 변경부를구비하는,기판 처리 시스템. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 제2 파라미터 변경부는, 상기 모니터링부의 모니터링 결과에 기초하여 얻어지는 상기 피처리 영역의 두께 분포와, 미리 정해진 목표 두께 분포의 차분에 기초하여 제어 파라미터변경하는,기판 처리 시스템. [청구항 42] 제34항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 처리 장치에 의한 처리 전 또는 처리 후의 상기 기판을 연마하는 화학 기계 연마 장치구비하는,기판 처리 시스템. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매의 상기 표면을 스크럽 세정하도록 구성된 스크럽 세정부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 45] 제43항 또는 제44항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매의 상기 표면에 부착된 에칭 생성물을 제거하기 위한 약액을 공급하도록 구성된 약액 공급부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 46] 제43항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 전해 작용을 이용하여 상기 촉매 표면의 에칭 생성물을 제거하도록 구성된 전해 재생부를 구비하고,상기 전해 재생부는,상기 촉매와 전기적으로 접속 가능하게 구성된 재생용 전극을 갖고 있고,상기 촉매와 상기 재생용 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 촉매의 상기 표면에 부착된 에칭 생성물을 전해 작용에 의해제거하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 47] 제43항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매를, 당해 촉매와 동일 종류의 재생용 촉매에 의해 도금함으로써 당해 촉매를 재생하도록 구성된 도금 재생부를 구비하고,상기 도금 재생부는,상기 촉매와 전기적으로 접속 가능하게 구성된 재생용 전극을 갖고 있고,상기 재생용 촉매를 포함하는 액 중에 상기 촉매를 침지한 상태에서, 상기 촉매와 상기 재생용 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 상기 촉매에 재생용 촉매를 도금함으로써상기촉매재생하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 48] 제43항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매의 표면에 대향하도록 배치되는 컨디셔닝 스테이지갖는,기판 처리 장치. [청구항 49] 제48항에 있어서,상기 촉매의 표면에, 상기 촉매의 표면을 세정하기 위한 물 및/또는 약액을 공급하도록 구성된 촉매 세정 노즐갖는,기판 처리 장치. [청구항 50] 제49항에 있어서,상기 촉매 세정 노즐은, 상기 컨디셔닝 스테이지의 외측배치되는,기판 처리 장치. [청구항 51] 제49항에 있어서,상기 촉매 세정 노즐은, 상기 컨디셔닝 스테이지의 내측에 배치되고, 상기 컨디셔닝 스테이지는, 상기 컨디셔닝 스테이지의 내부에 상기 물 및/또는 약액이 통과하기 위한 통로를 갖고, 상기 통로는, 상기 촉매 세정 노즐에 유체연통하는,기판 처리 장치. [청구항 52] 제48항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝부는, 상기 촉매의 표면을 세정하기 위한, 상기 컨디셔닝 스테이지에 배치되는 스크럽 부재갖는,기판 처리 장치. [청구항 53] 제48항 내지 제52항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매와 전기적으로 접속 가능하게 구성된 전극과,상기 컨디셔닝 스테이지에 배치된 재생용 전극과,상기 전극 및 상기 재생용 전극과의 사이에 전압을 인가하도록 구성되는 전원갖는,기판 처리 장치. [청구항 54] 제53항에 있어서,상기 촉매측의 상기 전극을 플러스로 하고, 상기 재생용 전극을 마이너스로 되도록 전압을 인가하여, 상기 촉매의 표면을 전해에칭하도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 55] 제53항에 있어서,상기 촉매측의 상기 전극을 마이너스로 하고, 상기 재생용 전극을 플러스로 되도록 전압을 인가하여,상기촉매의표면의산화물환원하도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 56] 제53항에 있어서,상기 재생용 전극 상에 배치된 이온 교환체를 갖고, 상기 촉매와 상기 이온 교환체가 근접 또는 접촉한 상태에서전압인가하도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 57] 제48항 내지 제56항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝 스테이지는, 상기 컨디셔닝 스테이지 상에 액체를 보유 지지 가능하게 구성되는액저류부를갖는,기판 처리 장치. [청구항 58] 제57항에 있어서,상기 액 저류부에 보유 지지되는 액체에 초음파를 조사하도록 구성되는 초음파 발생 장치갖는,기판 처리 장치. [청구항 59] 제48항 내지 제58항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컨디셔닝 스테이지는회전가능하게구성되는,기판 처리 장치. [청구항 60] 제48항 내지 제59항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매의 표면의 상태를 측정하기 위한 촉매 측정 센서갖는,기판 처리 장치. [청구항 61] 제60항에 있어서,상기 촉매 측정 센서는, (ⅰ) 촉매의 전기 저항을 측정하는 저항 센서, (ⅱ) 촉매의 두께를 측정하는 두께 센서, 및 (ⅲ) 광학식 센서 중 적어도 하나포함하는,기판 처리 장치. [청구항 62] 제43항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매는 금속을 갖고,상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매의 상기 금속에 전기적으로 접속 가능한 전극을 갖고, 상기 전극은, 상기 촉매의 금속보다 이온화 경향이 큰 금속갖는,기판 처리 장치. [청구항 63] 제43항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매의 표면에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 노즐갖는,기판 처리 장치. [청구항 65] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지면을 구비하는 기판 보유 지지 스테이지와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 기판 보유 지지 스테이지의 상기 기판 보유 지지면은, 상기 촉매 보유 지지부의 촉매 표면보다 면적이 크고, 상기 기판 보유 지지 스테이지는, 처리되는 상기 기판이 배치되었을 때, 상기 기판의 외주보다 외측에 위치하는 연장부를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 66] 제65항에 있어서,상기 기판 보유 지지 스테이지의 상기 연장부에, 상기 촉매의 표면을 컨디셔닝하도록 구성된 컨디셔닝부갖는,기판 처리 장치. [청구항 67] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지면을 구비하는 기판 보유 지지 스테이지와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 기판 보유 지지 스테이지의 상기 기판 보유 지지면은, 상기 촉매 보유 지지부의 촉매 표면보다 면적이 크고, 상기 촉매 보유 지지부는 또한, 상기 촉매의 표면의, 상기 기판 보유 지지 스테이지의 상기 기판 보유 지지면에 대한 기울기를 검출하기 위한 기울기 센서와, 상기 촉매의 표면의 상기 촉매의 표면의, 상기 기판 보유 지지 스테이지의 상기 기판 보유 지지면에 대한 기울기를 보정하기 위한 기울기 보정 기구를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 68] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부와, 상기 촉매 보유 지지부 내를 통해 상기 처리액을 상기 기판의 상기 피처리 영역 상에 공급하기 위한 공급구를 갖는 처리액 공급부를 구비하는, 기판 처리 장치 [청구항 69] 제68항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매 보유 지지부 내에 상기 처리액을 일시적으로 보유 지지하는 버퍼부와,상기 촉매 보유 지지부 내를 통해 상기 처리액을 상기 기판의 상기 피처리 영역 상에 공급하기 위한 복수의 공급구를 갖는 처리액 공급부를 갖고, 상기 복수의 공급구는, 상기 버퍼부에 유체연통하는,기판 처리 장치. [청구항 70] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 구비하고, 상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매 보유 지지부와 상기 기판이 접촉한 상태에 있어서, 상기 촉매 보유 지지부와 상기 기판 사이에 있어서, 상기 처리액이 이동할 수 있도록 구성되는 복수의 홈을 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 72] 제70항 또는 제71항에 있어서,상기 복수의 홈은, (ⅰ) 복수의 동심원의 패턴, (ⅱ) 복수의 방사상의 패턴, (ⅲ) 교차하는 상이한 방향으로 연장되는 복수의 평행선의 패턴, 및 (iv) 나선상의 패턴 중 적어도 하나갖는,기판 처리 장치. [청구항 73] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 상기 처리액을 통해 상기 촉매와 전기적으로 접속 가능하게 구성되는 카운터 전극을 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 74] 제73항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매를 보유 지지하기 위한 촉매 보유 지지 부재를 갖고,상기 카운터 전극은 상기 촉매 보유 지지 부재의 외측배치되는,기판 처리 장치. [청구항 75] 제73항에 있어서,상기 카운터 전극은, 상기 촉매 보유 지지 부재 내에복수의카운터전극노출되도록배치되는,기판 처리 장치. [청구항 76] 제73항 내지 제75항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매를 둘러싸고, 상기 기판 보유 지지부측이 개구되는 처리액 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매가 상기 기판에 접촉한 상태에 있어서, 상기 처리액이 상기 처리액 보유 지지부에보유지지되도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 77] 제76항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 촉매 보유 지지부 내를 통해 상기 처리액을 상기 기판의 상기 피처리 영역 상에 공급하기 위한 공급구를 갖는 처리액 공급부갖는,기판 처리 장치. [청구항 78] 제73항 내지 제77항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매와 상기 카운터 전극 사이에 전압을 인가하도록 구성되는 전압 제어 장치를 갖고,상기 전압 제어 장치는, 상기 기판을 처리 중에, 단속적으로 상기 촉매측의 전위가 환원측이 되도록, 상기 카운터 전극의 전위제어하는,기판 처리 장치. [청구항 79] 제73항 내지 제78항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매는, 전기적으로 복수의 영역으로 분할되어 있고, 상기 복수의 영역마다 상이한전압인가할수구성되는,기판 처리 장치. [청구항 80] 제79항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 촉매 보유 지지부는 회전 가능하게 구성되고,상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매 보유 지지부의 회전 위치를 검출하는 회전 위치 센서와,상기 촉매 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지부에 대한 위치를 검출하는 위치 센서갖는,기판 처리 장치. [청구항 81] 제80항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 촉매의 각각의 영역과 상기 카운터 전극 사이에 전압을 인가하도록 구성되는 전압 제어 장치를 갖고,상기 전압 제어 장치는, 상기 회전 위치 센서에 의해 검출된 상기 촉매 보유 지지부의 회전 위치, 및 상기 위치 센서에 의해 검출된 상기 촉매 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지부에 대한 위치를 수취하고, 상기 촉매 보유 지지부의 회전 위치 및 상기 촉매 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지부에 대한 위치에 따라서, 상기 촉매의 각각의 영역에 독립적으로전압인가하도록제어하는,기판 처리 장치. [청구항 82] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 촉매를 보유 지지하기 위한 복수의 촉매 보유 지지 부재를 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판과 상기 촉매가 접촉할 때, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재를 각각 독립적으로 제어하여, 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력을 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재마다 독립적으로 제어하는 압력 제어 기구를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 83] 제82항에 있어서,상기 압력 제어 기구는, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재의 내부에 공급하는 유체의 압력 또는 유량을 제어함으로써, 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력제어하는,기판 처리 장치. [청구항 84] 제82항에 있어서,상기 압력 제어 기구는, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재에 장착되는 피에조 소자를 구비하고, 각 피에조 소자를 독립적으로 제어함으로써 촉매와 기판과 접촉 압력제어하는,기판 처리 장치. [청구항 85] 제82항 내지 제84항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는 회전 가능하게 구성되고,상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매 보유 지지부의 회전 위치를 검출하는 회전 위치 센서와,상기 촉매 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지부에 대한 위치를 검출하는 위치 센서갖는,기판 처리 장치. [청구항 86] 제85항에 있어서,상기 압력 제어 기구는, 상기 회전 위치 센서에 의해 검출된 상기 촉매 보유 지지부의 회전 위치 신호, 및 상기 위치 센서에 의해 검출된 상기 촉매 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지부에 대한 위치 신호를 수취하고, 상기 촉매 보유 지지부의 회전 위치 및 상기 촉매 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지부에 대한 위치에 따라서, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재에 있어서의 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력을 각각 독립적제어하는,기판 처리 장치. [청구항 87] 제82항 내지 제86항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 촉매 보유 지지 부재의 각각은, 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력을 검지하도록 구성되는 압력 센서갖는,기판 처리 장치. [청구항 88] 제87항에 있어서,상기 압력 제어 기구는, 상기 압력 센서의 각각에 의해 검지되는 압력 신호를 수취하고, 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력이 소정의 압력 분포가 되도록, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재에 있어서의 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력을 각각 독립적제어하는,기판 처리 장치. [청구항 90] 제89항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 복수의 처리액 공급 통로의 각각에는, 처리액의 유량을 측정하기 위한 유량계, 및 처리액의 유량을 조정하기 위한 밸브설치되는,기판 처리 장치. [청구항 91] 제89항 또는 제90항에 있어서,상기 기판 처리 장치는, 상기 기판과 상기 촉매가 접촉할 때, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재를 각각 독립적으로 제어하여, 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력을 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재마다 독립적으로 제어하는 압력 제어 기구갖는,기판 처리 장치. [청구항 92] 제91항에 있어서,상기 압력 제어 기구는, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재에 각각 유체를 공급함으로써, 상기 기판과 상기 촉매의 접촉 압력제어하는,기판 처리 장치. [청구항 93] 제91항에 있어서,상기 압력 제어 기구는, 상기 복수의 촉매 보유 지지 부재에 장착되는 피에조 소자를 구비하고, 각 피에조 소자를 독립적으로 제어함으로써, 촉매와 기판의 접촉 압력 분포제어하는,기판 처리 장치. [청구항 95] 제94항에 있어서,상기 구동부는, 상기 기판을 보유 지지하기 위한 원형의 영역의 반경 방향으로,상기촉매보유지지부를이동가능하게구성되는,기판 처리 장치. [청구항 96] 제94항 또는 제95항에 있어서,상기 촉매 보유 지지 부재는, 상기 촉매 보유 지지 부재와 상기 기판이 접촉한 상태에 있어서, 상기 촉매 보유 지지 부재와 상기 기판 사이에 있어서, 상기 처리액이 통과하도록 구성되는 홈갖는,기판 처리 장치. [청구항 99] 제98항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는 피에조 소자를 갖고,상기 기판 처리 장치는, 상기 피에조 소자에 교류 전압을 인가하는 전원갖는,기판 처리 장치. [청구항 100] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부를 갖고, 상기 기판 보유 지지부는, 각각 1개의 기판을 보유 지지하도록 구성되는 복수의 기판 보유 지지 스테이지를 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 복수의 기판 보유 지지 스테이지의 각각에 관련되는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 복수의 촉매 보유 지지부를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 101] 제100항에 있어서,상기 복수의 촉매 보유 지지부 중적어도 몇 개는 상이한 종류의 촉매를 보유지지하는,기판 처리 장치. [청구항 102] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 복수의 촉매 보유 지지부를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 103] 제102항에 있어서,상기 촉매의 표면을 컨디셔닝하도록 구성된 컨디셔닝부구비하는,기판 처리 장치. [청구항 105] 제102항 내지 제104항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 촉매 보유 지지부의 적어도 몇 개는, 상기 촉매를 보유 지지하기 위한 영역의 면적상이한,기판 처리 장치. [청구항 106] 제102항 내지 제105항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 촉매 보유 지지부 중적어도 몇 개는, 상이한 종류의 촉매를 보유지지하는,기판 처리 장치. [청구항 107] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 처리하기 위한, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부와, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되는 상기 기판을 세정하도록 구성된 기판 세정부를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 109] 제108항에 있어서,상기 처리액 공급부는, 상기 공급구가상기촉매보유지지부함께이동하도록구성된,기판 처리 장치. [청구항 110] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매의 온도를 제어하기 위한 촉매 온도 제어 기구를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 111] 제110항에 있어서,상기 촉매 온도 제어 기구는 펠티에 소자갖는,기판 처리 장치. [청구항 112] 기판 처리 시스템이며, 제1항 내지 제32항 및 제43항 내지 제111항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치와, 상기 기판을 세정하도록 구성된 기판 세정부와, 세정한 상기 기판을 건조시키기 위한 기판 건조부와, 상기 기판을 반송하는 기판 반송부를 갖는, 기판 처리 시스템 [청구항 113] 제112항에 있어서,상기 기판 반송부는,웨트상태의기판과드라이상태의기판따로따로반송할수구성되는,기판 처리 시스템. [청구항 114] 기판 처리 시스템이며, 제1항 내지 제32항 및 제43항 내지 제111항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치와, 상기 기판에 성막 처리를 행하도록 구성되는 성막 장치를 갖는, 기판 처리 시스템 [청구항 115] 제114항에 있어서,상기 성막 장치는, 화학 기상 성장(cvd) 장치, 스퍼터 장치, 도금 장치 및 코터 장치 중 적어도 1개갖는,기판 처리 시스템. [청구항 116] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 탄성 부재와, 상기 탄성 부재에 부착되는, 상기 촉매를 보유 지지하는 필름을 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 117] 제116항에 있어서,상기 필름은 수지형성되는,기판 처리 장치. [청구항 118] 제116항 또는 제117항에 있어서,상기 필름은, 상기 촉매와 상기 기판이 접촉한 상태에 있어서, 상기 촉매와 상기 기판 사이에 있어서 상기 처리액이 상기 기판의 면내에서 이동 가능해지도록 구성되는 홈갖는,기판 처리 장치. [청구항 120] 제116항 내지 제119항 중 어느 한 항에 있어서,상기 촉매 보유 지지부는, 상기 촉매 보유 지지부 내를 통해 상기 처리액을 상기 기판의 상기 피처리 영역 상에 공급하기 위한, 복수의 처리액 공급 통로 및 처리액 공급구를 갖는 처리액 공급부갖는,기판 처리 장치. [청구항 121] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 탄성 부재와, 상기 탄성 부재와 상기 촉매의 사이에 배치되는, 상기 탄성 부재보다 경질인 재료의 층을 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 122] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 처리액을 상기 촉매의 표면에 공급하기 위한 입구 통로와, 처리액을 상기 촉매의 표면으로부터 회수하기 위한 출구 통로를 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 124] 제123항에 있어서,상기 기판 처리 장치의 동작의 제어를 행하도록 구성된 제어부를 구비하고,상기 제어부는, 상기 모니터링부에 의해 얻어지는 상기 에칭 처리 상태에 기초하여 처리 중인 상기 기판의 처리 조건에 있어서의적어도1개의파라미터제어하도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 125] 제123항에 있어서,상기 제어부는 상기 모니터링부에서 얻어지는 상기 에칭 처리 상태에 기초하여,처리의종점결정하도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 126] 제123항 또는 제125항에 있어서,상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고,상기 모니터링부는, 상기 촉매 보유 지지부와 상기 기판 보유 지지부가 상대적으로 이동할 때의 상기 구동부의 토크 전류에 기초하여 상기 에칭 처리 상태를 모니터링하는토크전류 모니터부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 127] 제123항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와,상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고,상기 모니터링부는, 상기 촉매 보유 지지부를 회전 구동시킬 때의 토크 전류, 또는 상기 기판 보유 지지부를 회전 구동시킬 때의 토크 전류 중 적어도 한쪽의 토크 전류에 기초하여 상기 에칭 처리 상태를 모니터링하는토크전류 모니터부를구비하는,기판 처리 장치. [청구항 128] 제123항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 기판을 보유 지지하도록 구성된 기판 보유 지지부와,상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고,상기 모니터링부는, 상기 촉매 보유 지지부에 구비되는 진동 센서를 갖고, 상기 진동 센서는, 상기 기판 보유 지지부와 상기 촉매 보유 지지부가 상대적으로 이동할 때의 진동을 검출하도록 구성되고, 상기 모니터링부는, 상기 진동 센서에 의한 진동의 변화를 검출함으로써상기에칭 처리상태모니터링하도록구성되는,기판 처리 장치. [청구항 129] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부를 갖고, 상기 촉매 보유 지지부는, 디스크 홀더부와, 상기 디스크 홀더부에 제거 가능하게 연결되는 캐털라이저 디스크부를 갖고, 상기 캐털라이저 디스크부는, 표면에 상기 촉매가 보유 지지되는 촉매 보유 지지 부재와, 상기 촉매에 전기적으로 접속되는 촉매 전극과, 카운터 전극을 갖고, 상기 디스크 홀더부는, 상기 촉매 전극에 전기적으로 접속되는 촉매 전극용의 배선과, 상기 카운터 전극에 전기적으로 접속되는 카운터 전극용 배선을 갖고, 또한 상기 디스크 홀더와 상기 캐털라이저 디스크가 연결되었을 때, 상기 촉매 전극을 상기 촉매 전극용 배선에 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 프로브, 및 상기 카운터 전극을 상기 카운터 전극용 배선에 전기적으로 접속하기 위한 콘택트 프로브를 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매 전극과 상기 카운터 전극 사이에 전압을 인가하기 위한 전원을 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 130] 처리액의 존재하에서 기판과 촉매를 접촉시켜, 상기 기판의 피처리 영역을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 촉매를 보유 지지하도록 구성된 촉매 보유 지지부와, 상기 촉매 보유 지지부를 상기 기판의 면에 수직인 방향으로 이동 가능한, 상기 촉매 보유 지지부에 장착되는 요동 아암을 갖고, 상기 요동 아암은, 상기 촉매 보유 지지부의 상기 촉매를 상기 기판에 접촉시키고 있을 때의 접촉 압력을 측정하도록 구성되는 로드 셀을 갖는, 기판 처리 장치 [청구항 131] 제130항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 로드 셀에 의해 측정한 접촉 압력에 기초하여 상기 촉매와 상기 기판의 접촉 압력을 제어하도록 구성되는 pid 컨트롤러갖는,기판 처리 장치. [청구항 132] 제130항에 있어서,상기 요동 아암은, 상기 요동 아암의 전체를 둘러싸는 커버를 갖고, 상기 요동 아암은, 상기 커버 내에 공기 및/또는질소를공급가능하게구성되는,기판 처리 장치.