실리콘에서 실리콘 게르마늄으로의 박막 트랜지스터 엘리먼트들의 변환 document_id 1020167028404

[청구항 1] 장치로서, 실리콘으로 구성된 반도체 기판; 및 상기 반도체 기판 상에 배치된 트랜지스터 디바이스의 채널 몸체 를 포함하고, 상기 채널 몸체는 핀 구조의 실리콘 게르마늄(sige) 부분을 포함하고, 상기 핀 구조는 실리콘(si) 부분을 더 포함하고, 상기 sige 부분은 상기 si 부분으로부터 연장되고, 상기 sige 부분은 sige 합금을 포함하고, 상기 sige 부분은 상기 sige 부분의 외부 면에서 상기 sige 부분의 중심까지 균일한 게르마늄 분포를 포함하고, 상기 균일한 게르마늄 분포는 상기 sige 합금을 형성하기 위해 실리콘으로 구성된 채널 몸체 재료 상의 상기 게르마늄을 포함하는 클래딩 층을 어닐링함에 의한 상기 게르마늄의 확산과 일치하고, 상기 sige 부분 및 상기 si 부분 각각은 상기 sige 부분이 상기 si 부분으로부터 연장되는 곳에서 두께를 가지고, 상기 sige 부분의 상기 두께는 상기 sige 부분이 상기 si 부분으로부터 연장되는 곳에서의 상기 si 부분의 상기 두께만큼 적어도 두꺼운, 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체 내의 상기 게르마늄의 농도는 상기 채널 몸체의 외부 면에서 상기 채널 몸체의 중심감소하는,장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체 내의 상기 게르마늄의 농도는 상기 채널 몸체의 외부 면에서 상기 채널 몸체의 중심까지 실질적일정한,장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 트랜지스터 디바이스는 듀얼-게이트(dual-gate), 트리-게이트(tri-gate) 또는 올-어라운드 게이트(all-around gate) 트랜지스터디바이스인,장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,구조는 상기 반도체 기판의 실리콘형성되는,장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,구조는 상기 반도체 기판에 인접한 기저부(base portion), 단부(end portion), 및 상기 기저부와 상기 단부 사이에 배치된 중간부(middle portion)를 가지고,상기 기저부는 상기 중간부의 두께보다 큰 두께를 가지고,상기 채널 몸체는 상기 중간부의 두께보다 큰 두께가지는,장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체는 나노와이어 구조의 부분포함하는,장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체는 상기 클래딩 층의 두께의 2배에 실리콘으로 구성된 상기 채널 몸체 재료의 두께를 더한 두께가지는,장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체는 작은 면이 있는(faceted) 결정성 프로파일가지는,장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체는 제1 트랜지스터의 제1 채널 몸체이고,상기 장치는,상기 반도체 기판 상에 배치된 제2 채널 몸체; 및상기 제1 채널 몸체와 상기 제2 채널 몸체 사이의 상기 반도체 기판 상에 배치된 전기 절연 재료더 포함하는장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 제1 채널 몸체 및 상기 제2 채널 몸체는 복수의 p-채널 몸체들의 채널 몸체들이고,상기 장치는,상기 반도체 기판 상에 배치된 복수의 n-채널 몸체들을 더 포함하고, 상기 복수의 n-채널 몸체들은 상기 복수의 p-채널 몸체들에서의 상기 게르마늄의 농도와 상이한 게르마늄의 농도가지는,장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 채널 몸체 상에 형성된 게이트 산화물; 및상기 채널 몸체와 연결되고 상기 채널 몸체 내의 전하 캐리어들의 흐름을 제어하도록 구성된 게이트 전극더 포함하는장치. [청구항 13] 시스템으로서, 회로 보드; 및 상기 회로 보드와 연결된 반도체 다이 를 포함하고, 상기 반도체 다이는, 실리콘으로 구성된 반도체 기판; 및 상기 반도체 기판 상에 배치된 트랜지스터 디바이스의 채널 몸체 를 포함하고, 상기 채널 몸체는 핀 구조의 실리콘 게르마늄(sige) 부분을 포함하고, 상기 핀 구조는 실리콘(si) 부분을 더 포함하고, 상기 sige 부분은 상기 si 부분으로부터 연장되고, 상기 sige 부분은 sige 합금을 포함하고, 상기 sige 부분은 상기 sige 부분의 외부 면에서 상기 sige 부분의 중심까지 균일한 게르마늄 분포를 포함하고, 상기 균일한 게르마늄 분포는 상기 sige 합금을 형성하기 위해 실리콘으로 구성된 채널 몸체 재료 상의 상기 게르마늄을 포함하는 클래딩 층을 어닐링함에 의한 상기 게르마늄의 확산과 일치하고, 상기 sige 부분 및 상기 si 부분 각각은 상기 sige 부분이 상기 si 부분으로부터 연장되는 곳에서 두께를 가지고, 상기 sige 부분의 상기 두께는 상기 sige 부분이 상기 si 부분으로부터 연장되는 곳에서의 상기 si 부분의 상기 두께만큼 적어도 두꺼운, 시스템 [청구항 14] 제13항에 있어서,구조는 상기 반도체 기판의 실리콘으로 형성되고,상기 핀 구조는 상기 반도체 기판에 인접한 기저부, 단부, 및 상기 기저부와 상기 단부 사이에 배치된 중간부를 가지고,상기 기저부는 상기 중간부의 두께보다 큰 두께를 가지고,상기 채널 몸체는 상기 중간부의 두께보다 큰 두께가지는,시스템. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 시스템은 랩톱, 넷북, 노트북, 울트라북, 스마트폰, 태블릿, pda(personal digital assistant), 울트라 모바일 pc, 모바일폰, 데스크톱 컴퓨터, 서버, 프린터, 스캐너, 모니터, 셋-톱 박스, 엔터테인먼트 제어 유닛, 디지털 카메라, 휴대용 음악 플레이어 또는 디지털 비디오 레코더 중하나인,시스템.