발광 디바이스 및 전자 장비 document_id 1020167030034

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 정공 수송층, 상기 제 1 발광 기능층 및 상기 제 2 정공 수송층은 각각 액상 프로세스를 사용하여 형성되고; 그리고상기 공통 정공 수송층 및 상기 제 2 발광 기능층은기상프로세스사용하여형성되는,발광 디바이스. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 정공 수송층은 고분자량 정공 수송 재료를 사용하여 구성되고, 그리고상기 제 2 정공 수송층 및 상기 공통 정공 수송층은 각각 저분자량정공수송 재료사용하여구성되는,발광 디바이스. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 제 2 정공 수송층 및 상기 공통 정공 수송층은 저분자량 정공 수송 재료로서 3 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계들을 갖는 트리아릴아민 화합물포함하는,발광 디바이스. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 트리아릴아민 화합물은 다음의 식 (i) 을 갖고: 식중, ar1 내지 ar3 은, 각각의 발생 시, 각각의 경우에서 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 r 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 모노- 또는 다환, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고; r 은, 각각의 발생 시, 동일하게 또는 상이하게, h, d, f, cl, br, i, n(r1)2, cn, no2, si(r1)3, b(or1)2, c(=o)r1, p(=o)(r1)2, s(=o)r1, s(=o)2r1, oso2r1, 각각이 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40 개의 c 원자들을 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 c 원자들을 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서, 하나 이상의 인접하지 않은 ch2 기들은 r1c=cr1, c≡c, si(r1)2, c=o, c=s, c=nr1, p(=o)(r1), so, so2, nr1, o, s 또는 conr1 에 의해 대체될 수도 있고, 그리고 하나 이상의 h 원자들은 d, f, cl, br, i 또는 cn 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 각각의 경우 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 모노- 또는 다환, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 r1 에 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기, 또는 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기, 또는 가교성기 q 이고, 여기서, 2 이상의 라디칼들 r 은 또한 서로 모노- 또는 다환, 지방족, 방향족 및/또는 벤조 융합 고리계를 형성할 수도 있고, r1 은, 각각의 발생 시, 동일하게 또는 상이하게, h, d, f, 또는 1 내지 20 개의 c 원자들을 갖는 지방족 탄화수소 라디칼, 5 내지 20 개의 c 원자들을 갖는 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이며, 여기서 부가적으로 하나 이상의 h 원자들은 f 에 의해 대체될 수도 있으며; 2 이상의 치환기들 r1 은 또한 서로 모노- 또는 다환,지방족또는방향족고리계형성할수있는,발광 디바이스. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 정공 수송층은, 상기 공통 정공 수송층의 구성 재료의 특성과 동일하거나 근사한 특성을 갖는 재료를 포함하는 것의해구성되는,발광 디바이스. [청구항 7] 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 정공 수송층은, 상기 저분자량 정공 수송 재료 이외에고분자량정공수송 재료포함하여구성되는,발광 디바이스. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 고분자량 정공 수송 재료는, 다음의 식 (xi) 의 적어도 하나의 구조 단위를 포함하는 중합체이고: 식중, ar1 내지 ar3 은, 각각의 발생 시, 각각의 경우 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 r 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 모노- 또는 다환, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고;r 은, 각각의 발생 시, 동일하게 또는 상이하게, h, d, f, cl, br, i, n(r1)2, cn, no2, si(r1)3, b(or1)2, c(=o)r1, p(=o)(r1)2, s(=o)r1, s(=o)2r1, oso2r1, 각각이 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40 개의 c 원자들을 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 3 내지 40 개의 c 원자들을 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서, 하나 이상의 인접하지 않은 ch2 기들은 r1c=cr1, c≡c, si(r1)2, c=o, c=s, c=nr1, p(=o)(r1), so, so2, nr1, o, s 또는 conr1 에 의해 대체될 수도 있고, 그리고 하나 이상의 h 원자들은 d, f, cl, br, i 또는 cn 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 각각의 경우 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 모노- 또는 다환, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 r1 에 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기, 또는 하나 이상의 라디칼들 r1 에 의해 치환될 수도 있는, 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자들을 갖는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기이고, 여기서, 2 이상의 라디칼들 r 은 또한 서로 모노- 또는 다환, 지방족, 방향족 및/또는 벤조 융합 고리계를 형성할 수도 있고; r1 은, 각각의 발생 시, 동일하게 또는 상이하게, h, d, f, 또는 1 내지 20 개의 c 원자들을 갖는 지방족 탄화수소 라디칼, 5 내지 20 개의 c 원자들을 갖는 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이며, 여기서 부가적으로 하나 이상의 h 원자들은 f 에 의해 대체될 수도 있으며; 2 이상의 치환기들 r1 은 또한 서로 모노- 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수도 있으며; 그리고쇄선들은 상기 중합체에서 인접 구조 단위들로의 결합들나타내는,발광 디바이스. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공통 정공 수송층의 구성 재료는 전자 차단 특성갖는,발광 디바이스. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 발광 기능층의 구성 재료는 주 재료로서 저분자량 재료구성되는,발광 디바이스. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공통 정공 수송층의 두께는 1 nm이하인,발광 디바이스. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,제 3 애노드, 상기 공통 캐소드, 상기 제 3 애노드와 상기 공통 캐소드 사이에 제공되는 제 3 정공 수송층, 및 상기 제 3 정공 수송층과 접촉하는 상태로 상기 제 3 정공 수송층과 상기 공통 캐소드 사이에 제공되는 제 3 발광 기능층을 포함하는 제 3 발광 소자를 더 포함하고, 상기 공통 정공 수송층은 상기 제 3 발광 기능층과 접촉하고, 상기 제 1 발광 소자, 상기 제 2 발광 소자, 및 상기 제 3 발광 소자는 서로 상이한 발광색들갖는,발광 디바이스. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 제 1 발광 소자의 발광색은 적색이고, 상기 제 2 발광 소자의 발광색은 청색이며, 상기 제 3 발광 소자의 발광색은녹색인,발광 디바이스.