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전력용 반도체 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020167031397

출원번호
1020167031397
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 6] 이너 리드와, 상기 이너 리드에 접속된 아우터 리드와, 상기 이너 리드보다 아래쪽에 배치된 다이 패드와, 상기 이너 리드와 상기 다이 패드를 연결하는 굴곡부를 갖는 리드 프레임과, 상기 다이 패드상에 고착된 전력용 반도체 소자와, 상기 다이 패드의 하면에 절연막을 사이에 두고 고착된 금속판과, 상기 이너 리드, 상기 다이 패드, 상기 전력용 반도체 소자, 상기 절연막, 및 금속판을 봉지하는 봉지 수지 를 구비하고, 상기 금속판의 하면은 상기 봉지 수지의 하면으로부터 노출되고, 상기 이너 리드의 아래쪽에 있어서 상기 봉지 수지의 하면에 단차부가 마련되고, 상기 단차부에 있어서의 상기 봉지 수지의 하면의 높이는 상기 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 장치 [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 단차부와 상기 금속판의 사이에 있어서 상기 봉지 수지의 하면에 상기 단차부보다 깊이가 얕은홈마련되어있는것을특징으로 하는전력용 반도체 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 홈은 2개 이상마련되어있는것을특징으로 하는전력용 반도체 장치. [청구항 9] 제 6 항에 있어서,상기 단차부와 상기 금속판의 사이에 있어서 상기 봉지 수지의 하면에 상기 단차부보다 깊이가 얕은소단차부마련되어있는것을특징으로 하는전력용 반도체 장치. [청구항 10] 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속판의 긴 변을 따라 상기 단차부가 마련되고, 상기 금속판의 짧은 변을 따라 상기 봉지 수지의 하면에오목부마련되어있는것을특징으로 하는전력용 반도체 장치. [청구항 11] 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단차부는상기금속판의외주마련되어있는것을특징으로 하는전력용 반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전력용 반도체 장치에서 봉지 수지의 하면에 마련된 단차부의 높이는 전력용 반도체 소자의 상면 높이와 비교하여 어떠한 관계를 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    봉지 수지 하면에 마련된 단차부의 높이와 전력용 반도체 소자 상면 높이 사이의 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 6에서 단차부의 위치와 높이에 관한 기술적 특징을 추출한다.

    • 상기 단차부에 있어서의 상기 봉지 수지의 하면의 높이는 상기 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높은
  3. 3근거 선택evidence_selection

    단차부의 높이가 소자 상면 높이보다 높다는 직접적인 문구를 선택한다.

    • 상기 단차부에 있어서의 상기 봉지 수지의 하면의 높이는 상기 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높은
  4. 4논리 통합logical_integration

    단차부의 높이가 전력용 반도체 소자의 상면 높이보다 높다는 관계를 논리적으로 연결한다.

    • 상기 단차부에 있어서의 상기 봉지 수지의 하면의 높이는 상기 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높은
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 답변으로 단차부의 높이가 소자 상면 높이보다 높음을 도출한다.

    • 상기 단차부에 있어서의 상기 봉지 수지의 하면의 높이는 상기 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높은
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

    • 상기 단차부에 있어서의 상기 봉지 수지의 하면의 높이는 상기 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높은
최종 답변 (final_answer)
봉지 수지의 하면에 마련된 단차부의 높이는 전력용 반도체 소자의 상면의 높이보다 높다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전력용 반도체 장치의 봉지 수지 구조에서 단차부의 높이를 소자의 상면 높이보다 높게 형성하여 특정 구조적 특징을 구현함.