Ｅ 빔 범용 커터 document_id 1020167031468

[청구항 1] e 빔 툴을 위한 블랭커 애퍼처 어레이(baa)로서, 상기 baa는, 제1 방향을 따르는 개구들의 제1 컬럼; 및 상기 제1 방향을 따르고 상기 개구들의 제1 컬럼로부터 스태거링되는 개구들의 제2 컬럼 - 개구들의 상기 제1 및 제2 컬럼들은 상기 제1 방향에서 피치를 갖는 어레이를 함께 형성함 -을 포함하고, 상기 baa의 스캔 방향은 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따르고, 상기 어레이의 상기 피치는 상기 제2 방향과 평행한 배향을 위한 라인들의 타겟 패턴의 최소 피치 레이아웃의 절반에 해당하는, 블랭커 애퍼처 어레이(baa) [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 개구들의 제1 컬럼은 상기 제1 방향으로 배열된 개구들의 제1 단일 컬럼이고, 상기 개구들의 제2 컬럼은 상기 제1 방향배열된개구들의 제2 단일 컬럼인, 블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제2 방향을 따라 스캔될 때, 상기 개구들의 제1 컬럼의 상기 개구들은 상기 개구들의 제2 컬럼의 상기 개구들중첩되지 않는,블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제2 방향을 따라 스캔될 때, 상기 개구들의 제1 컬럼의 상기 개구들은 상기 개구들의 제2 컬럼의 상기 개구들약간 중첩되는,블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 5] 제1항에 있어서,개구들의 상기제1 및 제2 컬럼들은 실리콘의 얇은 슬라이스에 형성된 애퍼처들의 제1 및 제2 컬럼들인,블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 애퍼처들의 제1 및 제2 컬럼들의 상기 애퍼처들 중 하나 이상은 그 주위에 금속갖는,블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 어레이의 상기 피치는 대략 10 나노미터 e-빔 스폿 크기 피치에 해당하고, 라인들의 상기 타겟 패턴의 상기 최소 피치 레이아웃대략 20 나노미터인,블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 8] 제1항에 있어서,개구들의 상기제1 및 제2 컬럼들의 수량은 실리콘의 얇은 슬라이스에 형성된 총 8192개의 애퍼처들이르는,블랭커 애퍼처 어레이(baa). [청구항 12] e 빔 툴을 위한 컬럼으로서, 상기 컬럼은, 전자들의 빔을 제공하기 위한 전자 소스 상기 전자들의 빔의 상기 빔의 경로를 따라 상기 전자 소스와 결합된 제한 애퍼처 상기 전자들의 빔의 상기 빔의 상기 경로를 따라 상기 제한 애퍼처와 결합된 높은 종횡비 조명 광학계 상기 전자들의 빔의 상기 빔의 상기 경로를 따라 상기 높은 종횡비 조명 광학계와 결합된 성형 애퍼처 상기 전자들의 빔의 상기 빔의 상기 경로를 따라 상기 성형 애퍼처와 결합된 블랭커 애퍼처 어레이(baa) - 상기 baa는, 제1 방향을 따르는 개구들의 제1 어레이; 및 상기 제1 방향을 따르고 상기 개구들의 제1 어레이로부터 스태거링되는 개구들의 제2 어레이 - 개구들의 상기 제1 및 제2 어레이들은 상기 제1 방향에서 피치를 갖는 어레이를 함께 형성함 -을 포함함 - 상기 전자들의 빔의 상기 빔의 상기 경로를 따라 상기 baa와 결합된 최종 애퍼처; 및 상기 전자들의 빔을 수신하기 위한 샘플 스테이지 - 상기 샘플 스테이지의 스캔 방향은 상기 baa의 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따르고, 상기 baa의 상기 어레이의 상기 피치는 상기 제2 방향과 평행한 배향을 위한 라인들의 타겟 패턴의 최소 피치 레이아웃의 절반에 해당함 - 를 포함하는, e 빔 툴을 위한 컬럼 [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 샘플 스테이지는 상기 제2 방향을 따라 스캔되고, 상기 baa의 상기 개구들의 제1 어레이의 상기 개구들은 상기 baa의 상기 개구들의 제2 어레이의 상기 개구들과 중첩되지 않는, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 샘플 스테이지는 상기 제2 방향을 따라 스캔되고, 상기 baa의 상기 개구들의 제1 어레이의 상기 개구들은 상기 baa의 상기 개구들의 제2 어레이의 상기 개구들과 약간 중첩되는, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기baa는 실리콘의 얇은 슬라이스에 배치된 물리적 애퍼처들의 어레이인, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기baa의 애퍼처들의 상기 제1 및 제2 어레이들의 상기 애퍼처들 중 하나 이상은 그 주위에 금속을 갖는, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 금속은 상기 전자들의 빔의 일부를 상기 컬럼 내에 하우징된 패러데이 컵 또는 블랭킹 애퍼처로 전달하거나 조종하기 위한 하나 이상의 전극들을 포함하는, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 18] 제12항에 있어서,상기baa의 상기 어레이의 상기 피치는 대략 10 나노미터 e-빔 스폿 크기 피치에 해당하고, 라인들의 상기 타겟 패턴의 상기 최소 피치 레이아웃은 대략 20 나노미터인, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기baa는 8192개의 애퍼처들을 갖는, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 20] 제12항에 있어서,상기 성형 애퍼처는 1차원 성형 애퍼처인, e 빔 툴위한컬럼. [청구항 21] 제12항에 있어서,상기 샘플 스테이지는 교호 직교층 패터닝을 수용하기 위해 90도만큼 회전 가능한, e 빔 툴위한컬럼.