핀 기반 일렉트로닉스를 위한 고체 소스 확산 접합 document_id 1020167034750

[청구항 9] 장치로서, 기판; 상기 기판 위의 핀 - 상기 핀은 제1 도펀트 타입의 채널 및 제2 도펀트 타입의 웰의 적어도 일부를 가짐 -; 및 상기 핀의 상기 웰과 접촉하지 않고 형성된 상기 핀의 제1 콘택 및 제2 콘택 을 포함하는 장치 [청구항 10] 제17항에 있어서,상기 제1 콘택과 상기 제2 콘택 사이의 저항을 제어하기 위해 상기 핀 위 및 주위에 형성된 상기 제1 및 제2 콘택들 사이의 제어 게이트를 추가포함하는장치. [청구항 11] 제21항에 있어서,상기제1 및 제2 콘택들은 상기 핀 내의 도펀트포함하는장치. [청구항 12] 제17항에 있어서,상기 제어 게이트는 2개의 측부에서 상기 핀의 상기 채널 위 및 주위연장하는장치. [청구항 13] 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 콘택은 소스를 포함하고, 상기 제2 콘택은 드레인을 포함하고, 상기 장치는 상기 핀의 상기 웰과 접촉하지 않고 형성된 상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 핀으로 형성된 상기 제2 도펀트 타입의 게이트를 추가포함하는장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 게이트는 에피텍시 성장(epitaxial growth)의 상기 핀위에 있는장치. [청구항 15] 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 도펀트 타입의 상기 채널은 상기 소스와 상기 드레인 사이의 전류 채널이고, 상기 게이트에 인가되는 전압은 전류가 상기 채널결정하는장치. [청구항 16] 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스와 상기 드레인 사이에 제어 게이트를 추가로 포함하고, 상기 제어 게이트는 2개의 측부에서 상기 핀의 상기 채널 위 및 주위로 연장하고, 상기 채널을 통한전류흐름제한하도록구성되는장치. [청구항 17] 컴퓨팅 시스템으로서, 통신 칩; 전원; 및 복수의 트랜지스터를 갖는 프로세서 를 포함하고, 적어도 하나의 트랜지스터는 기판, 상기 기판 위의 핀 - 상기 핀은 제1 도펀트 타입의 채널 및 제2 도펀트 타입의 웰의 적어도 일부를 가짐 -, 상기 핀의 상기 웰과 접촉하지 않고 형성된 상기 핀의 상기 제1 도펀트 타입의 소스 및 드레인, 및 상기 핀의 상기 웰과 접촉하지 않고 형성된 상기 소스와 상기 드레인 사이의 상기 핀으로 형성된 상기 제2 도펀트 타입의 게이트를 갖는 접합 게이트 전계 효과 트랜지스터인 컴퓨팅 시스템 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 게이트는 상기 핀 위에 도핑된 유리를 퇴적하고 상기 유리를 어닐링하고 상기 유리를 제거함으로써 상기 핀 내형성되는컴퓨팅 시스템. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 접합 게이트 전계 효과 트랜지스터는 상기 소스와 상기 게이트 사이에 제어 게이트를 추가로 포함하고, 상기 제어 게이트는 상기 소스와 상기 드레인 사이의 저항을 제어하기 위해 상기 핀 위 및 주위형성되는컴퓨팅 시스템. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 제어 게이트는 상기 핀 위에 폴리실리콘을 패터닝하고 상기 폴리실리콘을 제거하고 상기 폴리실리콘으로부터의보이드를금속재충전함형성되는컴퓨팅 시스템.