문맥 (context)
[청구항 1]
i) - 전극 물질의 전극체 (2),
- 이 전극 물질의 표면을 적어도 부분적으로 피복하는 유전체 (3), 및
- 상기 유전체 표면을 적어도 부분적으로 피복하는 전기 전도성 물질을 적어도 포함하는 고체 전해질 (4)을 포함하는, 커패시터체 (1)를 제공하는 단계,
ii) 상기 커패시터체 (1)에 적어도 하나의 프라이머 화합물 e)을 적용시킨 다음, 공액 고분자 b) 및 용제 또는 분산제 d)를 포함하는 용액 또는 분산액 a)을 적용한 후에, 상기 커패시터체 (1) 상에 형성되는 고분자 외부층 (5)의 형성을 위해 상기 용제 또는 분산제 d)가 적어도 부분 제거되는, 프라이머 화합물의 적용 단계를 포함하며
여기서 상기 프라이머 화합물 e)은, 선택적으로 양성자화될 수 있는, 적어도 하나의 아민기 및 선택적으로 탈양성자화될 수 있는, 적어도 하나의 카르복실산 또는 술폰산기를 포함하는 이- 또는 다관능성 단량체 화합물인, 전해 커패시터의 생산 공정
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 프라이머 화합물e)은, 동일한 탄소 원자에 결합된, 아민기 및 카르복실산기포함하지 않는,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 3]
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 프라이머 화합물e)에서, 상기 적어도 하나의 아민기 및 적어도 하나의 카르복실산 또는 술폰산기는 모두 상기 화합물에 공유적결합되는,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 5]
청구항 4에 있어서,상기 아미노관능성 술폰산은, 4-(2-히드록시에틸)피페라진-1-에탄술폰산 (hepes), 4-모르폴린프로판술폰산 (mops), 4-모르폴린에탄술폰산 (mes), 3-(시클로헥실아미노)-1-프로판술폰산 (caps) 및 3-[n-트리스(히드록시메틸)메틸아미노]-2-히드록시프로판술폰산 (tapso)으로 이루어진 군선택되는,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,상기 프라이머 화합물e)은 하기 화학식 1의 화합물인, 전해 커패시터의 생산 공정: [화학식 1]여기서, r는 같거나 다를 수 있고, 수소, c1-c18 지방족 또는 헤테로 지방족기, c6-c18 방향족, 또는 헤테로 방향족기 또는 c7-c18 아랄킬 또는 헤테로 아랄킬기를 나타내며; a는 -nh2, -nhr1 또는 -nr12를 나타내고, 여기서, -nr12 잔기의 경우, r1은 같거나 다를 수 있으며, 및 여기서 r1은 c1-c18 지방족 또는 헤테로 지방족기, c6-c18 방향족, 또는 헤테로 방향족기 또는 c7-c18 아랄킬 또는 헤테로 아랄킬기를 나타내고, 및 여기서 그룹 a는 선택적으로 양성자화될 수 있으며;b는 -cooh 또는 -so3h를 나타내고, 여기서 그룹 b는 선택적으로 탈양성자화될 수있으며; n은 0 내지 20 범위의 정수를 나타낸다.
[청구항 7]
청구항 6에 있어서,상기 프라이머 화합물e)은, β-알라닌, γ-아미노브티르산, 6-아미노헥사노익산 및 β-아미노에탄술폰산 (타우린)으로 이루어진 군선택되는,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 8]
청구항 1에 있어서,상기 프라이머 화합물e)은, 하기 화학식 2의 화합물인, 전해 커패시터의 생산 공정: [화학식 2]여기서 r은 같거나 다를 수 있고, 수소, c1-c18 지방족 또는 헤테로 지방족기, c6-c18 방향족, 또는 헤테로 방향족기 또는 c7-c18 아랄킬 또는 헤테로 아랄킬기를 나타내며; a는 같거나 다를 수 있고, -nh2, -nhr1 또는 -nr12를 나타내고, 여기서, -nr12 잔기의 경우, r1은 같거나 다를 수 있으며, 및 여기서 r1은 c1-c18 지방족 또는 헤테로 지방족기, c6-c18 방향족, 또는 헤테로 방향족기 또는 c7-c18 아랄킬 또는 헤테로 아랄킬기를 나타내고, 및 여기서 그룹 a는 선택적으로 양성자화될 수 있으며;b는 같거나 다를 수 있고, -cooh 또는 -so3h를 나타내며, 여기서 그룹 b는 선택적으로 탈양성자화될 수있고; n은 0 내지 20 범위의 정수를 나타낸다.
[청구항 10]
청구항 1에 있어서,상기 프라이머 화합물은, 프롤린, 티로신, 트레오닌, 세린, 글루타민산 및 아스파르트산으로 이루어진군선택된아미노산인,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 11]
전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
공정 단계 ii)에서, 상기 프라이머 화합물 e)은, 용액의 총 중량에 기초하여, 적어도 0.5 wt.-%의 프라이머 화합물 e)를 포함하는 용액 또는 분산액으로부터 커패시터체 (1)에 적용되는, 전해 커패시터의 생산 공정
[청구항 13]
청구항 11 또는 12에 있어서,상기 프라이머 화합물e)이 적용되는 용액 또는 분산액의 용제 또는 분산제는, 적어도 물 또는 적어도 하나의 유기 용제 또는 분산제포함하는,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 15]
전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공액 고분자 b)는 양이온성 고분자이고, 여기서 용액 또는 분산액 a)은, 공액 고분자에 대한 반대-이온으로 제공되는 고분자성 음이온을 포함하는, 전해 커패시터의 생산 공정
[청구항 16]
청구항 14에 있어서,상기 고분자성음이온은 고분자 카르복실산 또는 술폰산의 음이온인,전해 커패시터의 생산 공정.
[청구항 18]
전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용액 또는 분산액 a)은, 공액 고분자로서, 선택적으로 치환된 폴리티오펜, 선택적으로 폴리아닐린 및 선택적으로 치환된 폴리피롤로 이루어진 군으로부터 선택된 전기 전도성 고분자를 포함하는, 전해 커패시터의 생산 공정
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
전해 커패시터의 생산 공정 중 고분자 외부층(5)을 형성하기 위해 용액 또는 분산액(a)을 적용한 후 수행해야 하는 단계는 무엇이며, 이때 용액 또는 분산액(a)의 구성 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation용액 또는 분산액(a)을 적용한 후 수행해야 하는 공정 단계와 해당 용액 또는 분산액(a)의 구성 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 용액 또는 분산액(a)의 구성 성분과 그 이후의 공정 단계를 추출한다.
- 공액 고분자 b) 및 용제 또는 분산제 d)를 포함하는 용액 또는 분산액 a)을 적용한 후에, 상기 커패시터체 (1) 상에 형성되는 고분자 외부층 (5)의 형성을 위해 상기 용제 또는 분산제 d)가 적어도 부분 제거되는
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3근거 선택
evidence_selection용액(a)의 성분과 고분자 외부층(5) 형성을 위한 후속 단계를 명시한 구절을 선택한다.
- 공액 고분자 b) 및 용제 또는 분산제 d)를 포함하는 용액 또는 분산액 a)을 적용한 후에, 상기 커패시터체 (1) 상에 형성되는 고분자 외부층 (5)의 형성을 위해 상기 용제 또는 분산제 d)가 적어도 부분 제거되는
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4논리 통합
logical_integration용액(a)은 공액 고분자(b)와 용제 또는 분산제(d)로 구성되며, 적용 후에는 용제 또는 분산제(d)를 적어도 부분적으로 제거해야 한다.
- 공액 고분자 b) 및 용제 또는 분산제 d)를 포함하는 용액 또는 분산액 a)을 적용한 후에, 상기 커패시터체 (1) 상에 형성되는 고분자 외부층 (5)의 형성을 위해 상기 용제 또는 분산제 d)가 적어도 부분 제거되는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로, 후속 단계는 용제 또는 분산제의 부분 제거이며, 구성 성분은 공액 고분자와 용제 또는 분산제이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
용액 또는 분산액(a)을 적용한 후에는 고분자 외부층(5)의 형성을 위해 용제 또는 분산제(d)를 적어도 부분적으로 제거해야 하며, 이때 용액 또는 분산액(a)의 구성 성분은 공액 고분자(b) 및 용제 또는 분산제(d)이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전해 커패시터 제조 시 고분자 외부층을 형성하기 위해 공액 고분자와 용제가 포함된 용액을 적용한 후, 용제를 제거하여 고분자층을 형성하는 공정 기술에 관한 것이다.