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층상 유무기 복합 페로브스카이트를 이용한 멤리스터 document_id 1020170042053

출원번호
1020170042053
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것인,멤리스터. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 내지 하기 화학식 3 중 어느 하나로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 멤리스터: [화학식 1]rr'n-1mnx3n+1;[화학식 2]rr'm2x6;[화학식 3]r2r'n-1mnx3n+1;상기 화학식 1 내지 상기 화학식 3에서, 각각 독립적으로,n은 1 이상의 수이고,m은 cu2+, ni2+, co2+, fe2+, mn2+, cr2+, pd2+, cd2+, yb2+, pb2+, sn2+, ge2+, bi3+, sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,r 및 r'은 각각 독립적으로 유기 양이온이고,x는 음이온포함하는 것임. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기r 및 상기 r'은, 각각 독립적으로, (r1r2r3r4n)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 양이온이며, 상기 r1 내지 상기 r4는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 24의 선형 또는 분지형 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진군선택되는것을포함하는 것인,멤리스터. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기r 및 상기 r'은, 각각 독립적으로, 화학식 (r6r7n=ch-nr8r9)+로서 표시되는 1 가의 포름아미디늄 양이온이며,상기 r6 내지 r9는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬(alkyl)기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴(aryl)기, 및 이들의 조합들로 이루어진군선택되는것을포함하는 것인,멤리스터. [청구항 6] 제 3 항에 있어서,상기r 및 상기 r'은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온 또는 포름아미디늄 양이온포함하는 것인,멤리스터. [청구항 7] 제 3 항에 있어서,상기n은 1 내지 4의 값갖는 것인,멤리스터. [청구항 8] 제 3 항에 있어서,상기x는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온포함하는 것인,멤리스터. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 제 1전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 전극 물질포함하는 것인,멤리스터. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트는 하기 화학식 1 내지 하기 화학식 3 중 어느 하나로서 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 멤리스터 제조방법: [화학식 1]rr'n-1mnx3n+1;[화학식 2]rr'm2x6;[화학식 3]r2r'n-1mnx3n+1;상기 화학식 1 내지 상기 화학식 3에서, 각각 독립적으로,n은 1 이상의 수이고,m은 cu2+, ni2+, co2+, fe2+, mn2+, cr2+, pd2+, cd2+, yb2+, pb2+, sn2+, ge2+, bi3+, sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 양이온을 포함하고,r 및 r'은 각각 독립적으로 유기 양이온이고,x는 음이온포함하는 것임.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
멤리스터의 작동 과정에서 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 스위칭 층이 수행하는 역할은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    질문에서 요구하는 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 스위칭 층의 기능적 역할을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 해당 층의 역할에 관한 구체적인 설명이 기술되어 있다.

    • 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    역할을 직접적으로 명시한 '전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것' 구절을 선택한다.

    • 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    해당 층이 멤리스터 작동 시 전도 채널을 형성함으로써 온-오프 상태를 결정한다는 인과관계를 확인한다.

    • 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 구성한다.

    • 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 층 또는 상기 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 함유하는 스위칭 층은 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것
  6. 6답변 생성answer_generation

    청구항의 문구를 그대로 사용하여 최종 답변을 생성한다.

    • 상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것
최종 답변 (final_answer)
상기 멤리스터가 작동되는 동안 전도 채널을 형성하여 온-오프 상태결정하는 것
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명에서 층상 유무기 복합 페로브스카이트를 포함하는 층은 멤리스터의 작동 시 전도 채널을 형성함으로써 소자의 온-오프 상태를 제어하는 핵심적인 스위칭 역할을 수행한다.