문맥 (context)
[청구항 16]
질화막에 대하여 상대적으로 인큐베이션 타임이 긴 재료로 이루어지는 제1 하지막과, 상대적으로 인큐베이션 타임이 짧은 재료로 이루어지는 제2 하지막을 포함하는 피처리 기판에 있어서
상기 제2 하지막 상에 선택적으로 질화막을 형성하는 질화막의 형성 장치로서,
상기 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와,
상기 처리 용기 내에, 원료 가스, 질화 가스, 에칭 가스를 공급하는 가스 공급 기구와,
상기 처리 용기 내에 수용된 복수의 피처리 기판을 가열하는 가열 장치와,
상기 처리 용기 내를 배기하는 배기 장치와,
상기 처리 용기 내에 상기 피처리 기판을 배치시켜, 상기 피처리 기판을 미리 정해진 온도로 가열시키면서, 원료 가스 및 질화 가스를 상기 피처리 용기 내에 공급시켜, 상기 피처리 기판 상에, ald 또는 cvd에 의해 상기 질화막을 성막시키고, 계속해서, 에칭 가스를 공급하여, 상기 제1 하지막 상의 질화물을 에칭 제거하여, 상기 제1 하지막의 막 면을 노출시키고, 상기 질화막의 형성과, 상기 제1 하지막 상의 질화물의 에칭 제거가 미리 정해진 횟수 반복되도록 제어하는 제어부
를 포함하는 질화막의 형성 장치
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 제1 하지막이 실리콘 산화막이며, 상기 제2 하지막이 실리콘 질화막이며, 상기 제1 하지막 및 상기 제2 하지막 상에 형성하는 질화막실리콘 질화막인,질화막의 형성 장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 실리콘 질화막을 성막할 때 사용하는 si 원료 가스는, 디클로로실란, 모노클로로실란, 트리클로로실란, 실리콘테트라클로라이드, 헥사클로로디실란, 모노실란, 디실란, 유기 실란계 화합물 중하나인,질화막의 형성 장치.
[청구항 19]
제17항에 있어서,상기 에칭 가스는, 불소 가스 및 산화성 가스포함하는,질화막의 형성 장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 에칭 가스는, 불화수소 가스 및 탄화수소계 화합물 가스 중 적어도 어느 하나포함하는,질화막의 형성 장치.
[청구항 21]
제17항에 있어서,상기 에칭 가스는, chxfy(단, x는 0 또는 1 이상의 정수, y는1이상의정수임표현되는가스인,질화막의 형성 장치.
[청구항 22]
제17항에 있어서,상기 에칭 가스는, nfxry(단, r은 탄화수소이며, x는 1 이상의 정수, y는 0또는1이상의정수임표현되는가스인,질화막의 형성 장치.
[청구항 23]
제16항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화막의 성막에 사용되는 상기 질화 가스는, 암모니아 가스 또는 히드라진 가스 또는 히드라진의 유도체가스인,질화막의 형성 장치.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
질화막의 형성 장치에서 제어부가 수행하는 공정 중, 제1 하지막의 막 면을 노출시키기 위해 수행하는 단계는 무엇이며, 이 과정은 어떤 방식으로 반복 제어되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질화막 형성 장치의 제어부가 제1 하지막의 막 면을 노출시키기 위해 수행하는 단계와 그 반복 제어 방식을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 16에서 제1 하지막의 막 면을 노출시키는 단계와 제어부의 동작을 추출한다.
- 에칭 가스를 공급하여, 상기 제1 하지막 상의 질화물을 에칭 제거하여, 상기 제1 하지막의 막 면을 노출시키고, 상기 질화막의 형성과, 상기 제1 하지막 상의 질화물의 에칭 제거가 미리 정해진 횟수 반복되도록 제어하는 제어부
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3근거 선택
evidence_selection질화물 에칭 제거 단계와 미리 정해진 횟수만큼 반복한다는 구절을 선택한다.
- 에칭 가스를 공급하여, 상기 제1 하지막 상의 질화물을 에칭 제거하여, 상기 제1 하지막의 막 면을 노출시키고, 상기 질화막의 형성과, 상기 제1 하지막 상의 질화물의 에칭 제거가 미리 정해진 횟수 반복되도록 제어
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4논리 통합
logical_integration제어부는 에칭 가스를 공급해 질화물을 제거함으로써 막 면을 노출시키며, 이 과정(질화막 형성 및 에칭 제거)을 정해진 횟수만큼 반복하도록 제어한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질화물 에칭 제거 단계가 수행되며, 질화막 형성과 에칭 제거가 미리 정해진 횟수만큼 반복되도록 제어된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변을 완성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 하지막의 막 면을 노출시키기 위해 수행하는 단계는 에칭 가스를 공급하여 제1 하지막 상의 질화물을 에칭 제거하는 단계이며, 이 과정은 상기 질화막의 형성과 제1 하지막 상의 질화물 에칭 제거가 미리 정해진 횟수만큼 반복되도록 제어된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 질화막 형성 과정에서 에칭 가스를 이용해 제1 하지막 상의 질화물을 선택적으로 제거함으로써 막 면을 노출시키고, 성막과 에칭 과정을 정해진 횟수만큼 반복 제어하는 기술에 관한 것이다.