문맥 (context)
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 페로브스카이트 타입 결정 구조를 갖는 물질은 화학식 r'mx3을 가지며, 여기서, r'는, 1 내지 15의 탄소 및 1 내지 20의 헤테로원자, 또는 cs+를 가지며, n-함유 헤테로고리 및 고리 시스템을 포함하는, 1차, 2차, 3차 또는 4차 유기 암모늄 화합물로부터 선택된 유기, 1가 양이온이고, m은, cu2+, ni2+, co2+, fe2+, mn2+, cr2+, pd2+, cd2+, ge2+, sn2+, pb2+, eu2+ 및 yb2+로 이루어지는 군으로부터 선택된 2가 금속 양이온이며, 및 x는 f-, cl-, br-, i-, ncs-, cn- 및 nco-로 이루어진 군으로부터 독립적선택되는,적층체의 제조 공정.
[청구항 3]
청구항 2에 있어서,군으로부터 독립적선택된,적층체의 제조 공정.
[청구항 4]
청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,상기 전도성 고분자a)는 양이온성 폴리티오펜포함하는,적층체의 제조 공정.
[청구항 6]
청구항 5에 있어서,상기 반대-이온은 적어도 일부가 술폰화된 중합 스티렌 단량체 단위 및 중합된 비-술폰화 단량체 단위를 포함하는 공중합체이고, 및 상기 비-술폰화된 단량체 단위의 몰비는, 공중합체 내에 단량체 단위의 총량을 기준인,적층체의 제조 공정.
[청구항 7]
청구항 5에 있어서,상기 반대-이온은, 구조 a-b-c-b-a를 갖는 수소화 스티렌-이소프렌 블록 공중합체이고, 여기서 블록 a는 터트-부틸기로 적어도 부분적으로 치환된 폴리스티렌 블록에 상응하며, 블록 b는 교대로 공중합된 에틸렌-프로필렌 단위의 블록에 상응하고, 및 블록 c는 술폰화된 폴리스티렌 블록상응하는,적층체의 제조 공정.
[청구항 8]
청구항 1 내지 7중 어느 한 항에 있어서,층에 공정 단계 ⅱ)에서 적어도 부분적으로 중첩되는 조성물 a)의 수분 함량은, 각 경우에서 조성물 a)의 총 중량을 기준으로, 2 중량% 미만, 바람직하게는 0.5 중량미만인,적층체의 제조 공정.
[청구항 9]
청구항 1 내지 8중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 용매b)는 비-극성비양성자성 용매인,적층체의 제조 공정.
[청구항 10]
청구항 1 내지 9중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 용매b)의 유전 상수는 1 × 10-30 내지인,적층체의 제조 공정.
[청구항 11]
청구항 1 내지 10중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 용매b)는 7d 미만의 쌍극자 모멘트갖는,적층체의 제조 공정.
[청구항 12]
청구항 1 내지 11중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 용매b)는, 광활성 층의 표면에 중첩될 때 5% 미만의 δa-값을 나타내는 용매이고, 여기서 δa-값은 하기 수학식 1에 의해 계산되며,[수학식 1]δa = (a0 - ad)/a0 × 100%여기서, a0는, 광활성 층이, 490nm에서 각 경우에 결정된, 30초 동안 유기 용매 b로 중첩되기 전, 광활성 층의 흡수이고, ad는 중첩된 후, 광 활성층흡수인,적층체의 제조 공정.
[청구항 13]
청구항 1 내지 12중 어느 한 항에 있어서,층은, 공정 단계 ⅱ)에서 코팅 조성물 a)로 중첩되기 전에 하나 또는 둘의 부가적인 층으로 적어도 부분적피복되는,적층체의 제조 공정.
[청구항 16]
a) 양이온성 폴리티오펜과 반대-이온과의 염 또는 착물;
b) 1 × 10 -30 내지 20 × 10 -30 ㎝의 유전 상수를 갖는 유기 용매
c) 금속 나노와이어, 탄소 나노튜브, 그래핀 및 가교제의 군으로부터 선택된 첨가제를 포함하는, 분산액
[청구항 17]
a) 양이온성 폴리티오펜과 반대-이온과의 염 또는 착물;
b) 유기 용매를 포함하는 분산액으로,
여기서 상기 분산액은, 분산액의 총 중량을 기준으로, 100ppm 미만의 철 함량을 갖는, 분산액
[청구항 18]
청구항 15 내지 17중 어느 한 항에 있어서,상기 고분자 반대-이온은, 적어도 일부가 술폰화된 중합 스티렌 단량체 단위 및 중합된 비-술폰화 단량체 단위를 포함하는 공중합체이고, 및 상기 비-술폰화 단량체 단위의 몰비는, 공중합체 내에 단량체 단위의 총량을 기준인,분산액.
[청구항 19]
청구항 15 내지 17중 어느 한 항에 있어서,상기 반대-이온은, 구조 a-b-c-b-a를 갖는 수소화 스티렌-이소프렌 블록 공중합체이고, 여기서 블록 a는 터트-부틸기로 적어도 부분적으로 치환된 폴리스티렌 블록에 상응하며, 블록 b는 교대로 공중합된 에틸렌-프로필렌 단위의 블록에 상응하고, 및 블록 c는 술폰화된 폴리스티렌 블록상응하는,분산액.
[청구항 20]
청구항 15 내지 19중 어느 한 항에 있어서,상기 분산액으로 유리 기판을 코팅하고 이렇게 얻은 층 구조를 고온 플레이트상에서 200℃에서 3분간 건조시켜 만들어진 제조된 전기 전도성 층의 전도도인,분산액.
[청구항 21]
청구항 15 내지 20중 어느 한 항에 있어서,상기 분산액의 수분 함량은, 분산액의 총 중량으로 기준으로 한 각 경우에서, 2 중량% 미만, 바람직하게는 0.5 중량미만인,분산액.
[청구항 23]
청구항 22에 있어서,상기 전자 장치는 광전지 장치인,전자 장치.
[청구항 24]
광전지 장치 (1)의 제조 공정으로, 상기 공정은:
i) 다음을 포함하는 다층-전구체 몸체를 제공하는 단계
- 제1 전극 (3);
- 페로브스카이트 타입 결정 구조를 갖는 물질로 만들어진, 광 활성층 (5); 및
- 상기 제1 전극 (3)과 상기 광활성 층 (5) 사이에 위치된 전자 수송 층 (4)
ⅱ) 상기 다층-전구체 몸체의 광활성 층 (5)을 전기 전도성 고분자 a) 및 유기 용매 b)를 포함하는 코팅 조성물 a)로 적어도 부분적으로 중첩시키는 단계
ⅲ) 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는, 제거 단계
ⅳ) 상기 정공 수송 층 (6)을 적어도 부분적으로 제2 전극 (7)으로 중첩시키는 단계를 포함하는, 광전지 장치의 제조 공정
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 작동 또는 처리 절차를 순서대로 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
청구항 24에 따른 광전지 장치의 제조 공정 중, 광활성 층(5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층(6)을 얻기 위해 수행되는 단계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 24에 명시된 광전지 장치 제조 공정 중, 광활성 층(5) 위에 전기 전도성 정공 수송 층(6)을 형성하기 위해 수행되는 특정 단계를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 24의 공정 단계 ⅱ)와 ⅲ)을 확인하여 정공 수송 층(6)이 생성되는 과정을 추출한다.
- ⅱ) 상기 다층-전구체 몸체의 광활성 층 (5)을 전기 전도성 고분자 a) 및 유기 용매 b)를 포함하는 코팅 조성물 a)로 적어도 부분적으로 중첩시키는 단계; ⅲ) 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는, 제거 단계
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3근거 선택
evidence_selection정공 수송 층(6)을 얻는 직접적인 방법이 기술된 단계 ⅲ)의 내용을 선택한다.
- 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는, 제거 단계
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4논리 통합
logical_integration단계 ⅱ)에서 코팅 조성물을 중첩시킨 후, 단계 ⅲ)에서 유기 용매를 제거함으로써 최종적으로 정공 수송 층(6)이 형성됨을 논리적으로 연결한다.
- 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답으로, 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)를 적어도 부분적으로 제거하는 '제거 단계'임을 도출한다.
- 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는, 제거 단계
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는, 제거 단계
최종 답변 (final_answer)
공정 단계 ⅱ)에서 중첩된 코팅 조성물 a)로부터 유기 용매 b)의 적어도 부분적으로 제거하고, 이에 의해 상기 광활성 층 (5) 상에 중첩된 전기 전도성 정공 수송 층 (6)을 얻는, 제거 단계
핵심 해석 (core_interpretation)
광전지 장치 제조 시, 광활성 층 위에 코팅된 조성물로부터 유기 용매를 제거함으로써 전기 전도성 정공 수송 층을 형성하는 공정 단계를 정의하고 있다.