전자 부품 document_id 1020177021781

[청구항 1] 제 1 전극(16), 기판에 결합된 분자층(18) 및 제 2 전극(20)을 순서대로 포함하는 다수의 스위칭 소자(1)를 포함하는 전자 부품(10)으로서, 상기 분자층이 연결기(v) 및 극성 또는 이온성 기능을 갖는 말단기(e)를 함유하는 분자(m)로 본질적으로 이루어진, 전자 부품 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,연결기(v)가 가요성 구조이고 분자(m)가 구조-가요성 분자의 쌍극자 모멘트갖는전자 부품. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,연결기(v)가, 쇄 내에 하나 이상의 작용기 및/또는 하나 이상의 3- 내지 6-원 포화된 또는 부분적으로 불포화된 지환식 또는 헤테로환식 고리를 함유할 수 있고, 하나 이상의 h 원자가할로겐대체될수있는,c1-c25-알킬렌 기인 전자 부품. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,연결기(v)가, 하나 이상의 비인접한 ch2 기가 각각, n, o 및/또는 s가 서로 직접 결합하지 않는, -c=c-, -ch=ch-, -nr'-, -o-, -s-, -co-, -co-o-, -oco, -o-co-o- 또는 3- 내지 6-원 포화된 또는 부분적으로 불포화된 지환식 또는 헤테로환식 고리로 대체될 수 있고, 하나 이상의 3차 탄소 원자(ch 기)가 n으로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자가 할로겐으로 대체될 수 있되, r'이 각각의 경우, 서로 독립적으로, h 또는 c1-c12-알킬나타내는,선형 또는 분지형 c1-c25-알킬렌 기인 전자 부품. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,연결기(v)가, 하나 이상의 비인접한 ch2 기가 각각, o 및/또는 s가 서로 직접 결합하지 않는, -o-, -s- 또는 3- 내지 6-원 포화된 지환식 고리로 대체될 수 있고,하나이상의수소 원자대체될수있는,선형 또는 분지형 c1-c10-알킬렌 기인 전자 부품. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,말단기(e)가, 포함된 원자 사이의 전기 음성도 차이가 0.5 이상인,하나이상의결합갖는극성 말단기인전자 부품. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,말단기(e)가, cn, scn, no2, (c1-c4)-할로알킬, 바람직하게는 cf3, (c1-c4)-할로알콕시, 바람직하게는 ocf3, -s-(c1-c4)-할로알킬, 바람직하게는 scf3, s(o)2-(c1-c4)-할로알킬, 바람직하게는 so2cf3, sf5, osf5, n(c1-c4-할로알킬)2, 바람직하게는 n(cf3)2, n(cn)2 및 (c6-c12)-할로아릴, 바람직하게는 모노-, 다이- 또는 트라이플루오로페닐선택되는극성 말단기인전자 부품. [청구항 10] 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,말단기(e)가 이미다졸륨, 피리디늄, 피롤리디늄, 구아니디늄, 우로늄, 티오우로늄, 피페리디늄, 모폴리늄, 암모늄 및 포스포늄 기 또는 할라이드, 보레이트, 설포네이트, 카복실레이트, 포스포네이트, 포스피네이트, 과불화된 알킬설포네이트 및 -카복실레이트, 이미드 음이온 및 아미드 음이온, 바람직하게는 임의적으로 치환된 테트라페닐보레이트, 테트라플루오로보레이트, 트라이플루오로아세테이트, 트라이플레이트, 헥사플루오로포스페이트, 포스피네이트 및 임의적으로 치환된 토실레이트선택되는양이온성 또는 음이온성 기인 전자 부품. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,이온성또는 음이온성 기의 반대 이온이 제 10 항에 나타낸 음이온성 또는 양이온성 기 각각선택되는전자 부품. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,분자(m)가, 연결기(v) 및 말단기(e) 이외에 앵커기(a)를 함유하고, 앵커기(a)를 통해 연결기가 기판결합되는전자 부품. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,공유 결합에 의해 기판결합되는전자 부품. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,물리 흡착에 의해 기판결합되는전자 부품. [청구항 15] 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,복실레이트, 포스포네이트, 알코올레이트, 아릴레이트, 바람직하게는 페놀레이트, 티올레이트 및 설포네이트 기 또는 풀러린 유도체, 바람직하게는 [60]pcbm(메틸 [6,6]-페닐-c61-부탄오에이트) 및 [70]pcbm(메틸 [6,6]-페닐-c71-부탄오에이트선택되는전자 부품. [청구항 16] 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,분자(m)가 연결기(v)와 말단기(e) 사이에 하기 화학식의 중간기(d)를 함유하는 전자 부품:[y1-(z1-y2)m] (d)상기 식에서,y1 및 y2는 각각, 서로 독립적으로, 바람직하게는 4 내지 25개의 탄소 원자를 갖는 방향족, 헤테로방향족, 지환식 또는 헤테로환식 기이고, 이들은 축합 고리도 함유할 수 있고, rl 기에 의해 일치환 또는 다치환될 수 있고;rl은 각각의 경우 독립적으로 oh, sh, sro, -(ch2)n-oh, f, cl, br, i, -cn, -no2, -nco, -ncs, -ocn, -scn, -c(=o)n(ro)2, -c(=o)ro, -n(ro)2, -(ch2)n-n(ro)2, 임의적으로 치환된 실릴, 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 임의적으로 치환된 아릴 또는 사이클로알킬, 또는 1 내지 25개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬, 알콕시, 알킬카본일, 알콕시카본일, 알킬카본일옥시 또는 알콕시카본일옥시이고, 이때, 하나 이상의 h 원자는 f 또는 cl로 대체될 수 있고, 2개의 인접한 rl 기는 함께 임의적일 수있고; n은 1, 2, 3 또는 4이고;z1은, 각각의 경우 독립적으로, 단일 결합, -o-, -s-, -co-, -co-o-, -o-co-, -o-co-o-, -och2, -ch2o-, -sch2-, -ch2s-, -cf2o-, -ocf2-, -cf2s-, -scf2-, -(ch2)n-, -cf2ch2-, -ch2cf2-, (cf2)n-, -ch=ch-, -cf=cf-, -c=c-, -ch=ch-coo-, -oco-ch=ch- 또는 -cro2, 바람직하게는 단일 결합 또는 -ch2ch2-이고;ro은 각각의 경우, 서로 독립적으로, h 또는 c1-c12-알킬이고; m은 0, 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2이다. [청구항 17] 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,분자(m)가 하기 화학식 i의 화합물을 하나 이상 나타내는 전자 부품:[화학식 i]~(a)s-(v)-[y1-(z1-y2)m]t-(e)상기 식에서,s 및 t는 서로 독립적으로 0 또는 1을 나타내고;~은 기판에의 결합을 나타내고; (a), (v), (y1), (y2), (z1), (e) 및 m은 제 1 항 내지 제 15 항 중항에 나타낸의미를 갖는다. [청구항 18] 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,분자층이 분자의nan단층인전자 부품. [청구항 19] 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 전극(16)이 분자층에 대한 기판나타내는전자 부품. [청구항 20] 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 전극(16)이 다양한 도핑 금속, 바람직하게는 au, ag, cu, al 및 mg, 및 전도성 산화 물질, 바람직하게는 ito, igo, igzo, azo 및 fto에서 반도체 소자, 바람직하게는 si, ge, c(다이아몬드, 그래파이트, 그래핀), sn(알파 변형) 및 se, iii 내지 v 족의 반도체 화합물, 바람직하게는 gaas, inas, inp, gasb 및 gan, 및 ii 내지 vi족의반도체화합물선택된물질로 이루어진전자 부품. [청구항 21] 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,분자층이 산화 또는 불화 중간층결합되는전자 부품. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,산화 또는 불화 중간층이 tio2, al2o3, hfo2, sio2 또는 lif로부터형성되는전자 부품. [청구항 23] 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상대 전극이 hg, in, ga, inga, ag, au, cr, pt, pdau, pb, al, mg, cnt, 그래핀 및 전도성 중합체에서 선택된 도체 또는 반도체 물질, 또는 다수의 이러한 물질의조합으로 이루어진전자 부품. [청구항 24] 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,제 1 전극(16) 및 제 2 전극(20)이 금속성 도체이거나, 제 1 전극(16)이 금속성 도체이고 제 2 전극반도체인전자 부품. [청구항 25] 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,다이오드(22)가 제 1 전극(16)과 분자층(18) 사이 또는 제 2 전극(20)과 분자층(18) 사이배열되는전자 부품. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,다이오드(22)가 n+-도핑된 층(24) 및 p+-도핑된 층(26)을 포함하고, n+-도핑된 층(24) 또는 p+-도핑된 층(26)이 반도체 제 2 전극(20)과 함께 조합된 전극 형태존재하는전자 부품. [청구항 27] 제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,중간층이, 제 2 전극(20)과 분자층(18) 사이 또는 다이오드(22)와 분자층(18) 사이에 배열되고, 산화 또는 불화 물질선택되는전자 부품. [청구항 28] 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,부품(10)이 다수의 스위칭 소자(1)를 갖고, 스위칭 소자(1)의 제 1 전극(16) 및 제 2 전극(20)이 가로장 배열형성하는전자 부품. [청구항 29] 제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,스위칭 소자가 높은 전기 저항을 갖는 상태와 낮은 전기 저항을 갖는 상태 사이에 변화설정하고,높은 전기 저항과 낮은 전기 저항 사이의 지수가 10 내지 100,000인 전자 부품. [청구항 30] 제 1 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,멤리스티브(memristive) 부품설계되는전자 부품.