전자기 가열 제어 회로 및 전자기 가열 디바이스 document_id 1020177024696

[청구항 1] 전자기 가열 제어 회로에 있어서, 제어 칩(10), 정류 필터링 회로(20), 공진형 커패시터(c), 스위칭 튜브(q), 구동 회로(30)와 동기화 전압 검출 회로를 포함하고, 그 중, 상기 스위칭 튜브(q)는 제1 단, 제2 단 및 상기 제1 단과 상기 제2 단의 연통 상태를 제어하기 위한 제어단을 포함하고, 상기 제1 단은 공진형 커패시터(c)를 통하여 상기 정류 필터링 회로(20)의 포지티브 출력단과 연결되고, 상기 제2 단은 전류 제한 저항(r11)을 통하여 상기 정류 필터링 회로(20)의 네거티브 출력단과 연결되며 상기 제어 칩(10)은 동상 전압 입력단, 반상 전압 입력단, 전압 검출단과 신호 출력단을 포함하고 상기 동상 전압 입력단과 반상 전압 입력단은 상기 동기화 전압 검출 회로를 통하여 상기 공진형 커패시터(c) 양단의 전압을 검출하고, 상기 신호 출력단은 상기 구동 회로(30)을 통하여 상기 제어단과 연결되며; 는 것을 특징으로 하는 전자기 가열 제어 회로 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 동기화 전압 검출 회로는,제1 전압 샘플링 회로와 제2 전압 샘플링 회로를 포함하고,상기 제1 전압 샘플링 회로의 일단은 상기 정류 필터링 회로(20)의 포지티브 출력단과 연결되고, 타단은 각각 상기 동상 전압 입력단과 전압 검출단과 연결되며; 상기 제2 전압 샘플링 회로의 일단은 상기 스위칭 튜브(q)의 제1 단과 연결되고, 타단은상기반상전압입력단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1 전압 샘플링 회로는 제10 저항(r10)과 제12 저항(r12)을 포함하고, 상기 제10 저항(r10)의 일단은 상기 정류 필터링 회로(20)의 포지티브 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제12 저항(r12)을 통하여 상기 정류 필터링 회로(20)의 네거티브 출력단과 연결되며; 상기 제10 저항(r10)과 상기 제12 저항(r12) 사이의 공통 단자는 상기 동상 전압 입력단에 연결되고; 상기 제2 전압 샘플링 회로는 제13 저항(r13)과 제14 저항(r14)을 포함하고, 상기 제13 저항(r13)의 일단은 상기 스위칭 튜브(q)의 상기 제1 단과 연결되고, 상기 제13 저항(r13)의 타단은 상기 제14 저항(r14)을 통하여 상기 정류 필터링 회로(20)의 네거티브 출력단과 연결되며, 상기 제13 저항(r13)과 상기 제14 저항(r14) 사이의 공통 단자는상기반상전압입력단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 구동 칩(31), 제15 저항(r15), 제16 저항(r16), 제17 저항(r17)을 포함하고, 그 중,상기 구동 칩(31)의 구동 입력단은 제15 저항(r15)을 통하여 상기 신호 출력단과 연결되고, 상기 구동 입력단은 미리 설치된 전원과 연결되고, 상기 구동 칩(31)의 구동 출력단은 제16 저항(r16)과 제17 저항(r17)을 통하여 직렬연결된 후 상기 스위칭 튜브(q)의 제2 단과 연결되며; 상기 제16 저항(r16)과 제17 저항(r17)의 공통 단자는 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 정전압 다이오드(d)를 더 포함하고, 그 중,상기 정전압 다이오드(d)의 음극은 상기 제어단과 연결되고, 양극은 상기 스위칭 튜브(q)의제2단과연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 정류 필터링 회로(20)는 브리지 정류기(21), 인덕턴스(l0)와 커패시터(c12)를 포함하고, 그 중, 상기 브리지 정류기(21)의 포지티브 출력단은 상기 인덕턴스(l0)를 통하여 상기 공진형 커패시터(c)와 연결되고, 브리지 정류기(21)의 네거티브 출력단은 상기 전류 제한 저항(r11)을 통하여 상기 스위칭 튜브(q)의 제2 단과 연결되며; 상기 커패시터(c12)의 일단은 상기 인덕턴스(l0)와 공진형 커패시터(c)의 공통 단자에 연결되고, 타단은 상기 브리지 정류기(21)의네거티브출력단과연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 스위칭 튜브(q)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 제어 칩(10)과 연결되고, 상기 제어 칩(10)이 출력한 펄스폭 변조 신호를 수신하고 증폭한 후 상기 구동 회로(30)의 신호 출력단을 거쳐 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하여, 상기 스위칭 튜브(q)를 구동하고;상기 구동 회로(30)는 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기를 검출하고, 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하는지 여부에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하기 위한 것이고; 상기 전자기 가열 제어 회로는 보호 회로(120)를 더 포함하고, 상기 보호 회로(120)는 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것; 또는 상기 보호 회로(120)는 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의작동상태제어하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 보호 회로(120)가 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하는 것은: 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 회로(30)가 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호를 정지하도록 제어는 것; 또는 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 회로(30)가 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 것을 정지하도록 하는 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 또 수신된 상기 펄스폭 변조 신호를 미리 설치된 표준 방형파 신호와 비교하고, 비교 결과에 의하여 상기 신호 출력단이 출력한펄스폭변조신호의상태조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기 스위칭 튜브(q)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압을 검출하고, 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터가 개통될 때, 개통되는 순간 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압에 의하여 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 작동 상태를 확정하고, 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는시간조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 작동 상태에는 스타트, 하드 스타트와 노말이 포함되고; 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간을 조절하기 위한 것에는: 상기 작동 상태가 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제1 역치인 것; 상기 작동 상태가 하드 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제2 역치인 것; 상기 작동 상태가 노말일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제3 역치인 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 14] 제8항에 있어서,상기 보호 회로(120)가, 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하는 것일 경우, 상기 보호 회로(120)는 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되고, 출력단은 상기 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 15] 제8항에 있어서,상기 보호 회로(120)가, 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 지능형 파워 회로 집적 회로는 상기 제2 단과 상기 접지단 사이에 직렬연결된 전류 제한 저항(r11)을 더 포함하고, 상기 보호 회로(120)의 전압 검출단은 상기 제2 단과 연결되어상기제2단의전류크기검출하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 보호 회로(120)는 상기 구동 회로(30)와 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 구동 회로(30)로 출력하여, 상기 구동 회로(30)가 상기 신호 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하는 것을 제어하도록 하여, 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 보호 회로(120)는 상기 제어 칩(10)과 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 회로(30)에 출력하는펄스폭변조신호의듀티사이클조절하도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 제어 칩(10)은 펄스폭 변조를 신호 상기 구동 모듈(30)에 출력하기 위한 것이고 - 상기 펄스폭 변조 신호는 상기 구동 모듈(30)의 신호 출력단을 거쳐 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하여, 상기 스위칭 튜브(q)를 구동함 -; 상기 전자기 가열 제어 회로는 보호 모듈(240)를 더 포함하고, 상기 보호 모듈(240)은 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것; 또는 상기 보호 모듈(240)은 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의작동상태제어하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 모듈(240)은 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되며, 출력단은 상기 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 모듈(240)은 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되고, 출력단은 상기 구동 모듈(30)과 연결되며; 상기 제1 단의 전압이 미리 설치된 참조 전압보다 클 때, 상기 비교기는 제어 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하고, 상기 구동 모듈(30)은 상기 제어 신호 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하는 것에 의하여,상기스위칭튜브개통되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 모듈(240)은 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되며, 출력단은 상기 제어 칩(10)과 연결되고; 상기 제1 단의 전압이 미리 설치된 참조 전압보다 클 때, 상기 비교기는 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 모듈(30)에 출력되는펄스폭변조신호의듀티사이클조절하도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 전자기 가열 회로는 상기 제2 단과 상기 접지단 사이에 직렬연결된 전류 제한 저항(r11)을 더 포함하고, 상기 보호 모듈(240)의 전압 검출단은 상기 제2 단과 연결되어상기제2단의전류크기검출하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 구동 모듈(30)과 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하여, 상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하는 것을 제어하도록 하여, 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 제어 칩(10)과 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 모듈(30)에 출력되는펄스폭변조신호의듀티사이클조절하도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 25] 제18항에 있어서,상기 전자기 가열 회로는 상기 스위칭 튜브(q) 온도를 검출하기 위한 온도센서(150)를 더 포함하고, 상기 온도센서(150)는 상기 보호 모듈(240)과 연결되고, 상기 보호 모듈(240)은 상기 온도센서(150)가 검출한 온도에 의하여 제어 신호를 상기 구동 모듈(30) 또는 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 구동 모듈(30) 또는 상기 제어 칩(10)이 상기 제어 신호에 의하여, 상기 신호 출력단이 펄스폭 변조 신호를 출력하는 듀티 사이클을 조절하거나 또는 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 26] 제1항에 있어서,상기 제어 칩(10)은 펄스폭 변조 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하기 위한 것이고 - 상기 펄스폭 변조 신호는 상기 구동 모듈(30)의 신호 출력단을 거쳐 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하여, 상기 스위칭 튜브(q)를 구동함 -; 구동 모듈(30)은 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기를 검출하고, 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하는지 여부에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는상태조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 구동 모듈(30)은 또 수신된 상기 펄스폭 변조 신호를 미리 설치된 표준 방형파 신호와 비교하고, 비교 결과에 의하여 상기 신호 출력단이 출력한펄스폭변조신호의상태조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 구동 모듈(30)이 비교 결과에 의하여 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호의 상태를 조절하는 것은,상기 구동 모듈(30)이 수신한 펄스폭 변조 신호의 펄스폭이 상기 표준 방형파 신호의 펄스폭보다 클 때, 상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단이 출력하는 펄스폭 변조 신호가 대응하는 주기 내의 펄스폭을 상기 표준 방형파 신호의 펄스폭으로 조절하도록 제어하거나, 또는 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호를 정지하도록 제어하는 것; 또는상기 구동 모듈(30)이 수신한 펄스폭 변조 신호의 펄스폭이 상기 표준 방형파 신호의 펄스폭보다 클 때, 상기 구동 모듈(30)이 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 모듈(30)에 출력한 펄스폭 변조 신호의 상태를 조절하도록 하는 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 29] 제26항에 있어서,상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하는지 여부에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하는 것은,상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호를 정지하도록 제어하는 것; 또는 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 모듈(30)이 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 것을 정지하도록 하는 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기 제어 칩(10)은 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 구동 모듈(30)은 또 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압을 검출하고, 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터가 개통될 때, 개통되는 순간 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압에 의하여 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 작동 상태를 확정하고, 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는시간조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 작동 상태에는 스타트, 하드 스타트와 노말이 포함되고; 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간을 조절하기 위한 것에는: 상기 작동 상태가 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제1 역치인 것; 상기 작동 상태가 하드 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제2 역치인 것; 상기 작동 상태가 노말일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제3 역치인 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 33] 제1항에 있어서,스위칭 튜브(q) 온도를 수집하기 위한 온도 검출 모듈(310)을 더 포함하고, 상기 온도 검출 모듈(310)의 출력단은 상기 제어 칩(10)과 연결되고; 상기 제어 칩(10)은 매 제1 미리 설치된 시간 구간마다 상기 온도 검출 모듈(310)이 현재 검출한 온도값을 획득하고, 연속 두번 검출한 온도값과 상기 온도 보상 계수에 의하여 현재 검출한 온도값의 오차를 교정한 후의 실제 온도값을 연산하고; 상기 실제 온도값에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의작동상태제어하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 제어 칩(10)은 또 매 제2 미리 설치된 시간 구간마다 상기 온도 검출 모듈(310)이 현재 검출한 온도값을 획득하고, n번째 수집한 온도 과 n-1번째 검출한 온도값 에 의하여 상기 n번째 수집한 온도 과 n-1번째 검출한 온도값 사이의 차이값에 대응하는 온도 보상 계수 a를 연산하고 상기 온도 보상 계수 a는 을 만족하며, 그 중 k는 하나의 상수이고, m은온도 보상의초기온도인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 제어 칩(10)이 매 제1 미리 설치된 시간 구간마다 상기 온도 검출 모듈(310)이 현재 검출한 온도값을 획득하고, 연속 두 번 검출한 온도값과 상기 온도 보상 계수에 의하여 현재 검출한 온도값의 오차를 교정한 후의 실제 온도값을 연산하는 것은 구체적으로,상기 제어 칩(10)이 매 제1 미리 설치된 시간 구간마다 온도 검출 모듈(310) 이 검출한 온도값을 획득하고, 현재 검출한 온도값 과 지난번 검출한 온도값 에 의하여 현재 검출한 온도값 과 지난번 검출한 온도값 사이의 차이값에 대응하는 보상 계수 a 획득하고, 상기 현재 검출한 온도값 , 지난번 검출한 온도값 과 보상 계수 a에 의하여 상기 실제 온도값 을 연산하며, 은,를만족하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 온도 검출 모듈(310)은 온도센서(rt), 제31 저항(3r1), 제32 저항(3r2)과 제31 커패시터(3c1)를 포함하고, 상기 제31 저항(3r1)의 일단은 제1 미리 설치된 전원과 연결되고, 타단은 상기 온도센서(rt)를 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제32 저항(3r2)의 일단은 상기 제31 저항(3r1)과 상기 온도센서(rt)의 공통 단자에 연결되고, 타단은 제31 커패시터(3c1)을 통하여 접지단과 연결되며, 상기 제32 저항(3r2)과 제31 커패시터(3c1)의 공통 단자는 상기 제어 칩(10)의온도신호수집단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 37] 제33항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 구동 집적 칩(31), 제33 저항(3r3), 제16 저항(r16), 제15 저항(r15), 제17 저항(r17)과 제32 커패시터(3c2)를 포함하고, 그 중,상기 구동 집적 칩(31)의 펄스폭 변조 신호 입력단은 제33 저항(3r3)을 통하여 상기 제어 칩(10)과 연결되고, 구동 전압 입력단은 제2 미리 설치된 전원과 연결되며, 펄스폭 변조 신호 출력단은 제16 저항(r16)을 통하여 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단과 연결되고; 상기 제15 저항(r15)의 일단은 상기 제2 미리 설치된 전원과 연결되고, 타단은 상기 제33 저항(3r3)과 상기 제어 칩(10)의 공통 단자에 연결되며; 상기 제17 저항(r17)의 일단은 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단과 연결되고, 타단은 상기 스위칭 튜브(q)의 제2 단과 연결되며; 상기 제32 커패시터(3c2)의 일단은 상기 구동 전압 입력단과 연결되고, 타단은접지단과연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 정전압 다이오드(d)를 더 포함하고, 상기 정전압 다이오드(d)의 양극은 상기 스위칭 튜브(q)의 제2 단과 연결되고, 음극은 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 39] 제33항에 있어서,상기 스위칭 튜브(q)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 40] 제33항에 있어서,버저 회로(340)를 더 포함하며, 상기 버저 회로(340)는상기제어칩연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 41] 제1항에 있어서,서지 보호 회로를 더 포함하며, 상기 서지 보호 회로는 저항과 커패시터로 구성된 제1 분압 회로(410), 서지 보호를 위한 제어 회로(430)를 포함하고; 상기 제어 회로(430)는 제1 비교기(301)를 포함하고; 상기 제1 분압 회로(410)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단은 상기 제1 비교기(301)의 제1 입력단과 연결되며; 상기 제1 비교기(301)의 제2 입력단은 미리 설치된 제1 표준 전원과 연결되고, 상기 도시가정용 전기가 전압이 제1 미리 설정된 값보다 작은 상태에서, 포워드 방향 서지가 존재하는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압이 상기 제1 표준 전원의 전압보다 크고, 포워드 방향 서지가 존재하지 않는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압이 상기 제1 표준 전원의 전압보다 작으며; 상기 제어 회로(430)는 상기 제1 비교기(301) 출력단이 전기적 레벨을 출력하는 상태에 의하여서지보호제어진행하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 제1 분압 회로(410)는 제1 저항(r1), 제2 저항(r2)과 제1 커패시터를 포함하고, 상기 제1 저항(r1)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항(r2)을 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제1 커패시터는 상기 제2 저항(r2)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제1 비교기(301)의 제1 입력단은 상기 제1 저항(r1)과 제2 저항(r2)의공통단자연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 43] 제41항에 있어서,상기 서지 보호 회로는 저항과 커패시터로 구성된 제2 분압 회로(40)와 제3 분압 회로(50)를 더 포함하고, 상기 제어 회로(430)는 제2 비교기(32)와 제3 비교기(33)를 더 포함하며; 상기 제2 분압 회로(40)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단은 상기 제2 비교기(32)의 제1 입력단과 연결되며, 상기 제2 비교기(32)의 제2 입력단은 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단과 연결되고; 상기 도시가정용 전기가 포워드 방향 서지 전압이 존재하지 않는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 크고; 상기 도시가정용 전기가 포워드 방향 서지 전압이 존재하는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 작으며; 상기 제3 분압 회로(50)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제3 분압 회로(50)의 출력단은 상기 제3 비교기(33)의 제1 입력단과 연결되며, 상기 제3 비교기(33)의 제2 입력단은 미리 설치된 제2 표준 전원과 연결되고, 상기 도시가정용 전기의 제로 크로싱 점을 검출하기 위한 것이고, 상기 제3 분압 회로(50)의 출력단 전압이 제2 미리 설정된 값보다 작을 때, 상기 제2 비교기(32)의 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하도록제어하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 제2 분압 회로(40)는 제3 저항(r3), 제4 저항(r4)과 제2 커패시터를 포함하고, 상기 제3 저항(r3)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제4 저항(r4)을 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제2 커패시터는 상기 제4 저항(r4)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제2 비교기(32)의 제1 입력단은 상기 제3 저항(r3)과 제4 저항(r4)의공통단자연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 45] 제43항에 있어서,상기 제3 분압 회로(50)는 제5 저항(r5), 제6 저항(r6), 제7 저항(r7), 제3 커패시터과 제4 커패시터를 포함하고, 상기 제5 저항(r5)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제6 저항(r6)과 제7 저항(r7)을 통하여 순차적으로 직렬연결된 후 접지단과 연결되며; 상기 제3 커패시터는 상기 제5 저항(r5)의 양단과 병렬연결되고; 상기 제4 커패시터는 상기 제7 저항(r7)의 양단과 병렬연결되며; 상기 제3 비교기(33)의 제1 입력단은 상기 제6 저항(r6)과 제7 저항(r7)의공통단자연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 46] 제43항에 있어서,상기 서지 보호 회로는 저항과 커패시터로 구성된 제4 분압 회로(60)를 더 포함하고, 상기 제어 회로(430)는 제4 비교기(34)를 더 포함하며; 상기 제4 분압 회로(60)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제4 분압 회로(60)의 출력단은 상기 제4 비교기(34)의 제1 입력단과 연결되며, 상기 제4 비교기(34)의 제2 입력단은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단과 연결되고; 상기 도시가정용 전기가 네거티브 방향 서지 전압이 존재하지 않는 경우, 상기 제4 분압 회로(60)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 작고; 상기 도시가정용 전기가 네거티브 방향 서지 전압이 존재하는 경우, 상기 제4 분압 회로(60)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 크며; 상기 제3 비교기(33)는 또 상기 제3 분압 회로(50)의 출력단 전압이 제2 미리 설정된 값보다 작을 때, 상기 제4 비교기(34)의 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하도록제어하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 47] 제46항에 있어서,상기 제4 분압 회로(60)는 제8 저항(r8), 제9 저항(r9)과 제5 커패시터를 더 포함하고, 상기 제8 저항(r8)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제9 저항(r9)을 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제5 커패시터는 상기 제9 저항(r9)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제4 비교기(34)의 제1 입력단은 상기 제8 저항(r8)과 제9 저항(r9)의공통단자연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 48] 제41항에 있어서,상기 정류 회로(70)는 제12 극관(d1)과 제22 극관(d2)을 포함하고, 상기 제12 극관(d1)의 양극은 상기 도시가정용 전기의 제1 교류 입력단과 연결되고, 상기 제22 극관(d2)은 상기 도시가정용 전기의 제2 교류 입력단과 연결되며, 상기 제12 극관(d1)의 음극은 상기 제22 극관(d2)의음극연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 49] 전자기 가열 디바이스에 있어서, 제1항 내지 제48항 중 어느 한 항에 따른 전자기 가열 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 가열 디바이스 [청구항 50] 전자기 가열 제어 회로에 있어서, 구동 회로(30), 보호 회로(120)와 스위칭 튜브(q)를 포함하고, 그 중, 상기 스위칭 튜브(q)는 제1 단, 제2 단 및 제1 단과 제2 단의 연통 상태를 제어하기 위한 제어단을 구비하며 상기 제어단은 상기 구동 회로(30)의 신호 출력단과 연결되고, 제2 단은 접지단과 연결되며 상기 구동 회로(30)는 제어 칩(10)과 연결되고, 상기 제어 칩(10)이 출력한 펄스폭 변조 신호를 수신하고 증폭한 후 상기 구동 회로(30)의 신호 출력단을 거쳐 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하여, 상기 스위칭 튜브(q)를 구동하고 상기 구동 회로(30)는 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기를 검출하고, 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하는지 여부에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하기 위한 것이고 상기 보호 회로(120)는 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것; 또는 상기 보호 회로(120)는 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것 을 특징으로 하는 전자기 가열 제어 회로 [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 보호 회로(120)가 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하는 것은: 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 회로(30)가 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호를 정지하도록 제어하는 것; 또는상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 회로(30)가 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 것을 정지하도록 하는 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 52] 제50항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 또 수신된 상기 펄스폭 변조 신호를 미리 설치된 표준 방형파 신호와 비교하고, 비교 결과에 의하여 상기 신호 출력단이 출력한펄스폭변조신호의상태조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 53] 제50항에 있어서,상기 스위칭 튜브(q)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 54] 제53항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 또 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압을 검출하고, 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터가 개통될 때, 개통되는 순간 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압에 의하여 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 작동 상태를 확정하고, 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는시간조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 55] 제54항에 있어서,상기 작동 상태에는 스타트, 하드 스타트와 노말이 포함되고; 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간을 조절하기 위한 것에는: 상기 작동 상태가 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제1 역치인 것; 상기 작동 상태가 하드 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제2 역치인 것; 상기 작동 상태가 노말일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제3 역치인 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 56] 제50항에 있어서,상기 보호 회로(120)가, 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 회로(120)는 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되고, 출력단은 상기 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 57] 제50항에 있어서,상기 보호 회로(120)가, 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 전자기 가열 제어 회로는 상기 제2 단과 상기 접지단 사이에 직렬연결된 전류 제한 저항(r11)을 더 포함하고, 상기 보호 회로(120)의 전압 검출단은 상기 제2 단과 연결되어상기제2단의전류크기검출하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 58] 제57항에 있어서,상기 보호 회로(120)는 상기 구동 회로(30)와 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 구동 회로(30)로 출력하여, 상기 구동 회로(30)이 상기 신호 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하는 것을 제어하도록 하여, 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 59] 제58항에 있어서,상기 보호 회로(120)는 상기 제어 칩(10)과 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 회로(30)에 출력하는펄스폭변조신호의듀티사이클조절하도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 60] 전자기 가열 회로에 있어서, 코일(l), 공진형 커패시터(c), 제어 칩(10), 구동 모듈(30), 보호 모듈(240)과 스위칭 튜브(q)을 포함하고, 그 중, 상기 코일(l)은 상기 공진형 커패시터(c)와 병렬연결되고 상기 스위칭 튜브(q)는 제1 단, 제2 단 및 제1 단과 제2 단의 연통 상태를 제어하기 위한 제어단을 구비하고 상기 제어단은 상기 구동 모듈(30)의 신호 출력단과 연결되고, 상기 제1 단은 상기 공진형 커패시터(c)의 일단과 연결되며, 제2 단은 접지단과 연결되고 상기 제어 칩(10)은 펄스폭 변조 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하기 위한 것이고 - 상기 펄스폭 변조 신호는 상기 구동 모듈(30)의 신호 출력단을 거쳐 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하여, 상기 스위칭 튜브(q)를 구동함 - 상기 보호 모듈(240)은 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것; 또는 상기 보호 모듈(240)은 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것 을 특징으로 하는 전자기 가열 회로 [청구항 61] 제60항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 모듈(240)은 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되며, 출력단은 상기 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 62] 제60항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 모듈(240)은 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고,상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되며, 출력단은 상기 구동 모듈(30)과 연결되고; 상기 제1 단의 전압이 미리 설치된 참조 전압보다 클 때, 상기 비교기는 제어 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하고, 상기 구동 모듈(30)은 상기 제어 신호 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하는 것에 의하여,상기스위칭튜브개통되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 63] 제60항에 있어서,상기 보호 모듈(240)이 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프일 때 상기 제1 단의 전압 크기에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것일 경우, 상기 보호 모듈(240)은 전압 샘플링 회로와 비교기를 포함하고, 상기 전압 샘플링 회로는 제1 저항과 제2 저항을 포함하며, 상기 제1 저항의 일단은 상기 제1 단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항을 통하여 상기 접지단과 연결되며; 상기 비교기의 동상 입력단은 상기 제1 저항과 제2 저항의 공통 단자에 연결되고, 반상 입력단은 미리 설치된 참조 전압단과 연결되며, 출력단은 상기 제어 칩(10)과 연결되고; 상기 제1 단의 전압이 미리 설치된 참조 전압보다 클 때, 상기 비교기는 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 모듈(30)에 출력되는펄스폭변조신호의듀티사이클조절하도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 64] 제60항에 있어서,상기 보호 모듈(240)은 상기 스위칭 튜브(q)가 개통되었을 때 상기 제2 단의 전류 크기를 검출하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것인 경우, 상기 전자기 가열 회로는 상기 제2 단과 상기 접지단 사이에 직렬연결된 전류 제한 저항(r11)을 더 포함하고, 상기 보호 모듈(240)의 전압 검출단은 상기 제2 단과 연결되어상기제2단의전류크기검출하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 65] 제64항에 있어서,상기 보호 모듈(240)은 상기 구동 모듈(30)과 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하여, 상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하는 것을 제어하도록 하여, 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 66] 제64항에 있어서,상기 보호 모듈(240)는 상기 제어 칩(10)과 연결되고, 상기 제2 단의 전류가 미리 설정된 값보다 큼을 검출하였을 때, 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 모듈(30)에 출력되는펄스폭변조신호의듀티사이클조절하도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 67] 제60항에 있어서,상기 전자기 가열 회로는 상기 스위칭 튜브(q) 온도를 검출하기 위한 온도센서(150)를 더 포함하고, 상기 온도센서(150)는 상기 보호 모듈(240)과 연결되고, 상기 보호 모듈(240)은 상기 온도센서(150)가 검출한 온도에 의하여 제어 신호를 상기 구동 모듈(30) 또는 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 구동 모듈(30) 또는 상기 제어 칩(10)이 상기 제어 신호에 의하여 상기 신호 출력단이 펄스폭 변조 신호를 출력하는 듀티 사이클을 조절하거나 또는 상기 스위칭 튜브(q)가 턴오프되도록하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 68] 제60항에 있어서,상기 스위칭 튜브(q)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 69] 전자기 가열 회로에 있어서, 제어 칩(10), 구동 모듈(30)과 스위칭 튜브(q)를 포함하고, 그 중, 상기 스위칭 튜브(q)는 제1 단, 제2 단 및 제1 단과 제2 단의 연통 상태를 제어하기 위한 제어단을 구비하고 상기 제어단은 상기 구동 모듈(30)의 신호 출력단과 연결되고 상기 제어 칩(10)은 펄스폭 변조 신호를 상기 구동 모듈(30)에 출력하기 위한 것이고 - 상기 펄스폭 변조 신호는 상기 구동 모듈(30)의 신호 출력단을 거쳐 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하여, 상기 스위칭 튜브(q)를 구동함 - 구동 모듈(30)은 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기를 검출하고, 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하는지 여부에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하기 위한 것을 특징으로 하는 전자기 가열 회로 [청구항 70] 제69항에 있어서,상기 구동 모듈(30)은 또 수신된 상기 펄스폭 변조 신호를 미리 설치된 표준 방형파 신호와 비교하고, 비교 결과에 의하여 상기 신호 출력단이 출력한펄스폭변조신호의상태조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 71] 제70항에 있어서,상기 구동 모듈(30)이 비교 결과에 의하여 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호의 상태를 조절하는 것은: 상기 구동 모듈(30)이 수신한 펄스폭 변조 신호의 펄스폭이 상기 표준 방형파 신호의 펄스폭보다 클 때, 상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단이 출력하는 펄스폭 변조 신호가 대응하는 주기 내의 펄스폭을 상기 표준 방형파 신호의 펄스폭으로 조절하도록 제어하거나, 또는 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호를 정지하도록 제어하는 것; 또는 상기 구동 모듈(30)이 수신한 펄스폭 변조 신호의 펄스폭이 상기 표준 방형파 신호의 펄스폭보다 클 때, 상기 구동 모듈(30)이 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)이 상기 구동 모듈(30)에 출력한 펄스폭 변조 신호의 상태를 조절하도록 하는 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 72] 제69항에 있어서,상기 구동 모듈(30)이 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하는지 여부에 의하여 상기 신호 출력단이 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 상태를 조절하는 것은: 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 모듈(30)은 상기 신호 출력단이 출력한 펄스폭 변조 신호를 정지하도록 제어하는 것; 또는 상기 신호 출력단의 출력 전압 크기가 미리 설치된 구간 범위에 속하지 않을 경우, 상기 구동 모듈(30)이 제어 신호를 상기 제어 칩(10)에 출력하여, 상기 제어 칩(10)은 상기 펄스폭 변조 신호를 출력하는 것을 정지하도록 하는 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 73] 제69항에 있어서,상기 제어 칩(10)은 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 74] 제73항에 있어서,상기 구동 모듈(30)은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압을 검출하고, 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터가 개통될 때, 개통되는 순간 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 이미터 전극 사이의 전압에 의하여 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 작동 상태를 확정하고, 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는시간조절하기위한것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 75] 제74항에 있어서,상기 작동 상태에는 스타트, 하드 스타트와 노말이 포함되고; 상기 작동 상태에 의하여 상기 신호 출력단의 출력 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간을 조절하기 위한 것에는: 상기 작동 상태가 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제1 역치인 것; 상기 작동 상태가 하드 스타트일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제2 역치인 것; 상기 작동 상태가 노말일 경우, 상기 신호 출력단의 전압이 제2 미리 설정된 값까지 상승하는 시간이 제3 역치인 것을포함하는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 76] 제74항에 있어서,상기 구동 모듈(30)의 전압 검출단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극과 연결되고, 접지단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터의이미터전극연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 회로. [청구항 77] 전자기 가열 제어 회로에 있어서, 스위칭 튜브(q), 스위칭 튜브(q) 온도를 수집하기 위한 온도 검출 모듈(310), 펄스폭 변조 신호를 출력하기 위한 제어 칩(10)과 상기 펄스폭 변조 신호를 구동 증폭한 후 상기 스위칭 튜브(q)에 출력하기 위한 구동 회로(30)를 포함하고, 상기 스위칭 튜브(q)는 제1 단, 제2 단 및 제1 단과 제2 단의 연통 상태를 제어하기 위한 제어단을 구비하고 상기 제어단은 상기 구동 회로(30)의 신호 출력단과 연결되고 상기 온도 검출 모듈(310)의 출력단은 상기 제어 칩(10)과 연결되고 상기 제어 칩(10)은 매 제1 미리 설치된 시간 구간마다 상기 온도 검출 모듈(310)이 현재 검출한 온도값을 획득하고, 연속 두번 검출한 온도값과 상기 온도 보상 계수에 의하여 현재 검출한 온도값의 오차를 교정한 후의 실제 온도값을 연산하고 상기 실제 온도값에 의하여 상기 스위칭 튜브(q)의 작동 상태를 제어하기 위한 것을 특징으로 하는 전자기 가열 제어 회로 [청구항 78] 제77항에 있어서,상기 제어 칩(10)은 또 매 제2 미리 설치된 시간 구간마다 상기 온도 검출 모듈(310)이 현재 검출한 온도값을 획득하고, n번째 수집한 온도 과 n-1번째 검출한 온도값 에 의하여 상기 n번째 수집한 온도 과 n-1번째 검출한 온도값 사이의 차이값에 대응하는 온도 보상 계수 a를 연산하고, 상기 온도 보상 계수 a는 을 만족하며, 그 중 k는 하나의 상수이고, m은온도 보상의초기온도인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 79] 제78항에 있어서,상기 제어 칩(10)이 매 제1 미리 설치된 시간 구간마다 상기 온도 검출 모듈(310)이 현재 검출한 온도값을 획득하고, 연속 두번 검출한 온도값과 상기 온도 보상 계수에 의하여 현재 검출한 온도값의 오차를 교정한 후의 실제 온도값을 연산하는 것은 구체적으로,상기 제어 칩(10)이 매 제1 미리 설치된 시간 구간마다 온도 검출 모듈(310) 이 검출한 온도값을 획득하고, 현재 검출한 온도값 과 지난번 검출한 온도값 에 의하여 현재 검출한 온도값 과 지난번 검출한 온도값 사이의 차이값에 대응하는 보상 계수 a 획득하고, 상기 현재 검출한 온도값 , 지난번 검출한 온도값 과 보상 계수 a에 의하여 상기 실제 온도값 을 연산하며,은만족하는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 80] 제77항에 있어서,상기 온도 검출 모듈(310)은 온도센서(rt), 제31 저항(3r1), 제32 저항(3r2)과 제31 커패시터(3c1)를 포함하고, 상기 제31 저항(3r1)의 일단은 제1 미리 설치된 전원과 연결되고, 타단은 상기 온도센서(rt)를 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제32 저항(3r2)의 일단은 상기 제31 저항(3r1)과 상기 온도센서(rt)의 공통 단자에 연결되고, 타단은 제31 커패시터(3c1)를 통하여 접지단과 연결되며, 상기 제32 저항(3r2)과 제31 커패시터(3c1)의 공통 단자는 상기 제어 칩(10)의온도신호수집단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 81] 제77항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 구동 집적 칩(31), 제33 저항(3r3), 제16 저항(r16), 제15 저항(r15), 제17 저항(r17)과 제32 커패시터(3c2)를 포함하고, 그 중,상기 구동 집적 칩(31)의 펄스폭 변조 신호 입력단은 제33 저항(3r3)을 통하여 상기 제어 칩(10)과 연결되고, 구동 전압 입력단은 제2 미리 설치된 전원과 연결되며, 펄스폭 변조 신호 출력단은 제16 저항(r16)을 통하여 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단과 연결되고; 상기 제15 저항(r15)의 일단은 상기 제2 미리 설치된 전원과 연결되고, 타단은 상기 제33 저항(3r3)과 상기 제어 칩(10)의 공통 단자에 연결되며; 상기 제17 저항(r17)의 일단은 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단과 연결되고, 타단은 상기 스위칭 튜브(q)의 제2 단과 연결되며; 상기 제32 커패시터(3c2)의 일단은 상기 구동 전압 입력단과 연결되고, 타단은접지단과연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 82] 제81항에 있어서,상기 구동 회로(30)는 정전압 다이오드(d)를 더 포함하고, 상기 정전압 다이오드(d)의 양극은 상기 스위칭 튜브(q)의 제2 단과 연결되고, 음극은 상기 스위칭 튜브(q)의 제어단연결되는것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 83] 제77항에 있어서,상기 스위칭 튜브(q)는 절연 게이트 양극성 트랜지스터이고, 상기 제1 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 컬렉터 전극이며, 상기 제2 단은 상기 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 이미터 전극이고, 상기 제어단은상기절연 게이트 양극성 트랜지스터게이트 전극인것을특징으로 하는전자기 가열 제어 회로. [청구항 84] 제77항에 있어서,상기 전기 가열 구동 보호 회로는 버저 회로(340)를 더 포함하고, 상기 버저 회로(340)는상기제어칩연결되는것을특징으로 하는전기 가열 구동 보호 회로. [청구항 85] 서지 보호 회로에 있어서 저항과 커패시터로 구성된 제1 분압 회로(410), 도시가정용 전기를 정류하기 위한 정류 회로(70), 서지 보호를 위한 제어 회로(430)를 포함하고 상기 제어 회로(430)는 제1 비교기(301)를 포함하며 상기 제1 분압 회로(410)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단은 상기 제1 비교기(301)의 제1 입력단과 연결되며 상기 제1 비교기(301)의 제2 입력단은 미리 설치된 제1 표준 전원과 연결되고, 상기 도시가정용 전기가 전압이 제1 미리 설정된 값보다 작은 상태에서, 포워드 방향 서지가 존재하는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압은 상기 제1 표준 전원의 전압보다 크고, 포워드 방향 서지가 존재하지 않는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압은 상기 제1 표준 전원의 전압보다 작으며; 는 것을 특징으로 하는 서지 보호 회로 [청구항 86] 제85항에 있어서,상기 제1 분압 회로(410)는 제1 저항(r1), 제2 저항(r2)과 제1 커패시터를 포함하고, 상기 제1 저항(r1)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제2 저항(r2)을 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제1 커패시터는 상기 제2 저항(r2)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제1 비교기(301)의 제1 입력단은 상기 제1 저항(r1)과 제2 저항(r2)의공통단자연결되는것을특징으로 하는서지 보호 회로. [청구항 87] 제85항에 있어서,상기 서지 보호 회로는 저항과 커패시터로 구성된 제2 분압 회로(40)와 제3 분압 회로(50)를 더 포함하고, 상기 제어 회로(430)는 제2 비교기(32)와 제3 비교기(33)를 더 포함하며; 상기 제2 분압 회로(40)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단은 상기 제2 비교기(32)의 제1 입력단과 연결되며, 상기 제2 비교기(32)의 제2 입력단은 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단과 연결되고; 상기 도시가정용 전기가 포워드 방향 서지 전압이 존재하지 않는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 크고; 상기 도시가정용 전기가 포워드 방향 서지 전압이 존재하는 경우, 상기 제1 분압 회로(410)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 작으며; 상기 제3 분압 회로(50)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제3 분압 회로(50)의 출력단은 상기 제3 비교기(33)의 제1 입력단과 연결되며, 상기 제3 비교기(33)의 제2 입력단은 미리 설치된 제2 표준 전원과 연결되고, 상기 도시가정용 전기의 제로 크로싱 점을 검출하기 위한 것이고, 상기 제3 분압 회로(50)의 출력단 전압이 제2 미리 설정된 값보다 작을 때, 상기 제2 비교기(32)의 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하도록제어하는것을특징으로 하는서지 보호 회로. [청구항 88] 제87항에 있어서,상기 제2 분압 회로(40)는 제3 저항(r3), 제4 저항(r4)과 제2 커패시터를 포함하고, 상기 제3 저항(r3)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제4 저항(r4)를 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제2 커패시터는 상기 제4 저항(r4)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제2 비교기(32)의 제1 입력단은 상기 제3 저항(r3)과 제4 저항(r4)의공통단자연결되는것을특징으로 하는서지 보호 회로. [청구항 89] 제87항에 있어서,상기 제3 분압 회로(50)는 제5 저항(r5), 제6 저항(r6), 제7 저항(r7), 제3 커패시터와 제4 커패시터를 포함하고, 상기 제5 저항(r5)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제6 저항(r6)과 제7 저항(r7) 을 통하여 순차적으로 직렬연결된 후 접지단과 연결되며; 상기 제3 커패시터는 상기 제5 저항(r5)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제4 커패시터는 상기 제7 저항(r7)의 양단에 병렬연결되며; 상기 제3 비교기(33)의 제1 입력단은 상기 제6 저항(r6)과 제7 저항(r7)의공통단자연결되는것을특징으로 하는서지 보호 회로. [청구항 90] 제87항에 있어서,상기 서지 보호 회로는 저항과 커패시터로 구성된 제4 분압 회로(60)를 더 포함하고, 상기 제어 회로(430)는 제4 비교기(34)를 더 포함하며; 상기 제4 분압 회로(60)의 입력단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 상기 제4 분압 회로(60)의 출력단은 상기 제4 비교기(34)의 제1 입력단과 연결되며, 상기 제4 비교기(34)의 제2 입력단은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단과 연결되고; 상기 도시가정용 전기가 네거티브 방향 서지 전압이 존재하지 않는 경우, 상기 제4 분압 회로(60)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 작고; 상기 도시가정용 전기가 네거티브 방향 서지 전압이 존재하는 경우, 상기 제4 분압 회로(60)의 출력단의 전압은 상기 제2 분압 회로(40)의 출력단의 전압보다 크며; 상기 제3 비교기(33)는 또 상기 제3 분압 회로(50)의 출력단 전압이 제2 미리 설정된 값보다 작을 때, 상기 제4 비교기(34)의 출력단이 미리 설치된 전기적 레벨 신호를 출력하도록제어하기위한것을특징으로 하는서지 보호 회로. [청구항 91] 제90항에 있어서,상기 제4 분압 회로(60)는 제8 저항(r8), 제9 저항(r9)과 제5 커패시터를 포함하고, 상기 제8 저항(r8)의 일단은 상기 정류 회로(70)의 출력단과 연결되고, 타단은 상기 제9 저항(r9)을 통하여 접지단과 연결되며; 상기 제5 커패시터는 상기 제9 저항(r9)의 양단에 병렬연결되고; 상기 제4 비교기(34)의 제1 입력단은 상기 제8 저항(r8)과 제9 저항(r9)의공통단자연결되는것을특징으로 하는서지 보호 회로. [청구항 92] 제85항에 있어서,상기 정류 회로(70)는 제12 극관(d1)과 제22 극관(d2)을 포함하고, 상기 제12 극관(d1)의 양극은 상기 도시가정용 전기의 제1 교류 입력단과 연결되고, 상기 제22 극관(d2)은 상기 도시가정용 전기의 제2 교류 입력단과 연결되며, 상기 제12 극관(d1)의 음극은 상기 제22 극관(d2)의음극연결되는것을특징으로 하는서지 보호 회로.