트랜지스터의 게이트 영역으로 연장된 버퍼를 생성하기 위한 장치 및 방법들 document_id 1020177030682

[청구항 1] 마이크로전자 구조체로서, 기판; 저 밴드갭 활성 채널; 상기 기판과 상기 저 밴드갭 활성 채널 사이에 배치되는 고 밴드갭 서브구조체- 상기 고 밴드갭 서브구조체는 상기 저 밴드갭 활성 채널과 접함 - 상기 고 밴드갭 서브구조체와 접하는 적어도 하나의 격리 구조체- 상기 고 밴드갭 서브구조체의 부분은 상기 적어도 하나의 격리 구조체로부터 연장됨 -; 및 상기 적어도 하나의 격리 구조체로부터 연장되는 상기 저 밴드갭 활성 채널 및 상기 고 밴드갭 서브구조체의 상기 부분을 포함하는 게이트 영역 을 포함하는, 마이크로전자 구조체 [청구항 2] 제1항에 있어서,밴드갭 서브구조체가, 인듐 알루미늄 비화물, 인듐 인화물, 갈륨 인화물, 갈륨 비화물, 갈륨 비화물 안티몬화물, 알루미늄 비화물 안티몬화물, 인듐 알루미늄 갈륨 비화물, 인듐 알루미늄 갈륨 인화물 및 알루미늄 갈륨 비화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,마이크로전자 구조체. [청구항 3] 제1항에 있어서,밴드갭 활성 채널이, 인듐 갈륨 비화물, 인듐 비화물 및 인듐 안티몬화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,마이크로전자 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 기판 내로 연장되는 핵형성 트렌치를 더 포함하고, 상기 고 밴드갭 서브구조체는 상기 핵형성 트렌치연장되는,마이크로전자 구조체. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 핵형성 트렌치가 (111) 패싯팅(faceting)을 갖는 핵형성 트렌치포함하는,마이크로전자 구조체. [청구항 6] 제1항에 있어서,밴드갭 서브구조체가 약 50nm 초과의 깊이 및 약 25nm 미만의 폭갖는,마이크로전자 구조체. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 영역 위에 형성된 게이트더 포함하는,마이크로전자 구조체. [청구항 15] 전자 시스템으로서, 보드; 및 상기 보드에 부착된 마이크로전자 컴포넌트 를 포함하고, 상기 마이크로전자 컴포넌트는 적어도 하나의 마이크로전자 트랜지스터를 포함하고, 상기 적어도 하나의 마이크로전자 트랜지스터는 마이크로전자 기판; 저 밴드갭 활성 채널; 상기 기판과 상기 저 밴드갭 활성 채널 사이에 배치되는 고 밴드갭 서브구조체- 상기 고 밴드갭 서브구조체는 상기 저 밴드갭 활성 채널과 접함 - 상기 고 밴드갭 서브구조체와 접하는 적어도 하나의 격리 구조체- 상기 고 밴드갭 서브구조체의 부분은 상기 적어도 하나의 격리 구조체로부터 연장됨 - 상기 적어도 하나의 격리 구조체로부터 연장된 상기 저 밴드갭 활성 채널 및 고 밴드갭 서브구조체의 부분을 포함하는 게이트 영역; 및 상기 게이트 영역 위에 형성된 게이트 를 포함하는, 전자 시스템 [청구항 16] 제15항에 있어서,밴드갭 서브구조체가, 인듐 알루미늄 비화물, 인듐 인화물, 갈륨 인화물, 갈륨 비화물, 갈륨 비화물 안티몬화물, 알루미늄 비화물 안티몬화물, 인듐 알루미늄 갈륨 비화물, 인듐 알루미늄 갈륨 인화물 및 알루미늄 갈륨 비화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,전자 시스템. [청구항 17] 제15항에 있어서,밴드갭 활성 채널이, 인듐 갈륨 비화물, 인듐 비화물 및 인듐 안티몬화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,전자 시스템. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 기판 내로 연장되는 핵형성 트렌치를 더 포함하고, 상기 고 밴드갭 서브구조체는 상기 핵형성 트렌치연장되는,전자 시스템. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 핵형성 트렌치가 (111) 패싯팅을 갖는 핵형성 트렌치포함하는,전자 시스템. [청구항 20] 제15항에 있어서,밴드갭 서브구조체가 약 50nm 초과의 깊이 및 약 25nm 미만의 폭갖는,전자 시스템.