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반도체 구조체들을 위한 금속 피처들의 BUF(Bottom-Up Fill) document_id 1020177033163

출원번호
1020177033163
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 반도체 구조체로서, ild(inter-layer dielectric) 층에 배치되는 트렌치- 상기 트렌치는 측벽들, 바닥 및 상단을 가짐 - 상기 트렌치의 바닥에 그리고 상기 트렌치의 측벽들을 따라 그렇지만 실질적으로 상기 트렌치의 상단 아래에 배치되는 u자 형상의 금속 시드 층; 및 상기 u자 형상의 금속 시드 층 상에 배치되고 상기 트렌치의 상단까지 상기 트렌치를 채우는 금속 채움 층- 상기 금속 채움 층은 상기 u자 형상의 금속 시드 층 위의 상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라 상기 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉함 - 을 포함하는 반도체 구조체 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 트렌치는 백 엔드 금속화 층에서의 금속 라인 개구 또는 비아개구인반도체 구조체. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기u자 형상의 금속 시드 층은 대략 1 나노미터 내지 2 나노미터의 범위의 두께갖는반도체 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기u자 형상의 금속 시드 층은 텅스텐, 텅스텐 질화물, 티타늄 질화물, 루테늄, 및 코발트로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료포함하는반도체 구조체. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기u자 형상의 금속 시드 층은 상기 트렌치의 높이의 대략 50% 미만의 높이까지상기트렌치의측벽들따라배치되는반도체 구조체. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기u자 형상의 금속 시드 층은 상기 트렌치의 높이의 대략 25% 미만의 높이까지상기트렌치의측벽들따라배치되는반도체 구조체. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기ild 층의 유전체 재료는 로우-k 유전체재료인반도체 구조체. [청구항 15] 반도체 구조체로서, ild(inter-layer dielectric) 층에 배치되는 트렌치- 상기 트렌치는 측벽들, 바닥 및 상단을 가짐 - 상기 트렌치의 바닥에 배치되고 상기 트렌치의 측벽들을 따라 상기 트렌치의 상단까지 연장되는 측벽 부분들을 갖는 도전성 라이너 상기 도전성 라이너의 측벽 부분들의 최상단 부분들을 덮는 패시베이션 층; 및 상기 도전성 라이너 상에 배치되고 상기 트렌치의 바닥으로부터 상기 패시베이션 층의 최저 높이까지 상기 트렌치를 채우는 재료 채움 층 을 포함하는 반도체 구조체 [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 패시베이션 층은 탄소의 층 또는 인의 층포함하는반도체 구조체. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 도전성 라이너는 co 라이너, ru 라이너, tan 라이너, tin 라이너, w 라이너, 및 wn 라이너로 구성되는그룹선택되는라이너인반도체 구조체. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 트렌치는 상단에 대략 12 나노미터의 개구를 갖고, 대략 10:1 높이:폭 종횡비갖는반도체 구조체. [청구항 19] 제15항에 있어서,상기 재료채움 층은 도전성 금속 합금의 층의 금속의층인반도체 구조체. [청구항 20] 제15항에 있어서,상기 재료채움 층은 금속 산화물 유전체층인반도체 구조체.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
청구항 1에 따른 반도체 구조체에서 금속 채움 층이 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉하는 부분은 어느 위치인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1의 반도체 구조체에서 금속 채움 층이 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉하는 구체적인 위치를 찾는 작업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 금속 채움 층의 구성과 접촉 관계에 대한 설명을 추출한다.

    • 상기 금속 채움 층은 상기 u자 형상의 금속 시드 층 위의 상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라 상기 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉함
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에 직접적인 답이 되는 '금속 채움 층이 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉하는 위치'에 관한 구절을 선택한다.

    • 상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라
  4. 4논리 통합logical_integration

    금속 채움 층은 금속 시드 층 위에 배치되며, 트렌치의 측벽 부분들을 따라 ild 층의 유전체 재료와 접촉한다는 논리적 관계를 확인한다.

    • 상기 금속 채움 층은 상기 u자 형상의 금속 시드 층 위의 상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라 상기 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉함
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    금속 채움 층이 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉하는 위치는 트렌치의 측벽 부분들임을 도출한다.

    • 상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

    • 상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라
최종 답변 (final_answer)
상기 트렌치의 측벽들의 부분들을 따라
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 금속 시드 층 상부에 배치되는 금속 채움 층이 트렌치의 측벽 일부를 통해 ild 층의 유전체 재료와 직접 접촉하는 구조를 특징으로 한다.