고차 측방향 모드 억제를 위한 안티-가이딩 영역들을 포함하는 광역 레이저 document_id 1020177035381

[청구항 1] 기판 상에 형성되는 레이저 다이오드로서, 상기 레이저 다이오드는 n형 도파로층과 p형 도파로층 사이에 배치되는 양자 우물 이미터 영역 상기 n형 도파로층 위에 배치되는 n형 클래딩층 및 상기 p형 도파로층 위에 배치되는 p형 클래딩층 상기 p형 클래딩층의 일부 위에 배치되는 제1 전기 컨택트 영역 및 상기 기판의 일부 아래에 배치되는 제2 전기 컨택트 영역; 및 상기 레이저 다이오드의 활성 영역의 외부 위치에 형성되는 안티-가이딩층 을 포함하며, 상기 제1 및 제2 전기 컨택트 영역들과 상기 양자 우물 이미터 영역의 중첩된 조합은 상기 레이저 다이오드의 상기 활성 영역을 정의하고, 상기 안티-가이딩층은 불필요한, 고차 측방향 모드들을 분리시키고 상기 불필요한, 고차 측방향 모드들을 상기 레이저 다이오드의 상기 활성 영역으로부터 멀리 그리고 상기 안티-가이딩층 안으로 지향시키기에 충분한 굴절률을 갖는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 안티-가이딩층은 상기 제1 전기 컨택트 영역 위에 배치되고 상기 제1 전기 컨택트 영역의 일부를 노출시키는 트렌치 개구부를 포함하도록 구성되며, 상기 트렌치 개구부의 정의된 폭은 상기 레이저 다이오드의 상기 활성 영역의 폭을 정의하며, 상기 레이저 다이오드는 역 리지 구성포함하는레이저 다이오드. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1 전기 컨택트 영역은 고도로 도핑된 반도체 재료의 층을 포함하고 상기 안티-가이딩층은 상기 제1 전기 컨택트 영역의 고도로 도핑된 반도체 재료의 상기 층의 노출된 표면 상에 성장되는 에피택셜층을 포함하며, 에피택셜 성장층은 그 후에 상기 트렌치 개구부를 형성하기 위해 패턴화에칭되는레이저 다이오드. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 리지 구조 레이저 다이오드를 포함하고 상기 안티-가이딩층은 상기 기판과 상기 n형 클래딩층 사이배치되는레이저 다이오드. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 안티-가이딩층은 상기 기판의 노출된 표면 상에 성장되는 에피택셜층을 포함하며, 상기 레이저 다이오드의 잔존 층들은 상기 에피택셜 성장 안티-가이딩층 위형성되는레이저 다이오드. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 안티-가이딩층은 상기 양자 우물 이미터 영역, 및 상기 클래딩층들보다 더 큰 굴절률나타내는레이저 다이오드. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 안티-가이딩층은: gaas, algaas, ingaas, 및 gainp로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료포함하는레이저 다이오드. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1 전기 컨택트 영역은 고도로 도핑된 반도체 재료의 층포함하는레이저 다이오드. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제2 전기 컨택트 영역은 상기 기판 하단 표면의 일부를 코팅하기 위해 형성되는 적어도 하나의 금속층포함하는레이저 다이오드. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 안티-가이딩층은 상기 제1 전기 컨택트 영역 위에 배치되고, 상기 레이저 다이오드의 상기 방출 영역을 정의하는 상기 제1 전기 컨택트의 일부를 노출시키는 트렌치 개구부를 포함하도록 구성되며, 상기 레이저 다이오드는 역 리지 구성포함하는광역 레이저 다이오드. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 제1 전기 컨택트 영역은 고도로 도핑된 반도체 재료의 층을 포함하고 상기 안티-가이딩층은 고도로 도핑된 반도체 재료의 상기 층의 노출된 표명 상에 성장되는 에피택셜층을 포함하며, 상기 에피택셜 성장층은 그 후에 상기 트렌치 개구부를 형성하기 위해 패턴화에칭되는광역 레이저 다이오드. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 리지 구조 레이저 다이오드를 포함하며, 상기 리지의 폭은 상기 레이저 다이오드에 의해 방출되는 빔의 폭과 연관되고, 상기 안티-가이딩층은 상기 기판과 상기 n형 클래딩층 사이배치되는광역 레이저 다이오드. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 안티-가이딩층은 상기 기판의 노출된 표면 상에 성장되는 에피택셜 층을 포함하며, 상기 레이저 다이오드의 잔존 층들은 상기 안티-가이딩층과 함께 단일 단계에서 에피택셜성장되는광역 레이저 다이오드. [청구항 15] 제10항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 상기 방출된 빔의 측방향 발산을 더 감소시키기 위해 상기 레이저 다이오드의 상기 활성 영역의 외부에 배치되고 불필요한 고차 모드들의 추가적인 안티-가이딩을 제공하는 고 굴절률 재료의 추가적인 영역들더 포함하는광역 레이저 다이오드.