페로브스카이트 재료의 침착 방법 document_id 1020187000705

[청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료의 고체층은 컴팩트층인,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 28] 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,상기 제 1 서브-셀에 인접하는 상기 제 2 서브-셀의 거친 표면은 표면 텍스처를 구비하는 상기 제 2 서브-셀 내의 표면을 포함하고, 바람직하게는 상기 표면 텍스처는 피라미드 및 반전된 피라미드 중 하나포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 29] 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료의 고체층이 배치되는 표면은,상기 제 2 서브-셀의 인접 표면; 및 상기 페로브스카이트 재료의 고체층과 상기 제 2 서브-셀 사이에 배치되고, 상기 제 2 서브-셀의 거친 표면과 공형인 인접 표면 중하나인,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료의 고체층은 각각 상기 제 2 서브-셀의 거친 표면과 실질적으로 공형인 하나 이상의 층에 의해 상기 제 2 서브-셀분리되는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 제 2 서브-셀로부터 상기 페로브스카이트 재료의 고체층을 분리시키고, 각각 상기 제 2 서브-셀의 거친 표면에 실질적으로 공형인 상기 하나 이상의 층은,상기 제 1 서브-셀의 광활성 영역의 전하 수송층; 및상기 제 1 서브-셀과 상기 제 2 서브-셀 사이에 배치되고, 상기 제 1 서브-셀과 상기 제 2 서브-셀을 연결하는 하나 이상의 상호접속층 중 어느 하나포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료의 고체층이 배치되는 표면은, 상기 제 1 서브-셀의 광활성 영역의 전하 수송층의 인접 표면; 및상기 제 1 서브-셀과 상기 제 2 서브-셀 사이에 배치되고, 상기 제 1 서브-셀과 상기 제 2 서브-셀을 연결하는 상호접속층의 인접 표면 중 어느 하나포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 33] 제 26 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료의 고체층은 페로브스카이트 재료의 박막을 포함하고, 바람직하게는 상기 페로브스카이트 재료의 박막의 두께는 50 nm 내지 2 μm, 바람직하게는 100 nm 내지 1000 nm, 더 바람직하게는 200 nm 내지인,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 34] 제 26 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 서브-셀의 거친 표면은 50 nm 내지 30 μm, 바람직하게는 500 nm 내지 20 μm, 더 바람직하게는 1 μm 내지 10 μm의 거칠기 평균(ra)또는 평균제곱근갖는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 35] 제 26 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 서브-셀은 제 2 페로브스카이트 재료, 결정질 실리콘, cdte, cuznsnsse, cuznsns, 또는 cuingase(cigs) 중 어느 하나포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 36] 제 34 항에 있어서,상기 제 2 서브-셀은 결정질 실리콘 서브-셀을 포함하고, 바람직하게는 상기 결정질 실리콘 서브-셀은 실리콘 헤테로접합(shj)을 포함하고, 더 바람직하게는 상기 결정질 실리콘 서브-셀은 비정질 실리콘:결정질 실리콘 헤테로접합포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 37] 제 26 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료는 화학식 (i)의 페로브스카이트를 포함하고,[a][b][x]3 (i)여기서 [a]는 하나 이상의 1가 양이온, [b]는 하나 이상의 2가 무기 양이온, [x]는 하나 이상의 할로겐화물 음이온인,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 38] 제 37 항에 있어서,여기서 [x]는 불화물, 염화물, 브로민화물, 및 요드화물로부터 선택된, 바람직하게는 염화물, 브로민화물 및 요드화물로부터 선택된, 더 바람직하게는 브로민화물 및 요드화물로부터 선택된 하나 이상의 할로겐화물 음이온포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 39] 제 37 항 또는 제 38 항에 있어서,여기서 [x]는 불화물, 염화물, 브로민화물, 및 요드화물로부터 선택된, 바람직하게는 염화물, 브로민화물 및 요드화물로부터 선택된 2 개의 상이한 할로겐화물 음이온을 포함하고, 더 바람직하게는 브로민화물 및 요드화물포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 40] 제 37 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,여기서 [a]는 메틸암모늄(ch3nh3+),및 포름아미디늄(hc(nh)2)2+)로부터 선택되는 하나 이상의 유기 양이온포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 41] 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,여기서 [a]는 cs+,rb+,cu+,pd+,pt+,ag+,au+,rh+,및 ru+로부터 선택되는, 바람직하게는 cs+및 rb+로부터 선택되는하나이상의무기양이온포함하고,포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 42] 제 37 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,여기서 [b]는 pb2+및 sn2+로부터 선택되는 하나 이상의 2가무기양이온포함하고,포함하는,다접합형 광기전 디바이스. [청구항 43] 제 37 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 페로브스카이트 재료의 밴드 갭은 1.10ev 내지 2.30ev, 바람직하게는 1.65ev 내지인,다접합형 광기전 디바이스.