코일 커패시터 document_id 1020187000905

[청구항 1] 코일 커패시터에 있어서, 플랙서블 다층 테이프(flexible multilayered tape)로 형성된 코일, 및 상기 코일의 버트(butts)에 위치하는 제1 종단 전극(제1 접촉층) 및 제2 종단 전극(제2 접촉층)을 포함하고, 상기 플랙서블 다층 테이프는 차례로 적층된 제1 금속층, 플라스틱층, 제2 금속층, 에너지 저장 재료를 포함하고, 상기 제1 금속층은 상기 제1 종단 전극(제1 접촉층)과 오믹 접촉을 형성하고, 상기 제2 금속층은 상기 제2 종단 전극(제2 접촉층)과 오믹 접촉을 형성하는 코일 커패시터 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 플랙서블 다층 페이프가 감겨진 유전체 코어더 포함하는코일 커패시터. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 리렌 조각들포함하는코일 커패시터. [청구항 4] 청구항 3에 있어서,상기 리렌 조각들은 구조들 1 내지 21을 포함하는 목록으로부터 선택된 하나 이상의 구조포함하는코일 커패시터. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 도핑된((doped) 올리고아닐린(oligoaniline) 및 p-올리고-페닐렌(p-oligo-phenylene)을 포함하는 목록선택되는코일 커패시터. [청구항 6] 청구항 5에 있어서,상기 도핑된 올리고아닐린은 아닐린의 페닐 고리 상에 so3-그룹 또는 coo-그룹을 갖는자기도핑된아닐린인코일 커패시터. [청구항 7] 청구항 5에 있어서,상기 도핑된 올리고아닐린은 산화된 상태로 올리고아닐린에 혼합된 유기 구조(organic structure)-무기/유기산(inorganic/organic acid)에 의해 혼합-도핑되고, 상기 유기 구조는 알킬(alkyl), 아릴(aryl) 및 이들의 중합체(polymer)들을 포함하는 목록으로부터 선택되며, 상기 무기/유기산은 so3h, cooh, hc1, h2so4, h3so4, hbf4, hpf6, 벤조산(benzoic acid) 및 이들의 유도체(derivatives)를 포함하는 목록선택되는코일 커패시터. [청구항 8] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 유기 용매에 가용성인 중합체성 물질포함하는코일 커패시터. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 중합체성 물질은 구조들 22 내지 27을 포함하는 목록으로부터 선택된 하나 이상의 구조를 포함하는 코일 커패시터.상기 r1 및 r2는 알킬, 아릴, 치환된 알치환된아릴로부터 독립적으로 선택된다. [청구항 10] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 구조들 28 내지 62를 포함하는 목록으로부터 선택된 하나 이상의 초분자(supramolecular) 구조포함하는코일 커패시터. [청구항 11] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 절연체 매트릭스(insulator matrix) 내에 전도성 이방성 입자(electro-conductive anisometric particle)들의 분산(dispersion)(현탁(suspension))을 갖는 콜로이드 성 복합체포함하는코일 커패시터. [청구항 12] 청구항 11에 있어서,상기 전도성 이방성 입자들은 전도성 올리고머포함하는코일 커패시터. [청구항 13] 청구항 10에 있어서,상기 절연체 매트릭스의 물질은 폴리(아크릴산)(paa), 폴리(n-비닐피롤리돈)(pvp), 폴리(비닐리덴 플로오라이드-헥사플루오로프로필렌)[p(vdf-hfp)], 에틸렌 프로필렌 루버(epr) 및 에틸렌 프로필렌 디엔 모노머(epdm)를 포함하는 에틸렌 프로필렌 중합체 및 디메틸디클로로 실록산, 디메틸실란 디올, 폴리디메틸 실록산 및 폴리스티렌 술폰산(pss)과 같은 실리콘 루버(pdmso)로 이루어진 그룹선택되는코일 커패시터. [청구항 14] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 도데실벤젠 설포네이트(dbsa), 폴리옥시 에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 폴리옥시프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 글리콜 옥틸페놀 에테르, 폴리옥시에틸렌 글리콜 소르비탄 알킬 에스테르, 소르비탄 알킬 에스테르 및 도데닐디메틸아민 옥사이드로부터 선택된 표면 활성 물질포함하는코일 커패시터. [청구항 15] 청구항 1에 있어서,상기 에너지 저장 물질은 세라믹 슬러리(ceramic slurrie), 스퍼터링된 얇은 필름(sputtered thin film), 또는 분자정렬된결정(molecularly ordered crystal)을 포함한다. [청구항 16] 청구항 1에 있어서,상기 플라스틱층은 폴리프로필렌(pp), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 폴리에스테르(pet), 폴리페닐렌 설파이드(pps), 폴리에틸렌 나프탈레이트(pen), 폴리카보네이트(pp), 폴리스티렌(ps), 및 폴리테트라플루오로에틸렌(ptfe)을 포함하는 목록선택되는코일 커패시터. [청구항 18] 청구항 16에 있어서,상기 플라스틱층의 두께는 2.5㎛ 내지인코일 커패시터. [청구항 19] 청구항 1에 있어서,상기 플라스틱층은 폴리프로필렌을 포함하고, 상기 플라스틱층의 두께인코일 커패시터. [청구항 20] 청구항 1에 있어서,상기 플라스틱층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(pet)를 포함하고, 상기 플라스틱층의 두께인코일 커패시터. [청구항 21] 청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층 및 제2 금속층의 재료는 pt, cu, al, ag, au, ni, al:ni 및 금속 발포체(metal foam)를 포함하는 목록으로부터 독립적선택되는코일 커패시터. [청구항 22] 청구항 1에 있어서,상기제1 및 제2 접촉층의 두께는 독립적으로 10nm 내지 1000nm 범위선택되는코일 커패시터. [청구항 24] 청구항 23에 있어서,상기제1 및 제2 접촉층의 시트 저항은 독립적으로 0.1옴/스퀘어 내지 2.5옴/스퀘어 범위선택되는코일 커패시터. [청구항 25] 청구항 21에 있어서,상기 금속 발포체의 금속은 알루미늄(al), 니켈(ni), 철(fe) 및 구리(cu)를 포함하는 목록선택되는코일 커패시터. [청구항 26] 청구항 21에 있어서,상기 금속 발포체의 용융 온도는 400˚c 내지인코일 커패시터. [청구항 27] 청구항 21에 있어서,상기 금속 발포체 내의 금속 함유량은 무게의 5% 내지인코일 커패시터. [청구항 28] 청구항 21에 있어서,상기 금속 발포체는 금속 함량 당 최대 컨덕턴스를 갖는 폐쇄된 "버블" 타입인코일 커패시터. [청구항 29] 청구항 21에 있어서,상기 금속 발포체 내의 버블의 크기는 100nm 내지인코일 커패시터. [청구항 30] 청구항 1에 있어서,상기 제1 종단 전극 및 제2 종단 전극의 재료는 백금(pt), 구리(cu), 알루미늄(al), 은(ag) 및 금(au)을 포함하는 목록으로부터 독립적선택되는코일 커패시터. [청구항 31] 청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층은 상기 플라스틱층의 제1 표면의 일부분 상에 증착되고 상기 제1 표면은 증착된 금속이 없는 제1 마진부를 가지며, 상기 제2 금속층은 상기 플라스틱층의 제2 표면의 일부분 상에 증착되고 상기 제2 표면은 증착된 금속이 없고 상기 제1 마진부로부터 상기 플라스틱층의 대향 가장자리 상에 위치하는제2마진부를갖는코일 커패시터.