소자 및 기판의 봉입을 위한 투과 차단체 document_id 1020187003947

[청구항 1] 하이브리드 투과 차단 조성물을 가지고 하나 이상의 이중층(bilayer)을 포함하는 투과 차단막 구조체로서, 상기 이중층 각각이 제1 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률에 상응하는 제1 조성물을 가진 제1 영역; 및 제2 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률에 상응하는 제2 조성물을 가진 제2 영역을 포함하고, 여기서 제2 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률은 제1 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률보다 1.2배 초과 만큼 더 큰 것인 투과 차단막 구조체 [청구항 2] 제1항에 있어서,2 플라즈마 반응성 이온 에칭률이 제1 cf4-o2 플라즈마 반응성 이온 에칭률보다 1.2 내지 5배 만큼것인투과 차단막 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,하이브리드 투과 차단 조성물이 중합체 재료와 비중합체 재료의 균일 혼합물을 포함하고, 여기서 혼합물은 단일 전구체 재료형성되는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 5] 제4항에 있어서,중합체 재료는 실리콘이고 비중합체 재료는 하나 이상의 규소 산화물을 포함하며, 여기서 균일 혼합물은 산소 함유 반응물 가스에서유기규소화합물의플라즈마강화화학 증착에의해침착되는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 6] 제5항에 있어서,규소 산화물이 sio, sio2, 및 혼합 원자가(mixed-valence) 산화물 siox 중 하나 이상포함하는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 7] 제5항에 있어서,유기규소 화합물이실록산인투과 차단막 구조체. [청구항 8] 제7항에 있어서,실록산 화합물이 헥사메틸 디실록산 또는 디메틸 실록산 중하나인투과 차단막 구조체. [청구항 9] 제4항에 있어서,중합체 재료는 실리콘이고 비중합체 재료는 규소 질화물이며, 여기서 균일 혼합물은 질소 함유 반응물 가스에서유기규소화합물의플라즈마강화화학 증착에의해침착되는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 10] 제9항에 있어서,유기규소 화합물이실록산인투과 차단막 구조체. [청구항 11] 제10항에 있어서,실록산 화합물이 헥사메틸 디실록산 또는 디메틸 실록산 중하나인투과 차단막 구조체. [청구항 12] 하이브리드 투과 차단 조성물을 가지고 하나 이상의 이중층을 포함하는 투과 차단막 구조체로서, 상기 이중층 각각이 65 nm/분 미만의 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률을 가진 제1 영역; 및 80 nm/분 초과의 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률을 가진 제2 영역 을 포함하는 것인 투과 차단막 구조체 [청구항 14] 제12항에 있어서,하이브리드 투과 차단 조성물이 중합체 재료와 비중합체 재료의 균일 혼합물을 포함하고, 여기서 혼합물은 단일 전구체 재료형성되는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 15] 제14항에 있어서,중합체 재료가 실리콘이고 비중합체 재료가 하나 이상의 규소 산화물포함하는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 16] 제15항에 있어서,규소 산화물이 sio, sio2, 및 혼합 원자가 산화물 siox 중 하나 이상포함하는 것인투과 차단막 구조체. [청구항 17] 제15항에 있어서,유기규소 화합물이실록산인투과 차단막 구조체. [청구항 18] 제17항에 있어서,실록산 화합물이 헥사메틸 디실록산 또는 디메틸 실록산 중하나인투과 차단막 구조체. [청구항 19] 제14항에 있어서,중합체 재료가 실리콘이고 비중합체 재료가 규소질화물인투과 차단막 구조체. [청구항 20] 제19항에 있어서,유기규소 화합물이실록산인투과 차단막 구조체. [청구항 21] 제20항에 있어서,실록산 화합물이 헥사메틸 디실록산 또는 디메틸 실록산 중하나인투과 차단막 구조체. [청구항 22] 하이브리드 투과 차단 조성물을 가진 투과 차단막 구조체를 포함하는 기판 상에 구비된 유기 전자 소자로서, 투과 차단막 구조체가 유기 전자 소자 위에 코팅되고 하나 이상의 이중층을 포함하며, 상기 이중층 각각이 제1 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률에 상응하는 제1 조성물을 가진 제1 영역; 및 제2 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률에 상응하는 제2 조성물을 가진 제2 영역을 포함하고, 여기서 제2 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률이 제1 cf 4 -o 2 플라즈마 반응성 이온 에칭률보다 1.2배 초과 만큼 더 큰 것인 유기 전자 소자 [청구항 23] 제22항에 있어서,2 플라즈마 반응성 이온 에칭률이 제1 cf4-o2 플라즈마 반응성 이온 에칭률보다 1.2 내지 5배 만큼것인유기 전자 소자. [청구항 24] 제22항에 있어서,제2 영역: 제1 영역의 두께 비가 0.5 내지인유기 전자 소자. [청구항 25] 제22항에 있어서,하이브리드 투과 차단 조성물이 중합체 재료와 비중합체 재료의 균일 혼합물을 포함하고, 여기서 혼합물은 단일 전구체 재료형성되는 것인유기 전자 소자. [청구항 26] 제25항에 있어서,중합체 재료는 실리콘이고 비중합체 재료는 하나 이상의 규소산화물인유기 전자 소자. [청구항 27] 제26항에 있어서,규소 산화물이 sio, sio2, 및 혼합 원자가 산화물 siox 중 하나 이상포함하는 것인유기 전자 소자. [청구항 28] 제26항에 있어서,유기규소 화합물이실록산인유기 전자 소자. [청구항 29] 제28항에 있어서,실록산 화합물이 헥사메틸 디실록산 또는 디메틸 실록산 중하나인유기 전자 소자. [청구항 30] 제25항에 있어서,중합체 재료는 실리콘이고 비중합체 재료는 규소질화물인유기 전자 소자. [청구항 31] 제30항에 있어서,유기규소 화합물이실록산인유기 전자 소자. [청구항 32] 제31항에 있어서,실록산 화합물이 헥사메틸 디실록산 또는 디메틸 실록산 중하나인유기 전자 소자. [청구항 33] 제22항에 있어서,투과 차단막 구조체와 직접적으로 접촉하는 전극층을 더 포함하고, 여기서전극층스퍼터링된금속막인 것인유기 전자 소자.