최종산출물
특허 지식베이스 최종산출물
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분류: 전기(H섹션) ✕
| uuid | 출원번호 | 제목 | 출원연도 | IPC | 분류 |
|---|---|---|---|---|---|
| a56792ee-3688-5321-a029-4eff97736d3a | 1020147006659 | 전기 모터 | 2012 | H02K 5/22 | 전기(H섹션) |
| 5b817627-acd4-5cf3-9ce9-f7a2e4f68598 | 1020147008887 | 비수성 유기 전해질, 이러한 전해질을 가진 리튬 이온 2차 전지, 리튬 이온 2차 전지의 제조 방법 및 단말 통신 장치 | 2012 | H01M 10/0567 | 전기(H섹션) |
| 0a21b60d-c0f7-5966-b042-7d24855510ed | 1020147012222 | 온도 제어 방법, 제어 장치 및 플라즈마 처리 장치 | 2012 | H01L 21/3065 | 전기(H섹션) |
| 9cd2449a-344b-5458-962d-f84dc7ad7497 | 1020147012828 | 스택 조립체 | 2011 | H01M 8/24 | 전기(H섹션) |
| 05785b6f-6a8a-5384-8990-caddd55e16eb | 1020147015285 | 송신 장치, 수신 장치, 송신 방법, 및 수신 방법 | 2012 | H04L 27/26 | 전기(H섹션) |
| 5eaa025f-0cd5-5ad9-85a8-320cd74c12e5 | 1020147016366 | 스퓨리어스-모드 억제 압전 공진기 설계 | H03H 9/02 | 전기(H섹션) | |
| 1102a023-24b9-58c0-8e0f-79a0c45aa5b2 | 1020147016618 | 반도체 적층체 및 그 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 반도체 디바이스, 도펀트 조성물, 도펀트 주입층, 그리고 도프층의 형성 방법 | 2013 | H01L 21/20 | 전기(H섹션) |
| 063371d4-53c1-5f1f-9344-820e55f243dd | 1020147018167 | 인터리빙을 수행하기 위한 시스템들, 방법들 및 디바이스들 | 2012 | H04L 27/26 | 전기(H섹션) |
| 294a9962-f6f7-5372-8bea-d4043af5a9dd | 1020147019491 | 무전해 구리 증착 | H01L 21/285 | 전기(H섹션) | |
| c1fd05ba-9919-569a-96de-0618f59cd6be | 1020147019926 | 분리된 이온 및 라디칼 제어를 위한 소스를 이용한 반도체 프로세싱 시스템 | 2012 | H01L 21/3065 | 전기(H섹션) |
| af75642a-dc32-5941-a181-d2fc2deec444 | 1020147021227 | 컴퓨팅 디바이스와 통신할 수 있는 대화형 베이스 및 토큰 | 2012 | H04L 12/16 | 전기(H섹션) |
| a54946e2-fab3-5871-a080-c5dab75398e4 | 1020147022616 | 인쇄회로 기판 및 그 제조장치 및 제조방법 | 2013 | H05K 3/20 | 전기(H섹션) |
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| 1b1b4f1a-5baa-512a-8e3e-cad066da1600 | 1020147023130 | 변환 계수 코딩 | 2013 | H03M 7/40 | 전기(H섹션) |
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